《微電子器件基礎》是2005年湖南大學出版社出版的圖書，作者是曾雲。
基本介紹
- 書名：微電子器件基礎
- 作者：曾雲
- ISBN：978-7-81053-999-9
- 定價：￥20.00
- 出版社：湖南大學出版社
- 出版時間：2005年12月
- 開本：32開
- 版次：1版1次
- 叢書名：高等院校電氣信息類系列教材
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書對雙極型電晶體、金屬一氧化物一半導體場效應管和一些其他器件的結構、原理、特性和參數，在巨觀和微觀、定性和定量上進行詳細討論，分析器件內部載流子運動和電荷變化的規律，找出器件特性與結構、材料、工藝的關係，深入了解器件的本質，為微電子器件的研究、設計、製造和套用奠定理論基礎。
圖書目錄
第1章 PN結二極體
第1節 PN結雜質濃度分布
1 突變結
2 緩變結
第2節 平衡PN結
1 空間電荷區
2 能帶圖
3 接觸電勢差
4 載流子濃度
第3節 PN結空間電荷區電場和電位分布
1 突變結
2 線性緩變結
3 耗盡層近似討論
第4節 PN結勢壘電容
1 突變結勢壘電容
2 線性緩變結勢壘電容
第5節 PN結直流特性
1 PN結非平衡載流子注入
2 PN結反向抽取
3 準費米能級和載流子濃度
4 直流電流電壓方程
5 影響PN結直流特性的其他因素
6 溫度對PN結電流電壓的影響
第6節 PN結小信號交流特性與開關特性
1 小信號交流特性
2 開關特性
第7節 PN結擊穿特性
1 基本擊穿機構
2 雪崩擊穿電壓
3 影響雪崩擊穿電壓的因素
習題一
第2章 特殊二極體
第1節 變容二極體
1 PN結電容和變容二極體
2 電容電壓特性
3 變容二極體基本特性
4 特殊變容二極體
第2節 隧道二極體
1 隧道過程的定性分析
2 隧道幾率和隧道電流
3 等效電路及特性
4 反向二極體
第3節 雪崩二極體
1 崩越二極體工作原理
2 崩越二極體的特性
3 幾種崩越二極體
4 俘越二極體
5 勢越二極體
習題二
第3章 電晶體的直流特性
第1節 電晶體基本結構與放大機理
1 電晶體結構與雜質分布
2 電晶體放大機理
第2節 電晶體直流電流電壓方程
1 均勻基區電晶體
2 緩變基區電晶體
第3節 電晶體電流放大係數與特性曲線
1 電流放大係數
2 特性曲線
3 電流放大係數理論分析
4 影響電流放大係數的其他因素
第4節 電晶體反向電流與擊穿電壓
1 電晶體反向電流
2 電晶體擊穿電壓
第5節 電晶體基極電阻
1 梳狀電晶體基極電阻
2 圓形電晶體基極電阻
習題三
第4章 電晶體頻率特性與開關特性
第1節 電晶體頻率特性理論分析
1 電晶體頻率特性參數
2 共基極電流放大係數與截止頻率
3 共射極電流放大係數與頻率參數
第2節 電晶體高頻參數與等效電路
1 交流小信號電流電壓方程
2 電晶體y參數方程及其等效電路
3 電晶體^參數方程及其等效電路
4 電晶體高頻功率增益和最高振盪頻率
第3節 電晶體的開關過程
1 開關電晶體靜態特性
2 電晶體的開關過程
3 電晶體的開關參數
第4節 Ebers—Moll模型和電荷控制方程
1 Ebers—Moll模型及等效電路
2 電荷控制方程
第5節 電晶體開關時間
1 延遲時間
2 上升時間
3 存儲時間
4 下降時間
習題四
第5章 電晶體的功率特性
第1節 基區電導調製效應
1 注入對基區栽流子分布的影響
2 大注入對電流放大係數的影響
3 大注入對基區渡越時間的影響
4 大注入臨界電流密度
第2節 有效基區擴展效應
1 注入電流對集電結空間電荷區電場分布的影響
2 基區擴展
第3節 發射極電流集邊效應
1 基區橫向壓降
2 發射極有效條寬
3 發射極單位周長電流容量
4 發射極金屬條長
第4節 電晶體最大耗散功率
1 耗散功率和最高結溫
2 電晶體的熱阻
3 電晶體最大耗散功率
