IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有...
igbt功率模組是以絕緣柵雙極型電晶體(igbt)構成的功率模組。由於igbt模組為mosfet結構,igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛套用於...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有...
絕緣柵雙極電晶體 IGBT 安全工作,它集功率電晶體 GTR 和功率場效應管MOSFET 的優點於一身,自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 的特點,是發展最為迅速的新一代...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有...
IPM與以往IGBT模組及驅動電路的組件相比具有如下特點:(1)內含驅動電路。設定了最佳的IGBT驅動條件,驅動電路與IGBT間的距離很短,輸出阻抗很低,因此,不需要加反向...
功率模組是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模組。...... 擴展: 智慧型功率模組是以IGBT為核心的先進混合集成功率部件,由高速低功耗管芯(IGBT)和最佳化的...
與普通的IGBT模組相比,IPM在系統性能及可靠性方面都有進一步的提高。保護電路可以實現控制電壓欠壓保護、過熱保護、過流保護和短路保護。如果IPM模組中有一種保護電路...
IGBT中頻電源是一種採用串聯諧振式的中頻感應熔煉爐,它的逆變器件為一種新型IGBT模組(絕緣柵雙極型電晶體,德國生產),它主要用於熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有...
為促進國內中頻電源技術更深一層發展,山東IGBT研究所決定就現有<IGBT節能中頻熔化電源>技術對國內部分中頻廠家轉讓,並對轉讓廠家提供技術支持及諮詢。我所研發的節能...
IGBT中頻電源是一種採用串聯諧振式的中頻感應熔煉爐電源,它的逆變器件為一種新型IGBT模組(絕緣柵雙極性電晶體,德國西門子生產),它主要用於熔煉普通碳素鋼、合金鋼、...
發展到集成igbta晶片、快速二極體晶片、控制和驅動電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護電路,箱位電路以及自診斷電路等封裝在同一絕緣外殼內,具有智慧型化的igbt模組(ipm...
IGBT電源主要套用於鋼鐵材料的感應表面淬火、透熱、熱處理前的預熱,及銅鋁合金的透熱,貴重金屬的熔煉。其中最廣泛套用的,是鋼鐵材料的表面淬火。比如齒輪、汽車半軸...
IGBT吸收電容具有雙面金屬化薄膜、無感結構、低等效串聯電感,可承受較高的du/dt 能承受高脈衝電,ESR小,具有自愈性。適用所有IGBT模組區域尖峰電壓的吸收保護...
IGBT中頻電爐,採用新型中頻電源,這是一種採用串聯諧振式的IGBT中頻電爐,它的逆變器件為一種新型IGBT模組(絕緣柵雙極型電晶體,德國生產),它主要用於熔煉普通碳素鋼...
是由DSP,ARM等嵌入式微處理器控制的IGBT逆變焊機,是焊機發展的主流方向,與傳統焊機相比有許多優點。...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型電晶體)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為 PNP電晶體,它...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)晶片,產自於德國。是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET...
IGBT器件是《工業強基工程實施指南(2016-2020年)》工業強基一條龍部署的重點產業方向,並作為2017年開展的工業強基工程重點產品、工藝“一條龍”套用計畫工作進行試點...