吸收電容在電路中起的作用類似於低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型電晶體（IGBT），消除由於母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型電晶體的損壞。
結構特點,作用,
結構特點
雙面金屬化膜內串結構、特別的內部設計和端面噴金技術，使電容具低感抗，多條引線設計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。用於各類IGBT緩衝線路突波吸收，各類高頻諧振線路。
電容結構: 雙層金屬化膜，內部串聯結構
封裝: 阻燃塑膠外殼，環氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標準.
尺寸: 適合於各種IGBT保護。
作用
母線電感以及緩衝電路及其元件內部的雜散電感，對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要儘量地短；第二，緩衝電路要儘可能地貼近模組；第三，選用 低電感的聚丙烯無極電容，與IGBT 相匹配的快速緩衝二極體， 以及無感泄放電阻；第四，其它有效措施。目前，緩衝電路的製作工藝也有多種方式：有用分立件連線的；有通過印製版連線的；更有用緩衝電容模組直接安裝在 IGBT 模組上的。顯然，最後一種方式因符合上述第二、第三種降感措施，因而緩衝效果最好，能最大限度地保護IGBT 安全運行。
