一種絕緣柵雙極型電晶體封裝用有機矽凝膠材料
基本介紹
- 中文名：絕緣柵雙極型電晶體封裝
- 外文名：IGBT
- 申請日期：2012年10月22日
- 專利號：CN201210403.9
- 公開日：2013年1月9日
基本資料,發展歷史,
基本資料
本發明公開了一種絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)封裝用有機矽凝膠材料，包括按重量份數計75～98%的含乙烯基的聚矽氧烷基礎油，0.5～20%份的含氫矽油擴鏈劑，0.1～5%份具有下垂鏈矽氫和端位矽氫的含......
| 專利類型： | 發明專利 |
|---|---|
| 申請（專利）號： | CN201210403.9 |
| 申請日期： | 2012年10月22日 |
| 公開(公告)日： | 2013年1月9日 |
| 公開(公告)號： | CN102863800A |
| 主分類號： | C08L83/07(2006.01)I,C,C08,C08L,C08L83 |
| 分類號： | C08L83/07(2006.01)I,C08L83/05(2006.01)I,H01L23/29(2006.01)I,C,H,C08,H01,C08L,H01L,C08L83,H01L23,C08L83/07,C08L83/05,H01L23/29 |
| 申請（專利權）人： | 株洲時代新材料科技股份有限公司 |
| 發明（設計）人： | 趙慧宇,唐毅平,姜其斌,丁娉 |
發展歷史
90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是採用從大規模集成（LSI）工藝借鑑來的矽乾法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型晶片結構。在這種溝槽結構中，實現了在通態電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。
