2021年12月16日,意法半導體(ST)宣布推出新系列產品 —— 氮化鎵(GaN)功率半導體。
基本介紹
- 中文名:氮化鎵(GaN)功率半導體
- 推出時間:2021年12月16日
2021年12月16日,意法半導體(ST)宣布推出新系列產品 —— 氮化鎵(GaN)功率半導體。
2021年12月16日,意法半導體(ST)宣布推出新系列產品 —— 氮化鎵(GaN)功率半導體。產品簡介 該系列產品屬於意法半導體的 STPOWER 產品組合,能夠顯著降低各種電子產品的能耗和尺寸。氮化鎵是一種寬頻隙複合半導體材料。據第三方測算,...
GaN即氮化鎵,屬第三代半導體材料,六角纖鋅礦結構。GaN 具有禁頻寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸鹼、高強度和高硬度等特性,是現在世界上人們最感興趣的半導體材料之一。gan 基材料在高亮度藍、綠、紫和白光二極體,藍、紫色...
氮化鎵是一種直接帶隙寬禁帶半導體材料,禁頻寬度為3.4eV。GaN材料化學件質穩定,在室溫下不溶於水、酸、鹼;質地帶硬,熔點非常高(250(rC)。GaN材料製作的藍光、綠光LED以及雷射二極體(Laser Diode, LD)早已實現了產業化生產,以其體積...
二十一世紀以來,以氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導體材料開始初露頭角。材料特點 第三代半導體材料具有更寬的禁頻寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。應...
簡介 氮化鎵功率晶片企業納微半導體宣布推出全新一代採用GaNSense技術的智慧型GaNFast氮化鎵功率晶片。該公司是全世界第一家,也是唯一一家將氮化鎵器件和驅動、控制和保護集成在一起,使其成為一個易用的積體電路晶片(IC)的公司。
由氮化銦(InN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)及其合金組成的Ill族氮化物(又稱GaN基)半導體是最重要的一類寬禁帶半導體。其主要套用領域包括:(1)照明領域:當前在國內外非常受人矚目的半導體照明是一種新型的高效、節能和環保光源,它將...
氮化鎵(GaN、Gallium nitride)是氮和鎵的化合物,是一種III族和V族的直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、...
《高性能AlGaN/GaN複合陽極場控功率整流器新結構及模型》是依託電子科技大學,由陳萬軍擔任醒目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 氮化鎵(GaN)電子器件是國際半導體領域研究熱點和戰略制高點之一。本申請提出一種具有複合陽極的AlGaN/GaN場...
《GaN基垂直腔面發射雷射器基礎研究》是依託廈門大學,由張保平擔任項目負責人的聯合基金項目。項目摘要 氮化鎵(GaN)基半導體垂直腔面發射雷射器(VCSEL)在雷射顯示、列印、生物醫療、照明、通信以及高密度光存儲等領域有著重要套用,但其...
《新型InAlN/GaN異質結功率器件新結構與模型》是依託電子科技大學,由周琦擔任醒目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 新型氮化鎵(GaN)異質結材料及其器件技術是GaN半導體研究領域的熱點和前沿課題之一。本申請針對新型GaN異質結-InAlN/GaN...
《氮化鎵功率電晶體——器件、電路與套用(原書第2版)》是2018年機械工業出版社出版的圖書,作者是亞歷克斯.利多。內容簡介 《氮化鎵功率電晶體——器件、電路與套用》(原書第2版)共包括11章:第1章概述了氮化鎵(GaN)技術;第2章...
GaN基寬禁帶半導體異質結構具有很高的套用價值,是發展高頻、高功率電子器件*優選的半導體材料。本書基於國內外GaN基電子材料和器件的發展現狀和趨勢,從晶體結構、能帶結構、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件研製等方面詳細論述...
研究氮化鎵襯底以及同質外延技術為主,提高LED照明的亮度、功率,以實現高亮度大功率LED照明。項目將基於氮化鎵GaN的HVPE(氫化物氣相外延)和MOCVD(金屬有機化學氣相沉積)生長技術,結合微區雷射剝離技術,在第三代半導體襯底材料的生長、...
《常關型寬禁帶氮化鎵MOS場效應電晶體的研究》是依託中山大學,由劉揚擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 第三代半導體材料GaN具有寬禁帶、高擊穿臨界電場強度、高飽和電子漂移速度等特點,與傳統Si材料相比,更加適合於製作高功率大容量、...
本書調研了主要科技已開發國家制定的第三代半導體材料相關科技政策;對以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表的關鍵材料領域開展研發技術專利、相關行業產業化套用及市場調研和分析;嵌入機器學習方法,...
《GaN核探測器輻照損傷機制研究》是依託西安電子科技大學,由呂玲擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 寬禁帶半導體氮化鎵(GaN)因其良好的物理和化學特性,以及優異的抗輻照性能,成為新一代室溫核半導體探測器製備領域的熱門材料,...
以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎,其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中,藍色發光二極體LED率先實現商品化生產成功開發藍光LED和LD之後,科研方向轉移到GaN紫外光探測器...
寬禁帶半導體是近年來國內外重點研究和發展的新型第三代半導體材料,其代表材料包括碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體,具有禁頻寬度大、導熱性能好、電子飽和漂移速度高以及化學穩定性優等特點,用於耐高溫、高效能的高頻大功率器件以及工作...
《核分析技術在新型光電材料III族氮化物研究中的新套用》是依託北京大學,由姚淑德擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 氮化鎵(GaN)及其三元合金半導體是近些年迅速發展的新型光電材料,正廣泛套用在全波段發光器件、短波長雷射器及紫外探測器...
該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多 學科為一體,是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備,主要用於gan(氮化鎵)系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發光 二極體晶片的...
周琦長期從事寬禁帶氮化鎵(GaN)功率半導體器件理論模型、結構設計、器件製備技術、可靠性與積體電路的研究。教育、工作經歷 2004年6月,周琦獲得西安電子科技大學電磁場與微波專業學士學位。2007年4月,獲得西安電子科技大學電子工程專業碩士...
2001年在國際著名異質材料外延技術先端研發機構--日本名古屋工業大學從事氮化鎵(GaN)材料和器件研究工作,期間被聘為日本學術振興會(JSPS)外國人特別研究員。2007年歸國,以“百人計畫”教授身份加盟中山大學,負責組建國內首家GaN功率電子材料...
主要研究領域為第三代寬禁帶半導體氮化鎵(GaN)微波毫米波功率器件、新型GaN電力電子器件以及功率集成技術研究、SiC高溫壓力感測器等。作為項目負責人主持或主研科研項目包括國家重大基礎研究項目(軍口973)子專題2項、國防預研和共性型號項目...