第5節 品體管二次擊穿和安全工作區
1 二次擊穿現象
2 二次擊穿的機理和防止二次擊穿的措施
3 電晶體的安全工作區(SOA)
習題五
第6章 晶閘管
第1節 晶閘管基本結構與工作原理
1 基本結構及靜態分析
2 工作原理
3 電流電壓特性
第2節 晶閘管導通特性
1 定性描述
2 導通特性曲線的不同區域
3 影響導通特性的其他因素
第3節 晶閘管阻斷能力
1 反向阻斷能力
2 正向阻斷能力
3 表面對阻斷能力的影響
第4節 晶閘管關斷特性
1 載流子存儲效應
2 改善關斷特性的措施
第5節 雙向晶閘管
1 二極晶閘管
2 控制極結構及觸發
習題六
第7章 MOS場效應電晶體
第l節MOSFET的結構、分類和特性曲線
1 MOSFET的結構
2 MOSFET的類型
3 MOSFEF的特性曲線
第2節 MOSFET的閾值電壓
1 閡值電壓的定義
2 理想MOSFET閡值電壓
3 MOSFET閾值電壓
第3節 MOSFET電流電壓特性
1 線性工作區電流電壓特性
2 飽和工作區電流電壓特性
3 擊穿區
4 亞閾值區的電流電壓關係
第4節 MOSFET的二級效應
1 遷移率變化效應
2 襯底偏置效應
3 體電荷變化效應
第5節 MOSFET的頻率特性
1 增量參數
2 小信號特性與等效電路
3 截止頻率
第6節 MOSFET的功率特性
1 MOSFET的極限參數
2 功率MOSFET的結構
第7節 MOSFET的溫度特性
1 溫度對載流子遷移率的影響
2 溫度對閾值電壓的影響
3 溫度對漏源電流的影響
4 溫度對跨導和漏導的影響
第8節 MOSFET的小尺寸特性
1 短溝道效應
2 窄溝道效應
3 等比例縮小規則
習題七
第8章 光電器件與電荷耦合器件
第1節 光電效應
1 半導體的光吸收
2 半導體光電效應
第2節 光電池
1 基本結構和主要參數
2 PN結光電池
3 異質結光電池
4 金屬一半導體結光電池
5 太陽能電池
第3節 光敏電晶體
1 光敏二極體
2 光敏三極體
3 光敏場效應管
4 光控可控矽
第4節 電荷耦合器件
1 工作原理
2 輸入與輸出
3 基本特性
4 CCD攝像器件
習題八
附錄
一、常用物理常數表
二、鍺、矽、砷化鎵、二氧化矽的重要性質(300K)
三、矽與幾種金屬的歐姆接觸係數RC
四、鍺、矽電阻率與雜質濃度的關係
五、遷移率與雜質濃度的關係
六、擴散結勢壘寬度和結電容曲線
參考文獻
第1節 PN結雜質濃度分布
1 突變結
2 緩變結
第2節 平衡PN結
1 空間電荷區
2 能帶圖
3 接觸電勢差
4 載流子濃度
第3節 PN結空間電荷區電場和電位分布
1 突變結
2 線性緩變結
3 耗盡層近似討論
第4節 PN結勢壘電容
1 突變結勢壘電容
2 線性緩變結勢壘電容
第5節 PN結直流特性
1 PN結非平衡載流子注入
2 PN結反向抽取
3 準費米能級和載流子濃度
4 直流電流電壓方程
5 影響PN結直流特性的其他因素
6 溫度對PN結電流電壓的影響
第6節 PN結小信號交流特性與開關特性
1 小信號交流特性
2 開關特性
第7節 PN結擊穿特性
1 基本擊穿機構
2 雪崩擊穿電壓
3 影響雪崩擊穿電壓的因素
習題一
第2章 特殊二極體
第1節 變容二極體
1 PN結電容和變容二極體
2 電容電壓特性
3 變容二極體基本特性
4 特殊變容二極體
第2節 隧道二極體
1 隧道過程的定性分析
2 隧道幾率和隧道電流
3 等效電路及特性
4 反向二極體
第3節 雪崩二極體
1 崩越二極體工作原理
2 崩越二極體的特性
3 幾種崩越二極體
4 俘越二極體
5 勢越二極體
習題二
第3章 電晶體的直流特性
第1節 電晶體基本結構與放大機理
1 電晶體結構與雜質分布
2 電晶體放大機理
第2節 電晶體直流電流電壓方程
1 均勻基區電晶體
2 緩變基區電晶體
第3節 電晶體電流放大係數與特性曲線
1 電流放大係數
2 特性曲線
3 電流放大係數理論分析
