IRF640

IRF640屬於Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640為設計者提供了轉換快速、堅固耐用、低導通阻抗和高效益的強力組合。

TO-220封裝的IRF640普遍適用於功耗在50W左右的工商業套用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF640得到業內的普遍認可。D2PAK封裝的IRF640適用於貼片安裝，比起現有的任何其他貼片封裝，可說是功率最高，導通阻抗最低。IRF640的D2PAK封裝可適應高強度電流的套用。IRF640的TO-262則適用於低端通孔安裝。

基本介紹

• 外文名：IRF640
• 優點：轉換快速、堅固耐用等
• 電壓：200V
• 功率：150W
• 適用於：功耗在50W左右
• 功耗：150W

基本參數

IRF640，採用TO-220AB 封裝方式。

電晶體極性:N溝道

漏極電流, Id 最大值:18A

電壓, Vds 最大:200V

開態電阻, Rds(on):0.15ohm

電壓 @ Rds測量:10V

電壓, Vgs 最高:4V

封裝類型:TO-220AB

針腳數:3

功率, Pd:150W

封裝類型:TO-220AB

電晶體類型:MOSFET

熱阻, 結至外殼 A:1°C/W

電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V

電壓, Vds 典型值:200V

電流, Id 連續:18A

電流, Idm 脈衝:72A

表面安裝器件:通孔安裝

閾值電壓, Vgs th 典型值:4V

閾值電壓, Vgs th 最高:4V

特性

貼片安裝 IRF640S

可選卷帶包裝 IRF640S

低端通孔安裝 IRF640L

動態dv/dt率

150℃工作溫度 IRF640S、IRF640L

快速轉換速率

可恢復性雪崩測定

並行簡易

僅需簡單驅動

無鉛環保