《絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)設計與工藝》是2018年機械工業出版社出版的圖書,作者是趙善麒。
基本介紹
- 中文名:絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)設計與工藝
- 作者:趙善麒
- 出版時間:2018年10月
- 出版社:機械工業出版社
- ISBN:9787111604983
- 定價:98 元
- 開本:16 開
- 裝幀:平裝
《絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)設計與工藝》是2018年機械工業出版社出版的圖書,作者是趙善麒。
《絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)設計與工藝》是2018年機械工業出版社出版的圖書,作者是趙善麒。內容簡介IGBT是新型高頻電力電子技術的CPU,是目前國家重點支持的核心器件,被廣泛套用於國民經濟的各個領域。本書共分10章...
絕緣柵雙極電晶體(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力電晶體(Giant Transistor—GTR)和電力場效應電晶體(Power MOSFET)的優點,具有良好的特性,套用領域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發射極。 IGBT(...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型電晶體)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為 PNP電晶體,它融和了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點...
IGBT功率模組是以絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)構成的功率模組。由於IGBT模組為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛套用於伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。技術特點 IGBT功率模組是電壓型控...
《絕緣柵雙極電晶體(IGBT)模組封裝設計與可靠性研究》是依託北京工業大學,由吳武臣擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目研究在企業調查和文獻研究基礎上廓清了市場經濟條件下企業的目標.根據企業目標對制約因素概念作出了明確定義....
開元胞叉指形三維結構大功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)開元胞叉指形三維結構大功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)是由北京電力電子新技術研究開發中心完成的科技成果,登記於1996年10月31日。成果信息 ...
一種絕緣柵雙極型電晶體封裝用有機矽凝膠材料 基本資料 本發明公開了一種絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)封裝用有機矽凝膠材料,包括按重量份數計75~98%的含乙烯基的聚矽氧烷基礎油,0.5~20%份的含氫矽油擴鏈劑,0.1~5%份具有下垂...
絕緣柵雙極電晶體級 IGBT閥的組成部分,由一個IGBT或若干個IGBT與其反並聯二極體、驅動電路、保護元件等相關 設備構成。——引自DL/T 1193-2012《柔性輸電術語》
14雙極結型電晶體和場效應電晶體22 141雙極結型電晶體(BJT)22 142場效應電晶體(FET)24 15絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)28 151穿通(PT)型IGBT32 152非穿通(NPT)型IGBT34 153場終止(FS)型IGBT35 154溝槽柵(Trench)IGBT...
2.2 雙極結型電晶體(BJT)技術 2.3 場效應電晶體(FFT)技術 2.4 MOSFET的發展歷程 2.5 絕緣柵雙極電晶體(IGBT)2.6 其他半導體功率器件 2.7 半導體新材料和新器件 2.8 IGBT等半導體功率器件的套用 2.9 小結 參考...
IGBT中頻電爐,採用新型中頻電源,這是一種採用串聯諧振式的IGBT中頻電爐,它的逆變器件為一種新型IGBT模組(絕緣柵雙極型電晶體,德國生產),它主要用於熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬。簡介 採用新型中頻電源,這是一種採用...
2017年12月,《一種單片集成IGBT和FRD的半導體器件》獲得第十九屆中國專利優秀獎。(概述圖為《一種單片集成IGBT和FRD的半導體器件》摘要附圖)專利背景 絕緣柵雙極電晶體(IGBT)具有通態壓降低、電流容量大、輸入阻抗高、回響速度快和...
(概述圖為《IGBT散熱基板及其製造方法、IGBT模組及其製造方法》摘要附圖)專利背景 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由一種由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式...
英國威爾斯大學天鵝海分校高級客座教授。1999年當選中國科學院院士。圖書目錄 第一章 半導體器件基本方程 第二章 PN結 第三章 雙極結型電晶體 第四章 雙極電晶體的設計 第五章 絕緣柵場效應電晶體 附錄 ……
絕緣柵雙極電晶體(IGBT)■IGBT的結構和工作原理 ◆IGBT的結構 ☞是三端器件,具有柵極G、集電極C和發射極E。☞由N溝道VDMOSFET與雙極型電晶體組合而成的IGBT,比VDMOSFET多一層P+注入區,實現對漂移區電導率進行調製,使得IGBT...
本書介紹了電力半導體器件的結構、原理、特性、設計、製造工藝、可靠性與失效機理、套用共性技術及數值模擬方法。內容涉及功率二極體、晶閘管及其集成器件(包括GTO、IGCT、ETO及MTO)、功率MOSFET、絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)以及電力半導體器件...
優選的,所述第一開關管、所述第二開關管、所述第三開關管和所述第四開關管均為絕緣柵雙極型電晶體IGBT。優選的,所述脈衝發生器包括電感、開關管和儲能電容;所述電感的一端連線所述第二三相整流橋的正極,所述電感的另一端通過...
該實施例中,所述採樣信號可以是電壓信號、電流信號或其它形式的信號;所述開關件可採用開關管,優選所述開關管為絕緣柵雙極型電晶體(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)、金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET,Metal Oxide ...
1.6 功率場效應電晶體(PowerMOSFET)1.6.1 PowerMOSFET的結構和工作原理 1.6.2 PowerMOSFET的特性及主要參數 1.6.3 PowerMOSFET的驅動電路 1.6.4 PowerMOSFET的防靜電擊穿保護 1.7 絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)1.7.1 IGBT的...