IGBT吸收電容具有雙面金屬化薄膜、無感結構、低等效串聯電感，可承受較高的du/dt 能承受高脈衝電，ESR小，具有自愈性。適用所有IGBT模組區域尖峰電壓的吸收保護
基本介紹
- 中文名：IGBT吸收電容
- 額定電壓：700V.DC~3000V.DC
- 額定容量：0.0047μF~10μF
- 溫度範圍：-40°C~85°C
材料用途,產品參數,
材料用途
廣泛變頻器、SVG、混合動力車、逆變焊機、太陽能/風力發電變流器等行業的“across-the-bus”功率線路設計，適用所有IGBT模組區域尖峰電壓的吸收保護
產品參數
額定電壓 700V.DC~3000V.DC
額定容量 0.0047μF~10μF
溫度範圍 -40°C~85°C
容量偏差 ±5%, ±10%
極間耐電壓 2Ur(DC) 10s 25±5℃
極殼耐電壓 3000V 50Hz 60S, 25±5℃
損耗角正切 Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr>1.0μF tgδ≤6×10-4
絕緣電阻 C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S
預期壽命 100000h at Ur and 70℃ [1]
