《整晶圓特大容量IGBT器件研究》是依託湖南大學，由沈征擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：整晶圓特大容量IGBT器件研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：沈征
- 依託單位：湖南大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
本項目以突破IGBT器件在特大容量電力電子套用領域的技術瓶頸為目標，在世界上首次提出整晶圓特大容量IGBT器件概念, 並通過對IGBT物理系統的多層次多範疇的建模研究，提出創新性的器件冗餘設計製造思想，實現超大數量器件單元在單個晶圓上的無瑕疵電學並聯。此外本項目擬研究基於增強電導調製效應的新型IGBT器件單元結構設計與最佳化等問題，為進一步降低IGBT的導通能耗奠定理論和技術基礎；開發整晶圓特大電流容量IGBT的製造工藝並實現晶圓點針檢測及雷射修復等器件冗餘製造方法；研究適用於整晶圓IGBT的平板全壓接雙面散熱封裝方法。本項目預期在特大容量IGBT器件的物理特性研究，建模方法，器件設計與製造等方面實現創新和突破，將單管IGBT的電流容量提高到現有國際水準的10-20倍，為IGBT從目前亞兆瓦級中小容量進入到兆瓦至百兆瓦級特大容量電力電子套用領域奠定基礎。
結題摘要
本項目以突破IGBT 器件在特大容量電力電子套用領域的技術瓶頸為目標，在世界上首次提出整晶圓特大容量IGBT 器件概念, 並通過對IGBT 物理系統的多層次多範疇的建模研究，提出創新性的器件冗餘設計製造思想，實現超大數量器件單元在單個晶圓上的無瑕疵電學並聯。此外,本項目擬研究基於增強電導調製效應的新型IGBT 器件單元結構設計與最佳化等問題，為進一步降低IGBT 的導通能耗奠定理論和技術基礎；開發整晶圓特大電流容量IGBT 的製造工藝並實現晶圓點針檢測及雷射修復等器件冗餘製造方法；研究適用於整晶圓IGBT 的平板全壓接雙面散熱封裝方法。本項目預期在特大容量IGBT 器件的物理特性研究，建模方法，器件設計與製造等方面實現創新和突破，將單管IGBT 的電流容量提高到現有國際水準的10-20 倍，為IGBT 從目前亞兆瓦級中小容量進入到兆瓦至百兆瓦級特大容量電力電子套用領域奠定基礎。