4 影響電流放大係數的其他因素
第4節 電晶體反向電流與擊穿電壓
1 電晶體反向電流
2 電晶體擊穿電壓
第5節 電晶體基極電阻
1 梳狀電晶體基極電阻
2 圓形電晶體基極電阻
習題三
第4章 電晶體頻率特性與開關特性
第1節 電晶體頻率特性理論分析
1 電晶體頻率特性參數
2 共基極電流放大係數與截止頻率
3 共射極電流放大係數與頻率參數
第2節 電晶體高頻參數與等效電路
1 交流小信號電流電壓方程
2 電晶體y參數方程及其等效電路
3 電晶體^參數方程及其等效電路
4 電晶體高頻功率增益和最高振盪頻率
第3節 電晶體的開關過程
1 開關電晶體靜態特性
2 電晶體的開關過程
3 電晶體的開關參數
第4節 Ebers—Moll模型和電荷控制方程
1 Ebers—Moll模型及等效電路
2 電荷控制方程
第5節 電晶體開關時間
1 延遲時間
2 上升時間
3 存儲時間
4 下降時間
習題四
第5章 電晶體的功率特性
第1節 基區電導調製效應
1 注入對基區栽流子分布的影響
2 大注入對電流放大係數的影響
3 大注入對基區渡越時間的影響
4 大注入臨界電流密度
第2節 有效基區擴展效應
1 注入電流對集電結空間電荷區電場分布的影響
2 基區擴展
第3節 發射極電流集邊效應
1 基區橫向壓降
2 發射極有效條寬
3 發射極單位周長電流容量
4 發射極金屬條長
第4節 電晶體最大耗散功率
1 耗散功率和最高結溫
2 電晶體的熱阻
3 電晶體最大耗散功率
第5節 品體管二次擊穿和安全工作區
1 二次擊穿現象
2 二次擊穿的機理和防止二次擊穿的措施
3 電晶體的安全工作區(SOA)
習題五
第6章 晶閘管
第1節 晶閘管基本結構與工作原理
1 基本結構及靜態分析
2 工作原理
3 電流電壓特性
第2節 晶閘管導通特性
1 定性描述
2 導通特性曲線的不同區域
3 影響導通特性的其他因素
第3節 晶閘管阻斷能力
1 反向阻斷能力
2 正向阻斷能力
3 表面對阻斷能力的影響
第4節 晶閘管關斷特性
1 載流子存儲效應
2 改善關斷特性的措施
第5節 雙向晶閘管
1 二極晶閘管
2 控制極結構及觸發
習題六
第7章 MOS場效應電晶體
第l節MOSFET的結構、分類和特性曲線
1 MOSFET的結構
2 MOSFET的類型
3 MOSFEF的特性曲線
第2節 MOSFET的閾值電壓
1 閡值電壓的定義
2 理想MOSFET閡值電壓
3 MOSFET閾值電壓
第3節 MOSFET電流電壓特性
1 線性工作區電流電壓特性
2 飽和工作區電流電壓特性
3 擊穿區
4 亞閾值區的電流電壓關係
第4節 MOSFET的二級效應
1 遷移率變化效應
2 襯底偏置效應
3 體電荷變化效應
第5節 MOSFET的頻率特性
1 增量參數
2 小信號特性與等效電路
3 截止頻率
第6節 MOSFET的功率特性
1 MOSFET的極限參數
2 功率MOSFET的結構
第7節 MOSFET的溫度特性
1 溫度對載流子遷移率的影響
2 溫度對閾值電壓的影響
3 溫度對漏源電流的影響
4 溫度對跨導和漏導的影響
第8節 MOSFET的小尺寸特性
1 短溝道效應
2 窄溝道效應
3 等比例縮小規則
習題七
第8章 光電器件與電荷耦合器件
第1節 光電效應
1 半導體的光吸收
2 半導體光電效應
第2節 光電池
1 基本結構和主要參數
2 PN結光電池
3 異質結光電池
4 金屬一半導體結光電池
5 太陽能電池
第3節 光敏電晶體
1 光敏二極體
2 光敏三極體
3 光敏場效應管
4 光控可控矽
第4節 電荷耦合器件
1 工作原理
2 輸入與輸出
3 基本特性
4 CCD攝像器件
習題八
附錄
一、常用物理常數表
二、鍺、矽、砷化鎵、二氧化矽的重要性質(300K)
三、矽與幾種金屬的歐姆接觸係數RC
四、鍺、矽電阻率與雜質濃度的關係
五、遷移率與雜質濃度的關係
六、擴散結勢壘寬度和結電容曲線
參考文獻
