氮化鎵功率電晶體——器件、電路與套用（原書第2版）

內容簡介

《氮化鎵功率電晶體——器件、電路與套用》（原書第2版）共包括11章：第1章概述了氮化鎵(GaN)技術；第2章介紹了GaN電晶體的器件物理；第3章介紹了GaN電晶體的驅動；第4章介紹了GaN電晶體電路的版圖設計；第5章討論了GaN電晶體的建模和測量；第6章詳細介紹了硬開關技術；第7章詳細介紹了軟開關技術和變換器；第8章介紹了GaN電晶體射頻特性；第9章討論了GaN電晶體的空間套用；第10章列舉了GaN電晶體的套用實例；第11章分析了GaN電晶體替代矽功率電晶體的原因。

作者簡介

段寶興，1977年生，男，陝西大荔縣人，博士，教授，博士生導師。主要從事半導體功率器件及集成關鍵技術研究。首次在國際上提出了設計新型功率器件的襯底終端技術、電場調製技術和體電場降低等新型終端技術；提出的完全3-D RESURF終端技術可以使橫向功率器件獲得超低的功率損耗；提出的新型異質結功率器件將傳統矽材料與寬頻隙半導體材料有機結合；與合作者提出的SOI 高壓器件介質場增強ENDILF技術成功解決了器件縱向耐壓受限問題。先後在國內外重要期刊上發表論文60餘篇，其中50餘篇次被SCI、EI檢索，翻譯出版專著2部。楊銀堂，1962年生，男，河北邯鄲市人，博士，教授，博士生導師，畢業於西安電子科技大學半導體專業。曾先後擔任該校微電子研究所所長、技術物理學院副院長、微電子學院院長、發展規劃處處長兼“211工程”辦公室主任、校長助理、副校長，兼任裝備發展部軍用電子元器件專家組副組長，獲國家科技進步二等獎、國家自然科學基金傑出青年基金、教育部跨世紀優秀人才、全國模範教師和中國青年科技獎等榮譽，入選國家“百千萬人才工程”。先後在國際、國內重要期刊上發表論文200餘篇，出版專著4部。

圖書目錄

譯者序

前言

致謝

作者簡介

譯者簡介

第1章 GaN技術概述

11.1矽功率MOSFET （1976～2010）1

1.2GaN基功率器件2

1.3GaN材料特性2

1.3.1禁頻寬度（Eg）3

1.3.2臨界擊穿電場（Ecrit）3

1.3.3導通電阻（RDS(on)）4

1.3.4二維電子氣（2DEG）4

1.4GaN電晶體的基本結構6

1.4.1凹槽柵增強型結構 7

1.4.2注入柵增強型結構7

1.4.3p型GaN柵增強型結構8

1.4.4共源共柵混合增強型結構 8

1.4.5GaN HEMT電晶體反嚮導通9

1.5GaN電晶體的製備10

1.5.1襯底材料的選擇10

1.5.2異質外延技術10

氮化鎵功率電晶體——器件、電路與套用（原書第2版）

基本介紹

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