《大功率電晶體的設計與製造》是1978年科學出版社出版的圖書,作者是趙保經。
基本介紹
- 中文名:大功率電晶體的設計與製造
- 作者:趙保經
- 出版時間:1978年9月
- 出版社:科學出版社
- 書號:15031197
《大功率電晶體的設計與製造》是1978年科學出版社出版的圖書,作者是趙保經。
《大功率電晶體的設計與製造》是1978年科學出版社出版的圖書,作者是趙保經。內容簡介本書也適用於小功率電晶體和積體電路中電晶體的設計和製造。各章節有相對的獨立性,讀者可根據各自的需要,予以選讀。本書可供製造和套用半導體器...
大功率電晶體是指在高電壓、大電流的條件下工作的電晶體。一般被稱為功率器件,屬於電力電子技術(功率電子技術)領域研究範疇。其實質就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。簡介 大功率電晶體...
NPN型電晶體,由三塊半導體構成,其中兩塊N型和一塊P型半導體組成,P型半導體在中間,兩塊N型半導體在兩側。NPN型電晶體是電子電路中最重要的器件之一,它最主要的功能是電流放大和開關作用。NPN型電晶體的電路符號 製造工藝設計 1....
絕大多數的電晶體是和二極體|-{A|zh-cn:二極體;zh-tw:二極體}-,電阻,電容一起被裝配在微晶片(晶片)上以製造完整的電路。模擬的或數字的或者這兩者被集成在同一塊晶片上。設計和開發一個複雜晶片的成本是相當高的,但是當生產...
由於電晶體徹底改變了電子線路的結構,積體電路以及大規模積體電路應運而生,這樣製造像高速電子計算機之類的高精密裝置就變成了現實。工作原理 理論原理 晶體三極體(以下簡稱三極體)按材料分有兩種:鍺管和矽管。而每一種又有NPN和PNP...
因此,器件製造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例,通常比例為1:5。發展前景 2010年,中國科學院微電子研究所成功研製國內首款可產業化IGBT晶片,由中國科學院微電子研究所設計研發的15-43A /1200V IGBT系列產品...
耗散功率和電晶體的熱阻有很大的關係.而電晶體的熱阻是表征電晶體散熱能力的一個基本參量,該參量對於大功率電晶體的設計,製造和使用尤為重要.所謂熱阻就是單位耗散功率引起結溫升高的度數,其單位為℃/W。可由下面的公式表示:由熱傳導的...
《絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)設計與工藝》是2018年機械工業出版社出版的圖書,作者是趙善麒。內容簡介 IGBT是新型高頻電力電子技術的CPU,是目前國家重點支持的核心器件,被廣泛套用於國民經濟的各個領域。本書共分10章,包括器件結構和...
此後隨著半導體材料和工藝技術的發展,利用不同的半導體材料、摻雜分布、幾何結構,研製出結構種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極體。製造材料有鍺、矽及化合物半導體。晶體二極體可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換等。
第三章 電晶體的電流放大特性 第四章 電晶體的反向電流與擊穿電壓 第五章 電晶體的頻率特性 第六章 電晶體的大電流特性和高頻大功率電晶體 第七章 電晶體的開關特性和開關電晶體 第八章 電晶體設計 第九章 電晶體的可靠性 總附錄...
本書內容深入淺出,適合電力電子、微電子、功率器件、功率IC設計與製造領域的研究人員、技術人員閱讀,也可作為高等院校相關專業本科生和研究生的參考書。圖書目錄 譯者序 原書序 原書前言 作者簡介 第1章 緒論 1.1 IGBT套用範圍 1....
對N型電晶體來說,它的閘極延遲僅有0.39皮秒(縮寫ps),而對P型電晶體來說,僅有0.88ps。FinFET可以設計成兩個單獨可控制閘極,這可以讓電晶體的設計更為彈性,可以製造出更具效能、低耗電的元件。2012年開始,Intel開始用...
