功率半導體器件與套用

功率半導體器件與套用

《功率半導體器件與套用》是2019年7月機械工業出版社出版的圖書,作者是史蒂芬·林德(Stefan、Linder)。

基本介紹

  • 中文名:功率半導體器件與套用
  • 作者:史蒂芬·林德(Stefan、Linder)
  • ISBN:9787111534570
  • 定價:59.0元
  • 出版社:機械工業出版社
  • 出版時間:2019年7月
  • 裝幀:平裝
  • 開本:16開
內容簡介,作者簡介,圖書目錄,

內容簡介

功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術的基礎,也是構成電力電子變換裝置的核心器件。《功率半導體器件與套用》基於前兩章的半導體物理基礎,詳細介紹了目前主要的幾類功率半導體器件,包括pin二極體、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應電晶體絕緣柵雙極型電晶體。作為基礎內容,《功率半導體器件與套用》詳細描述了上述器件的工作原理和特性。同時,作為長期從事新型功率半導體器件研發的國際知名專家,作者史蒂芬·林德(Stefan Linder)還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析,力圖全面反映功率半導體器件的套用現狀和發展趨勢。《功率半導體器件與套用》既可以作為電氣工程專業、自動化專業本科生和研究生的教學用書,也可作為電力電子領域工程技術人員的參考用書。

作者簡介

肖曦,男,1973年5月生。1990年由國家教委公派至前蘇聯加里寧工學院學習,分別於1995、1997、2000年獲學士、碩士、博士學位,2001年回國進入清華大學電機系博士後流動站工作,2003年出站留校工作至今,其間於2004年由科技部資助赴法國土魯斯理工大學進行合作研究。現任清華大學電機系副教授、電力電子與電機系統研究所所長。主要從事電力電子與電氣傳動方面的教學科研工作。發表學術論文30餘篇,主持國家自然科學基金、“863”計畫等科研項目十餘項,曾獲北京市科技進步三等獎和北京市高校青年教師教學基本功比賽二等獎。

圖書目錄

譯者序
原書前言
第1章半導體物理基礎1
1.1矽的結構和特性1
1.2電荷遷移11
1.3載流子注入17
1.4電荷載流子的激發和複合17
1.5連續性方程24
1.6泊松方程25
1.7強場效應26
第2章pn結29
2.1pn結的內建電壓29
2.2耗盡層(空間電荷區)32
2.3pn結的伏安特性34
2.4射極效率40
2.5實際的pn結42
第3章pin二極體50
3.1高壓二極體的基本結構50
3.2pin二極體的導通狀態51
3.3pin二極體的動態工況59
3.4 二極體反向恢復的瞬變過程67
3.5二極體工作條件的限制70
3.6現代pin二極體的設計72
第4章雙極型電晶體77
4.1雙極型電晶體的結構77
4.2雙極型電晶體的電流增益78
4.3雙極型電晶體的電流擊穿83
4.4正嚮導通壓降85
4.5基極推出(“柯克”效應)85
4.6二次擊穿87
第5章晶閘管89
5.1晶閘管的結構和工作原理89
5.2觸發條件91
5.3靜態伏安特性91
5.4正向阻斷模式和亞穩態區域92
5.5晶閘管擎住狀態95
5.6反向阻斷狀態下的晶閘管98
5.7開通特性100
5.8關斷特性106
第6章門極關斷(GTO)晶閘管與門極換流晶閘管(GCT)/
集成門極換流晶閘管(IGCT)1106.1GTO晶閘管110
6.2GCT125
第7章功率MOSFET130
7.1場效應電晶體基本理論130
7.2場效應電晶體的I(V)特性136
7.4功率場效應電晶體的開關特性148
7.5雪崩效應153
7.6源極漏極二極體(體二極體)155
第8章IGBT156
8.1IGBT的結構和工作原理156
8.2IGBT的I(V)特性158
8.3IGBT的開關特性162
8.4短路特性168
8.5IGBT的強度168
8.6IGBT損耗的折中方案171
附錄176
附錄A符號表176
附錄B常數177
附錄C單位177
附錄D單位詞頭(十進倍數和分數單位詞頭)178
附錄E書寫約定178
附錄F電氣工程中的電路圖形符號179
附錄G300K時的物質特性180
附錄H縮略語180
參考文獻181

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