《功率半導體器件——理論及套用》是2005年5月化學工業出版社出版的圖書,作者是[捷克]維捷斯拉夫·本達、[英國]約翰·戈沃、[英國]鄧肯A.格蘭物。
基本介紹
- 中文名:功率半導體器件——理論及套用
- 作者:維捷斯拉夫·本達、約翰·戈沃、鄧肯A.格蘭物
- 類別:電子技術
- 出版社:化學工業出版社
- 出版時間:2005年5月
- 頁數:368 頁
- 開本:16 開
- ISBN:7-5025-6802-6
《功率半導體器件——理論及套用》是2005年5月化學工業出版社出版的圖書,作者是[捷克]維捷斯拉夫·本達、[英國]約翰·戈沃、[英國]鄧肯A.格蘭物。
《功率半導體器件——理論及套用》是2005年5月化學工業出版社出版的圖書,作者是[捷克]維捷斯拉夫·本達、[英國]約翰·戈沃、[英國]鄧肯A.格蘭物。內容簡介本書較全面地講述了現有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、...
《功率半導體器件與套用》是2019年7月機械工業出版社出版的圖書,作者是史蒂芬·林德(Stefan、Linder)。 內容簡介 功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術的基礎,也是構成電力電子變換裝置的核心器件。《功率半導體器件與套用...
微波半導體 器件由於性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性,在防空反導、電子戰等系統中已得到廣泛的套用 。分類 晶體二極體 晶體二極體的基本結構是由一塊 P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個 PN結。在PN結的交界面處,...
《功率半導體》是2009年02月機械工業出版社出版的圖書,作者是(瑞士)林德。《功率半導體 器件 與套用》基於前兩章的半導體物理基礎,詳細介紹了最主要的幾類功率半導體器件,包括pin二極體、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場...
半導體三極體,是內部含有兩個PN結,外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用,套用十分廣泛。輸入級和輸出級都採用電晶體的邏輯電路,叫做電晶體-電晶體邏輯電路,書刊和實用中都簡稱為TTL電路,它屬於半導體集成...
器件簡介 20世紀50年代,電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發展起來的晶閘管,因其工作可靠、壽命長、體積小、開關速度快,而在電力電子電路中得到廣泛套用。70年代初期,已逐步取代了汞弧閘流管。80年代,普通晶閘管...
功率半導體器件——原理、特性和可靠性(原書第2版)目錄第4章功率器件工藝的介紹119 41晶體生長119 42通過中子嬗變來調節晶片的摻雜120 43外延生長122 44擴散124 441擴散理論,雜質分布124 442摻雜物的擴散係數...
《電力半導體器件原理與套用》力求從電力半導體器件套用的角度來詮釋和分析其基本原理和套用特性。全書共分為8章,第1章主要闡述電力半導體器件的基本功能和用途;第2章介紹半導體器件物理基礎,包括半導體與導體、絕緣體,原子中的電子能級,...
《車用功率半導體器件設計與套用》是2023年科學出版社出版的圖書。 內容簡介 《車用功率半導體器件設計與套用》使用大量圖表,通俗易懂地講解功率器件的運行和設計技術,其中,第1章概述功率器件在電路運行中的作用以及功率器件的種類,同時...
氮化鎵是一種寬頻隙複合半導體材料。據第三方測算,在使用 GaN 器件後,標準手機充電器最多可瘦身 40%,或者在相同尺寸條件下輸出更大的功率,適用於消費、工業、汽車等各種電子產品。意法半導體表示,該系列的目標套用包括消費類電子產品...
·半導體材料和PN結 ·二極體及二極體套用電路 ·場效應電晶體及基本場效應品體管線性放大電路 ·雙極型電晶體及基本雙極型電晶體線性放大電路 ·電路的頻率特性 ·輸出級電路和功率放大器電路 《電子電路分析與設計:半導體器件及其基本套用...
IGBT場效應半導體功率器件導論這本書以新一代半導體功率器件IGBT為主線,系統地論述了場效應半導體功率器件的基礎理論和工藝製作方面的知識,內容包括器件的原理、模型、設計、製作工藝及套用等,重點討論IGBT,同時對其他器件如VDMOS、CoolMOS...
《功率半導體器件基礎》系統介紹了電力電子領域廣泛套用的各類功率半導體器件。由淺入深地介紹了器件的基本結構、物理機理、設計原則及套用可靠性,內容以矽功率半導體器件為主,同時也涵蓋了新興的碳化矽功率器件。全書首先從基本半導體理論開始...
由於這些優點,半導體二極體雷射器在雷射通信、光存儲、光陀螺、雷射列印、測距以及雷達等方面得到了廣泛的套用。儀器簡介 半導體雷射器是以一定的半導體材料做工作物質而產生雷射的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式,在半導體物質的能帶...
《功率半導體器件及其仿真技術》是2016年冶金工業出版社出版的圖書,作者是陸曉東。內容簡介 全書共分為五個部分,即功率半導體器件的套用及發展水平、功率半導體器件的工作原理、功率半導體器件的加工工藝和功率半導體器件經驗公式法設計、商用...
4.5.1 氮化鎵大功率微波器件 4.5.2 其他氮化鎵電力電子器件 4.5.3 金剛石電力電子器件 4.6 寬禁帶半導體功率模組 參考文獻 第5章 寬禁帶半導體電力電子器件的套用 5.1 在開關電源功率因數校正器上的典型套用 5.1.1 開關電源...
然後重點論述了PN結、雙極型電晶體、MOS場效應管和結型場效應管的各項性能指標參數及其與半導體材料參數、工藝參數和器件幾何結構參數的關係;最後簡要講述了功率MOSFET、IGBT和光電器件等其他常用半導體器件的原理及套用。
生長出厚度為50μm、基平面位錯缺陷密度小於10/cm2的高質量厚外延材料。 本項目獲得的理論成果對寬禁帶半導體器件可靠性研究具有廣泛地指導作用,所開發的器件新結構和新技術對功率半導體器件可靠性加固具有重要的借鑑意義。
肖克利在1950年出版的《半導體中的電子和空穴》中詳盡地討論了結型電晶體的原理,與約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓共同發明的點接觸型電晶體所採用的不同的理論。製造工藝 PN結是構成各種半導體器件的基礎。製造PN結的方法有:(1)合金法:...
由於碳化矽熱導性高、崩潰電場強度高,以及擁有最高電流密度,有人嘗試將其用作替代矽的材料,特別是在半導體高功率元件的套用中。此外,碳化矽與微波輻射有很強的耦合作用,並且由於其具有高升華點,使其可套用於加熱金屬。純碳化矽是無...