《IGBT器件物理、設計與套用》是2018年機械工業出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名:IGBT器件物理、設計與套用
- 出版時間:2018年5月1日
- 出版社:機械工業出版社
- ISBN:9787111590378
《IGBT器件物理、設計與套用》是2018年機械工業出版社出版的圖書。
《IGBT器件物理、設計與套用》是2018年機械工業出版社出版的圖書。內容簡介《IGBT器件:物理、設計與套用》從IGBT發明開始,介紹了IGBT的模型和基本工作原理、各種元胞結構、設計與製造工藝、封裝與驅動、安全工作區...
IGBT非常適合套用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 發展歷史 播報 編輯 1979年,MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類晶閘管的結構(P-...
《IGBT逆變電源的設計與套用》是2012年出版的圖書,作者是賈德利。內容簡介 《高等學校"十二五"重點規劃教材·信息與自動化系列:IGBT逆變電源的設計與套用》闡述了IGBT逆變電源的設計方法與套用案例,內容包括該領域最重要的基礎理論以及最新...
對新的IGBT技術也進行了介紹。本書*後介紹了IGBT在電動機驅動,汽車點火控制、電源、焊接、感應加熱等領域中的套用情況。本書涵蓋內容廣泛,講述由淺入深。在各章中提供了大量實例以及附加問題,更加適合課堂教學,同時,每章後給出的...
IGBT功率模組是以絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)構成的功率模組。由於IGBT模組為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛套用於伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。技術特點 IGBT功率模組是電壓型控制...
《絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)設計與工藝》是2018年機械工業出版社出版的圖書,作者是趙善麒。內容簡介 IGBT是新型高頻電力電子技術的CPU,是目前國家重點支持的核心器件,被廣泛套用於國民經濟的各個領域。本書共分10章,包括器件結構和...
本書內容包括認識IGBT、實踐入門、IGBT技術參數詳解、基本電路、簡單設計、範例電路等。作者根據自己的從業經驗,試圖從套用的角度告訴讀者:撇開晶片級的IGBT製造理論和電路設計理論,IGBT用起來並不難。因此本書對於業餘愛好者、即將就業的...
在此基礎上,探討了IGBT的封裝技術。本書還討論了IGBT電氣特性和熱問題,分析了IGBT的特殊套用和並聯驅動技術。這些分析還包括了IGBT的實際開關行為特性、電路布局、套用實例以及設計規則。圖書目錄 譯者序 序 前言 第1章功率半導體1 1.1...
2.8 IGBT等半導體功率器件的套用 2.9 小結 參考文獻 第3章 IGBT的工作機理分析 3.1 引言 3.2 IGBT的基本結構及輸出,I-V特性 3.3 IGBT工作機理的數值分析 3.4IGBT重要電性能參數的分析和最佳化設計 3.5 小結 參考文獻 ...
功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術的基礎,也是構成電力電子變換裝置的核心器件。《功率半導體器件與套用》基於前兩章的半導體物理基礎,詳細介紹了目前主要的幾類功率半導體器件,包括pin二極體、晶閘管、門極關斷晶閘管、門...
然後重點論述了PN結、雙極型電晶體、MOS場效應管和結型場效應管的各項性能指標參數及其與半導體材料參數、工藝參數和器件幾何結構參數的關係;最後簡要講述了功率MOSFET、IGBT和光電器件等其他常用半導體器件的原理及套用。
本項目作為一項SiC器件的套用基礎研究,符合當前節能減排、綠色地球的新能源發展戰略。本項目從器件物理的層面入手研究SiC IGBT器件的基礎問題,揭示其機理,為該類器件的發展提供理論和技術基礎,具有十分重要的科學價值和現實意義。
IGBT分離器件是一種電子設備,屬於雙極型的器件,阻斷電壓高,通態壓降低,電流容量大,但工作頻率低,使用大中容量變流設備。GBT 複合型器件,是GTR和MOS的混合也具有通態壓降低,電流容量大的優點,更具有,輸入阻抗高,回響速度快,...
本項目預期在特大容量IGBT器件的物理特性研究,建模方法,器件設計與製造等方面實現創新和突破,將單管IGBT的電流容量提高到現有國際水準的10-20倍,為IGBT從目前亞兆瓦級中小容量進入到兆瓦至百兆瓦級特大容量電力電子套用領域奠定基礎。結...
7.2 吸收電路關鍵參數設計及最佳化219 7.2.1 線性吸收電路的假設和定義219 7.2.2 線性吸收電路的參數最佳化和分析222 7.2.3 igbt吸收電路226 7.2.4 igct吸收電路229 7.3 電力半導體器件特性的相互影響範例分析232 7.3.1 基於...
9.3.3 器件仿真237 9.3.4 參數最佳化239 9.4 vdmosfet esd防護結構設計240 9.4.1 esd現象概述240 9.4.2 vdmosfet中的esd結構設計241 9.4.3 esd防護結構的參數仿真242 參考文獻248 第10章 igbt的設計及仿真驗證250 10.1 ...
本書儘量做到有針對性和實用性,力求做到通俗易懂和結合實際,使得從事半導體功率器件開發、設計和套用的人員從中獲益。讀者可以以此為“橋樑”,系統地了解和掌握MOSFET和IGBT的最新套用技術。參加本書編寫工作的有周志敏、紀愛華、周紀海、...
橫向結構IGBT與普通的縱向結構相比更適合當前半導體的平面製造工藝、更易於集成在矽基或者SOI基的功率積體電路中,可以廣泛套用於各種電力電子系統。電導調製效應使IGBT器件具有較低正向壓降的同時,漂移區非平衡電子空穴對的存儲也使其關斷...
上述器件雖然是將IGBT和FWD集成為一起,形成具有IGBT模組的單元性功能的器件。但該器件的結構是基於方形晶片來設計,在製造時,需要將晶圓切成多個方片,在各方片上集成IGBT和FWD,再將若干方片並聯壓接式封裝,形成完整實用的IGBT模組。...
器件介紹 絕緣柵雙極電晶體(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力電晶體(Giant Transistor—GTR)和電力場效應電晶體(Power MOSFET)的優點,具有良好的特性,套用領域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發射極。
這是我國國內首款自主研製可產業化的IGBT(盡緣柵雙極電晶體)產品,標誌著我國全國產化IGBT晶片產業化進程取得了重大突破,擁有了第一條專業的完整通過客戶產品設計驗證的IGBT工藝線。該科研成果主要面向家用電器套用領域,聯合江蘇矽萊克...
在ABB公司,他主要負責集成門極換流電晶體(IGCT)和絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)的設計和開發工作。從2000年1月開始,林德博士開始擔任ABB公司研發副總裁。圖書目錄 譯者序 原書前言 第1章 半導體物理基礎 第2章 pn結 第3章 pin...