《絕緣柵雙極電晶體(IGBT)模組封裝設計與可靠性研究》是依託北京工業大學,由吳武臣擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:絕緣柵雙極電晶體(IGBT)模組封裝設計與可靠性研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:吳武臣
- 依託單位:北京工業大學
- 批准號:69676035
- 申請代碼:F0404
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:1997-01-01 至 1999-12-31
- 支持經費:9.5(萬元)
《絕緣柵雙極電晶體(IGBT)模組封裝設計與可靠性研究》是依託北京工業大學,由吳武臣擔任項目負責人的面上項目。
《絕緣柵雙極電晶體(IGBT)模組封裝設計與可靠性研究》是依託北京工業大學,由吳武臣擔任項目負責人的面上項目。項目摘要本項目研究在企業調查和文獻研究基礎上廓清了市場經濟條件下企業的目標.根據企業目標對制約因素概念作出了明...
絕緣柵雙極電晶體(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力電晶體(Giant Transistor—GTR)和電力場效應電晶體(Power MOSFET)的優點,具有良好的特性,套用領域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發射極。 IGBT(...
《絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)設計與工藝》是2018年機械工業出版社出版的圖書,作者是趙善麒。內容簡介 IGBT是新型高頻電力電子技術的CPU,是目前國家重點支持的核心器件,被廣泛套用於國民經濟的各個領域。本書共分10章,包括器件結構和...
本發明公開了一種絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)封裝用有機矽凝膠材料,包括按重量份數計75~98%的含乙烯基的聚矽氧烷基礎油,0.5~20%份的含氫矽油擴鏈劑,0.1~5%份具有下垂鏈矽氫和端位矽氫的含...發展歷史 90年代中期,溝槽柵...
模組類型 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低...
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《純電動汽車IGBT可靠性及健康管理研究》是2019年水利水電出版社出版的圖書,作者是華偉、葉從進、張遠進。內容簡介 《純電動汽車IGBT可靠性及健康管理研究》詳細闡述了純電動汽車IGBT的基本知識和研究現狀。系統介紹了IGBT模組的主要失效...
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指能使用控制信號控制其導通和關斷的器件,包括功率三極體(GTR)、功率場效應管(功率MOSFET)、可關斷晶閘管(GTO)、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)、MOS控制晶閘管(MCT)、靜電感應電晶體(SIT)、靜電感應晶閘管(SITH)和集成門極換流...
2.2 雙極結型電晶體(BJT)技術 2.3 場效應電晶體(FFT)技術 2.4 MOSFET的發展歷程 2.5 絕緣柵雙極電晶體(IGBT)2.6 其他半導體功率器件 2.7 半導體新材料和新器件 2.8 IGBT等半導體功率器件的套用 2.9 小結 參考...
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