電晶體熱阻(Thermal resist)是關係到電晶體散熱好壞、從而關係到電晶體的功率耗散和輸出功率的一個重要參量。
基本介紹
- 中文名:電晶體熱阻
- 外文名:Thermalresist
- 類型:熱阻
電晶體熱阻(Thermal resist)是關係到電晶體散熱好壞、從而關係到電晶體的功率耗散和輸出功率的一個重要參量。
電晶體熱阻(Thermal resist)是關係到電晶體散熱好壞、從而關係到電晶體的功率耗散和輸出功率的一個重要參量。內部結構對於雙極型電晶體,發熱的主要部位是集電結附近(因為集電結是耗盡層,其上加有大的反向電壓,通過的...
R(th)jc---結殼熱阻 R(th)ja---結環熱阻 PD---漏極耗散功率 PDM---漏極最大允許耗散功率 PIN--輸入功率 POUT---輸出功率 PPK---脈衝功率峰值(外電路參數)to(on)---開通延遲時間 td(off)---關斷延遲時間 ti---上升...
砷化鎵肖特基場效應管(GaAsMESFET)是一種性能優良的微波功率電晶體,它的工作頻率遠遠高於矽雙極功率管。但砷化鎵材料的熱阻比矽大,因而功率容量比矽雙極功率管小很多。雙極電晶體可工作在微波頻段的低端,而輸出較大的功率(400兆赫下輸出...
為了提高Po,就要求提高Pc, 但Pc的提高又受到結溫的限制,為使結溫不超過Tjm,就需要減小電晶體的熱阻Rt;最大耗散功率Pcm ∝1/ Rt 。最高結溫Tjm時所對應的最大耗散功率為(Pcms≥Pcm ):穩態時, Pcm = (Tjm–Ta) / Rt ;...
可以通過降低內熱阻、使用散熱片和引入風冷、水冷、油冷等措施來提高最大允許耗散功率。實際上,上述工作區之間並沒有絕對的界限,在較小電壓變化(小於幾百毫伏)範圍內,上面提到的不同區域之間可能有一定的重疊。
4.5.2熱阻 4.5.3電晶體的最大耗散功率 4.6二次擊穿和安全工作區 4.6.1二次擊穿現象 4.6.2二次擊穿機理及改進措施 4.6.3安全工作區 習題 參考文獻 第5章開關特性 5.1電晶體的開關作用 5.1.1電晶體開關作用的定性分析 ...
第二章 大功率電晶體的熱阻和極限工作溫度 第三章 大功率電晶體的飽和電阻和飽和壓降 第四章 增大大功率電晶體的工作電流 第五章 提高大功率電晶體的工作電壓 第六章 大功率合金管的設計 第七章 大功率合金管的製作 第八章 p-n...
發生二次擊穿的部位常是存在工藝缺陷的地方,如管芯與底座間燒結層的空洞,發射極鍵合點壓偏使鎮流電阻短路,矽鋁合金常使基區厚度不均勻等。這些缺陷使電流集中,熱阻增大。局部發熱過甚,導致PN結燒毀,所以要有針對性地加強工藝控制...
7.3熱阻208 7.3.1IGBT的熱阻定義208 7.3.2結-殼熱阻Rth(j-c)和結殼瞬態熱阻抗Zth(j-c)208 7.4安全工作區211 7.4.1最大反偏安全工作區RBSOA211 7.4.2最大短路安全工作區SCSOA213 7.4.3最大正偏安全工作區FBSOA215 7...
《微波功率異質結電晶體(HBT)自加熱效應的補償技術研究》是依託北京工業大學,由張萬榮擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 隨器件尺寸的不斷縮小,隨現行SOI技術的不斷採用,介質在器件(深槽)隔離技術中的不斷套用,都使得熱阻不斷...
2、小功率半導體器件,比如小電晶體,IC,一般使用時是不帶散熱器的。所以這時就要考慮器件殼體到空氣之間的熱阻了。一般廠家規格書中會給出Rja,即結到環境之間的熱阻.(Rja=Rjc+Rca)。同樣以三級管2N5551為例,其最大使用功率1.5W...
在熱穩定理論研究方面,考慮到熱分布的不均勻性,提出採用二維熱阻矩陣[Rij]來表征和研究多指功率HBT的自熱和熱耦合效應,並研究了影響[Rij]中自熱熱阻和耦合熱阻的相關因素。同時,國際上首次提出面向二維溫度分布不均勻的表征熱穩定性...
第2章 GaN電晶體電氣特性18 2.1引言18 2.2關鍵器件參數18 2.2.1擊穿電壓(BVDSS)和泄漏電流(IDSS)18 2.2.2導通電阻(RDS(on))22 2.2.3閾值電壓(VGS(th)或Vth)25 2.3電容和電荷27 2.4反向傳導28 2.5熱阻31 2.6...
第2章 GaN電晶體電氣特性18 2.1引言18 2.2關鍵器件參數18 2.2.1擊穿電壓(BVDSS)和泄漏電流(IDSS)18 2.2.2導通電阻(RDS(on))22 2.2.3閾值電壓(VGS(th)或Vth)25 2.3電容和電荷27 2.4反向傳導28 2.5熱阻31 2.6...
耗散功率和電晶體的熱阻有很大的關係.而電晶體的熱阻是表征電晶體散熱能力的一個基本參量,該參量對於大功率電晶體的設計,製造和使用尤為重要.所謂熱阻就是單位耗散功率引起結溫升高的度數,其單位為℃/W。可由下面的公式表示:由熱傳導的...
場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為...
第4節 電晶體最大耗散功率 1 耗散功率和最高結溫 2 電晶體的熱阻 3 電晶體最大耗散功率 第5節 品體管二次擊穿和安全工作區 1 二次擊穿現象 2 二次擊穿的機理和防止二次擊穿的措施 3 電晶體的安全工作區(SOA)習題五 第6章 ...
3.5.4 電晶體的噪聲 (167)3.6 電晶體的功率特性 (170)3.6.1 基區大注入效應 (170)3.6.2 基區擴展效應 (175)3.6.3 發射極電流集邊效應 (179)3.6.4 集電結最大耗散功率和電晶體的熱阻 (183)3.6.5 ...
電晶體類型:MOSFET 熱阻, 結至外殼 A:1°C/W 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V 電壓, Vds 典型值:200V 電流, Id 連續:18A 電流, Idm 脈衝:72A 表面安裝器件:通孔安裝 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V 閾值電壓, Vgs th 最高:...