《高效功率器件驅動與保護電路設計及套用實例》是2009年人民郵電出版社出版的圖書，作者是周志敏，紀愛華。
基本介紹
- 書名：高效功率器件驅動與保護電路設計及套用實例
- 作者：周志敏，紀愛華
- ISBN：9787115213174
- 定價：39.00元
- 出版社：人民郵電出版社
- 出版時間：2009-10-1
- 開本：16開
內容簡介,圖書目錄,前言,
內容簡介
本書結合國內外高效功率器件（以MOSFET和IGBT為主）的發展和最新套用技術，系統地講解了半導體功率器件基礎知識、高效功率器件驅動與保護電路、高效功率器件集成驅動電路、現代功率器件模組化技術、功率器件套用設計實例等內容。
本書內容新穎實用，文字通俗易懂，具有較高的實用價值，可供電信、信息、航天、軍事、工控、電氣傳動及家電等領域從事功率器件套用設計的工程技術人員閱讀，也可供高等院校相關專業的師生參考。
圖書目錄
第1章 半導體功率器件基礎知識
1.1 半導體功率器件
1.1.1 功率半導體技術的發展
1.1.2 功率半導體器件的發展趨勢
1.2 功率MOSFET
1.2.1 功率MOSFET的結構與工作原理
1.2.2 功率MOSFET的發展與研發
1.3 IGBT
1.3.1 IGBT的結構與工作原理
1.3.2 IGBT的基本特性
1.3.3 IGBT的鎖定效應和安全工作區
1.3.4 IGBT的主要參數
1.3.5 IGBT的技術發展趨勢
第2章 高效功率器件驅動與保護電路
2.1 功率MOSFET的驅動與保護技術
2.1.1 功率MOSFET的驅動技術
2.1.2 功率MOSFET的保護技術
2.2 IGBT的驅動技術
2.2.1 IGBT柵極驅動
2.2.2 IGBT驅動電路
2.3 IGBT的保護技術
2.3.1 IGBT的過壓保護
2.3.2 IGBT的過流保護
2.3.3 IGBT的短路保護
2.3.4 IGBT的過流保護方案設計
2.3.5 具有快速短路保護的中頻電源
第3章 高效功率器件集成驅動電路
3.1 MOSFET集成驅動器
3.1.1 FA5310/FA5311集成驅動器
3.1.2 STSR3同步整流驅動器
3.1.3 TEAl504電流模式的PWM驅動器
3.1.4 UCl864電流型驅動器
3.1.5 UC3825 PWM驅動器
3.1.6 UC3842電流型驅動器
3.1.7 UC3843集成驅動器
3.1.8 UC3846電流型驅動器
3.1.9 UCC39421/UCC39422多模高頻型驅動器
3.1.10 UCC3960初級啟動型驅動器
3.1.11 HL601A厚膜積體電路
3.1.12 TLP250集成驅動器
3.2 IGBT集成驅動器
3.2.1 M57957L/M57958L系列IGBT集成驅動器
3.2.2 IGBT模組專用驅動器M57962L
3.2.3 IGBT驅動模組M57962AL
3.2.4 SCALE系列集成驅動器
3.2.5 EXB系列集成驅動器
3.2.6 IGD系列IGBT智慧型柵極驅動模組
3.2.7 TX—KAl01系列驅動器
3.2.8 TX—KBl02系列驅動器
3.2.9 TX.KC102系列驅動器
3.2.10 TX.KD系列驅動器
第4章 現代功率器件模組化技術
4.1 功率模組
4.1.1 功率模組的構造
4.1.2 功率模組的性能
4.1.3 IGBT模組新技術
4.1.4 IGBT模組的最新發展
4.2 新型IGBT模組
4.2.1 IR系列IGBT模組
4.2.2 高壓IGBT模組
4.2.3 新一代的IGBT模組
4.2.4 集成IGBT變頻器模組
4.3 智慧型功率模組
4.3.1 IPM的特點與分類
……
第5章 功率器件套用設計實例
參考文獻
前言
半導體功率器件在現代電力電子技術中占據著重要的地位，它正向高頻化、大功率化、智慧型化和模組化方向發展，其中在模組化套用領域的研究更為廣泛和深入。自從將模組原理引入電力電子技術領域以來，已開發和生產出多種內部電路連線形式不同的電力半導體模組，諸如雙向晶閘管、MOSFET、IGBT和智慧型功率模組等，使得半導體功率器件模組化技術得以更快地發展。
20世紀80年代，以MOS結構為基礎的現代高效半導體器件的研發成功，奠定了半導體功率器件在現代電力電子技術中的地位。MOSFET和IGBT器件採用電壓型驅動方式，具有驅動功率小、開關速度快、飽和壓降低以及可耐高電壓、大電流等一系列套用上的優點，並可用積體電路實現驅動和控制，進而發展到集成MOSFET和IGBT晶片，快速二極體晶片，控制和驅動電路，過壓、過流、過熱和欠壓保護電路，鉗位電路以及自診斷電路等在同一絕緣外殼內的智慧型功率模組（Intelligent Power Module，IPM）。這為電力電子電源的高頻化、小型化、高可靠性和高性能奠定了器件基礎。
目前，半導體功率器件套用技術已經成為新世紀套用最廣泛和最受關注的技術之一，隨著新型半導體功率器件開發和套用技術的發展，它己成為一個涉及領域廣闊的學科，可以說凡是涉及電能套用的場合便有其用武之地。時至今日，它不僅已發展成為高科技的一個分支，而且還是許多高科技的支撐。
為此，本書結合國內外電力電子器件的發展方向，在簡要介紹MOSFET和IGBT結構與特性的基礎上，重點闡述了高效半導體功率器件的驅動、保護電路的設計及套用實例。本書儘量做到有針對性和實用性，力求做到通俗易懂和結合實際，使得從事半導體功率器件開發、設計和套用的人員從中獲益。讀者可以以此為“橋樑”，系統地了解和掌握MOSFET和IGBT的最新套用技術。
參加本書編寫工作的有周志敏、紀愛華、周紀海、劉建秀、顧發娥、紀達安、劉淑芬、紀和平等。本書寫作過程中，在資料收集和技術信息交流上都得到了國內外專業學者和半導體功率器件製造商的大力支持，在此表示衷心的感謝。
由於時間倉促，作者水平有限，書中難免有不足之處，敬請讀者批評指正。
