《核分析技術在新型光電材料III族氮化物研究中的新套用》是依託北京大學，由姚淑德擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：核分析技術在新型光電材料III族氮化物研究中的新套用
- 依託單位：北京大學
- 項目負責人：姚淑德
- 項目類別：面上項目
- 負責人職稱：教授
- 批准號：10375004
- 申請代碼：A30
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：31（萬元）
項目摘要
氮化鎵(GaN)及其三元合金半導體是近些年迅速發展的新型光電材料，正廣泛套用在全波段發光器件、短波長雷射器及紫外探測器等領域，但對其結構特徵及物理性質的研究很不充分：GaN和襯底之間晶格失配引起很大的應力和高密度位錯，這種彈性應變影響材料的禁頻寬度和發光效率，但是如何影響沒有明確的解釋；金屬有機化學氣相沉積生長過程中，總伴隨有H、C和O等輕元素雜質，嚴重影響材料的電學性質，對這些雜質缺乏特殊的探測和定量的描述；稀土離子對鎵替位的有效摻雜是實現全色顯示的一個新途徑，這需要對稀土離子的晶格位置進行準確的描述。離子束分析技術在上述這些方面具有獨特的優勢。利用盧瑟福背散射/溝道技術，結合高分辨X射線衍射可定量地研究外延膜的應變及稀土離子的替位率；利用核反應分析、質子激發X射線可精確測量H、C、O和其他微量雜質的含量及分布，核分析技術將推動對GaN基材料的深入研究和套用。
