《IGBT模組》是2016年機械工業出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名:IGBT模組
- 作者: 安德列亞斯·福爾克、麥可·郝康普
- 出版時間:2016年6月1日
- 出版社:機械工業出版社
- 頁數:392 頁
- ISBN:9787111535669
- 定價:88 元
- 裝幀:平裝
《IGBT模組》是2016年機械工業出版社出版的圖書。
IGBT功率模組是以絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)構成的功率模組。由於IGBT模組為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛套用於伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。技術特點 IGBT功率模組是電壓型控制...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流...
IGBT模組的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。使用中當IGBT模組集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模組時額定電流應大於負載電流。特別是用作高頻開關時,...
1、高壓晶閘管 2、用於未來能量轉換中的igbt和快速開關二極體 3、採用超級結技術的超高速開關器件 4、套用於高功率電源的sic元件 發展趨勢 功率電子模組的集成度 半導體模組之間的差異,不僅僅體現在連線技術方面。另一個差別因素...
自從模組原理引入電力電子技術領域以來,已開發和生產出多種內部電路相聯接形式的電力半導體模組,諸如雙向晶閘管、電力mosfet以及絕緣柵雙極型晶閘管(igbt)等模組,使得模組技術得以更快的發展。 伴隨著mos結構為基礎的現代半導體器件研發成功...
《IGBT模組》是2016年機械工業出版社出版的圖書。內容簡介 本書首先介紹了IGBT的內部結構,然後通過電路原型或基本模型推導出的IGBT變體形式。在此基礎上,探討了IGBT的封裝技術。本書還討論了IGBT電氣特性和熱問題,分析了IGBT的特殊套用和...
智慧型功率模組(IPM)是Intelligent Power Module的縮寫,採用功率開關器件IGBT(絕緣柵雙極型電晶體),具有GTR(大功率電晶體)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優點,以及MOSFET(場效應電晶體)高輸入阻抗、高開關頻率和低驅動功率的優點。IPM...
該發明還提供製造上述散熱基板以及IGBT模組的方法。該發明能夠提高IGBT模組的散熱能力,並且提高其承受大電流、高電壓的能力。2020年7月14日,《IGBT散熱基板及其製造方法、IGBT模組及其製造方法》獲得第二十一屆中國專利獎優秀獎。(概述圖...
《大容量高性能IGBT模組分析模型及封裝關鍵技術研究》是依託浙江大學,由陳敏擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 大容量電力電子器件是可再生能源發電系統、智慧型電網、軌道交通等所有大容量電力電子系統中的關鍵元件,其大容量額定運行時的...
當MOSFET 的溝道形成後,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導調製,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態電壓。概括 IGBT驅動電路是驅動IGBT模組以能讓其正常工作,並同時對其進行保護的電路。
三菱igbt mitsubishi igbt 三菱igbt模組 三菱可控矽 三菱二極體模組 三菱igbt單管 三菱功率模組 三菱二極體整流模組 三菱晶閘管模組 三菱整流橋 損壞 三菱功率模組的損壞,主要出現在e500系列變頻器。對於小功率的變頻器,...
IGBT中頻電源是一種採用串聯諧振式的中頻感應熔煉爐電源,它的逆變器件為一種新型IGBT模組(絕緣柵雙極性電晶體,德國西門子生產),它主要用於熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼。基本信息 IGBT中頻電源是一種採用串聯諧振式的中頻感應熔煉爐...
2013年10月,《一種基於IEGT的功率相模組》獲得第十五屆中國專利優秀 獎。(概述圖為《一種基於IEGT的功率相模組》摘要附圖)專利背景 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(...
IGBT模組極限能力測試平台是一種用於動力與電氣工程、能源科學技術、電子與通信技術、產品套用相關工程與技術領域的科學儀器,於2017年12月1日啟用。技術指標 電壓0-5000V,電流範圍0-60KA,脈衝寬度1-6ms。主要功能 1. 測試IGBT的極限...
該發明半導體器件不需要切片就能直接進行壓接式封裝成IGBT模組,並且該壓接式封裝與傳統的功率半導體壓接式封裝工藝相兼容。2017年12月,《一種單片集成IGBT和FRD的半導體器件》獲得第十九屆中國專利優秀獎。(概述圖為《一種單片集成IGBT...
《絕緣柵雙極電晶體(IGBT)模組封裝設計與可靠性研究》是依託北京工業大學,由吳武臣擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目研究在企業調查和文獻研究基礎上廓清了市場經濟條件下企業的目標.根據企業目標對制約因素概念作出了明確定義....
功率模組是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模組。相關擴展 擴展: 智慧型功率模組是以IGBT為核心的先進混合集成功率部件,由高速低功耗管芯(IGBT)和最佳化的門極驅動電路,以及快速保護電路構成。IPM內的IGBT管芯都選用高速型的...
IGBT中頻電爐,採用新型中頻電源,這是一種採用串聯諧振式的IGBT中頻電爐,它的逆變器件為一種新型IGBT模組(絕緣柵雙極型電晶體,德國生產),它主要用於熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬。簡介 採用新型中頻電源,這是一種採用...
IGBT中頻電源是一種採用串聯諧振式的中頻感應熔煉爐,它的逆變器件為一種新型IGBT模組(絕緣柵雙極型電晶體,德國或者日本生產),它主要用於熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬。它具有熔化速度快、節能、高次諧波污染低等優點。產...
IGBT模組 感應線圈 補償電容器等 日常套用 IGBT電源 一、用在熱處理:1.五金工具高頻淬火熱處理,如;虎鉗、錘、大力鉗、扳手。2.各種汽、摩配高頻淬火熱處理,如:曲軸、連桿、活塞銷、凸輪軸、氣門、變速箱內的各種齒輪、各種拔叉...
EXB841是日本富士公司提供的300A/1200V快速型IGBT驅動專用模組,整個電路延遲時間不超過1μs,最高工作頻率達40一50kHz,它只需外部提供一個+20V單電源,內部產生一個一5V反偏壓,模組採用高速光耦合隔離,射極輸出。有短路保護和慢速...
IKW30N60T是一款IGBT管/模組。基本參數 功耗:45W 典型操作電源電壓:5V 安裝:表面安裝 引腳數目:20 匯流排維持:無 數據流向:雙向 最大低電平輸出電流:7.8mA 最大工作溫度:125°C 最大靜態電流:8μA 最大高電平輸出電流:-7....
KA系列——採用光電耦合器隔離,多種型號覆蓋低、中、高端套用,其中K841可完全替代EXB841,57962可完全替代M57962,KA102具有完善的三段式短路保護,可驅動2000A/1700V的IGBT模組。KB系列——採用變壓器隔離,工作頻率可達到200KHz,適用於...
M57962是日本三菱電機為驅動IGBT模組而設計的厚膜積體電路(Hybrid Integrated Circuit For Driving IGBT Modules)。在驅動模組內部集成了2500V的高隔離高電壓的光電耦合器,過流保護電流和過流保護端子,具有封閉性短路保護功能。M57962是一款...