在1950年代和1960年代,鍺電晶體的使用多於矽電晶體。相對於矽電晶體,鍺電晶體的截止電壓更小,通常約0.2伏特,這使得鍺電晶體適用於某些套用場合。在電晶體的早期歷史中,曾有多種雙極性電晶體的製造方法被開發出來。鍺電晶體的一個...
第一個場效應電晶體是由Kahng和Atalla在1960年使用金屬氧化物半導體(MOSFET)設計和製造的。然而,近年來,材料和製造成本上升以及公眾對更環保的電子材料的興趣支持了有機電子產品的發展。1987年, Koezuka及其同事報導了第一種基於噻吩...
藉助計算機輔助設計工具深入研究了IGBT單元的設計技術,從結構、摻雜分布、溝道長度、跨導和正向壓降、導通和開關損耗、單元布圖和間距,以及緩衝層最佳化,直至場環和場板終端設計。本書還介紹了製造功率IGBT的工藝技術,對功率IGBT模組和相關...
8π(rb+πfTLe)Cc].高頻優值是一個全面反映BJT的頻率和功率性能的參數(優值越高越好),而且是一個與頻率無關的常數,它只決定於電晶體的內部參數,所以高頻優值是設計和製造高頻和微波功率電晶體的重要依據之一。
本書介紹了電力半導體器件的結構、原理、特性、設計、製造工藝、可靠性與失效機理、套用共性技術及數值模擬方法。內容涉及功率二極體、晶閘管及其集成器件(包括GTO、IGCT、ETO及MTO)、功率MOSFET、絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)以及電力半導體器件...
如果按照舊有方式將電晶體、電阻和電容分別安裝在電路板上,那么不僅個人電腦和移動通信不會出現,連基因組研究、計算機輔助設計和製造等新科技更不可能問世。有關專家指出,摩爾法則已不僅僅是針對晶片技術的法則;不久的將來,它有可能擴展...
電路顧名思義是將有源器件和無源器件及連線線等集中製造在一個很小的矽片上,再經引線和封裝,形成一個有預定功能的微型整體。(符號為IC)。積體電路的優點是體積小、壽命長、成本低、可靠性高性能好。當前積體電路及大規模積體電路...
甲類功放的工作方式具有最佳的線性,每個輸出電晶體均放大訊號全波,完全不存在交越失真(SwitchingDistortion),即使不使用負反饋,它的開環路失真仍十分低,因此被稱為是聲音最理想的放大線路設計。但這種設計有利有弊,A類功放最大的...
場效應管是一種電壓控制器件,只依靠一種載流子參與導電,故又稱為單極型電晶體。與雙極型晶體三極體相比,它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強、功耗小、製造工藝簡單和便於集成化等優點。場效應管有兩大類,結型場...
在功放的前級放大部分採用電子管放大聲音信號,能夠使輸入的聲音信號具有良好的聲音表現和高動態範圍,具有音色自然、逼真的特點,而在後級功率放大部分採用電晶體放大則能夠保證輸出的聲音信號的速度和功率,這種設計能夠集兩种放大技術的優點...
氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶片設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件,這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。新型半導體材料在工業方面的套用越來越多。新型半導體材料表現為其...
優點:耦合電容的隔直通交作用,使兩級Q相互獨立,給設計和調試帶來了方便 缺點:低頻特性差,不能放大變化緩慢的信號;在積體電路中製造大容量的電容很困難,因此阻容耦合方式不便於集成化。變壓器耦 放大電路的前級輸出端通過變壓器接到...
所以A類機的體積和重量都比AB類大,這讓製造成本增加,售價也較貴。一般而言,A類功放的售價約為同等功率AB類功放機的兩倍或更多。2、B類功放(乙類功放) B類功放放大的工作方式是當無訊號輸入時,輸出電晶體不導電,所以不消耗功率...