蔣夢軒，男，博士，重慶大學電氣工程學院講師、博士生導師。 從事新型矽基、寬禁帶電力電子器件，電力電子器件的封裝與模組以及電力電子裝置套用研究，套用領域包括新能源發電、輸變電、電能質量，軌道交通、冶金化工、新能源汽車、工業電機節能和國防等。
近幾年來，發明了國際領先的高壓大功率高速、高電流密度和高可靠性IGBT以及二極體、晶閘管等新型電力電子器件，並獲多項發明專利；發表了國際頂級、國際權威、國際高水平期刊和會議論文十餘篇；主持國家自然科學基金項目1項、中央高校基本科研業務費專項2項，參與國家重點研發計畫、863計畫、國家國際科技合作專項、國家自然科學基金等多項。
基本介紹
- 中文名：蔣夢軒
- 畢業院校：湖南大學
- 學位/學歷：博士
- 專業方向：矽基、寬禁帶電力電子器件及其電力電子裝置套用
- 職務：重慶大學電氣工程學院博士生導師
- 職稱：講師
人物經歷,研究領域,學術成果,研究項目,部分論文,
人物經歷
2014年國家公派聯合培養博士（美國伊利諾伊理工大學），2016年獲湖南大學電氣工程博士學位，現為重慶大學電氣工程學院教師。
研究領域
1、矽基、寬禁帶電力電子器件及其可靠性
2、電力電子變流器及裝置套用
學術成果
研究項目
1、國家自然科學青年基金，新型高壓大功率碳化矽肖特基勢壘IGBT的載流子輸運與調控機理研究，2018/1-2020/12，主持；
2、中央高校基本科研業務費專項，新型大功率直流供電用AC/DC變流器的研究，主持；
3、中央高校基本科研業務費專項，寬禁帶電力電子器件的電磁輸運機理與調控方法研究，主持；
4、國家863項目，新型超大功率場控電力電子器件的研製及其套用，參與；
5、國家國際科技合作專項，超大功率電力電子器件及系統關鍵技術研究，參與；
6、國家自科基金，整晶圓特大容量IGBT器件研究，參與；
7、國家自科基金，新型電能質量調節與故障限流複合系統關鍵技術研究，參與；
8、國家自科基金，智慧型電網中寬頻域諧波及其諧振問題與對策研究，參與。
部分論文
[1]Mengxuan Jiang, Shen, Z. J., Simulation Study of An Injection Enhanced Insulated Gate Bipolar Transistor with P-Base Schottky Contact, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(5):1991-1995
[2]Mengxuan Jiang, Xin Yin, Zhikang Shuai, Jun Wang, Shen, Z. J. An Insulated Gate Bipolar Transistor With a Collector Trench Electron Extraction Channel, IEEE Electron Device Letter, 2015, 36(9):935 -937
[3]Mengxuan Jiang, Z. J. Shen, J. Wang, Z. Shuai, X. Yin. Simulation Study of An Insulated Gate Bipolar Transistor with Pinched-off N-type Pillar, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2016, 4(3):144-148
[4]Zhenyu Miao, Gourab Sabui, Aozhu Chen, Yan Li, Z. John Shen, Jun Wang, Zhikang Shuai, An Luo, Xin Yin, Mengxuan Jiang. A self-powered ultra-fast DC solid state circuit breaker using a normally-on SiC JFET, 2015 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Charlotte, NC, 2015: 767-773
[5]Jiang Mengxuan, Z. John Shen, Wang Jun, Shuai Zhikang, Yin Xin, Sun Bingbing, Liao Linyuan. An Insulated Gate Bipolar Transistor with Surface N-type Barrier, Journal of Semiconductor, 2015, 36(12):124004.1-124004.6
[6]Jiang Mengxuan, Z. John Shen. A High-Conductivity Insulated Gate Bipolar Transistor with Schottky Hole Barrier Contact, Journal of Semiconductor, 2016, 37(2): 100002.1-100002.5
