《微波功率異質結電晶體(HBT)自加熱效應的補償技術研究》是依託北京工業大學，由張萬榮擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：微波功率異質結電晶體(HBT)自加熱效應的補償技術研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張萬榮
- 依託單位：北京工業大學
- 批准號：60376033
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：19（萬元）
項目摘要
隨器件尺寸的不斷縮小，隨現行SOI技術的不斷採用，介質在器件（深槽）隔離技術中的不斷套用，都使得熱阻不斷增加，器件本身自加熱（self-heating）和熱耦合效應對器件的影響越來越顯著。自加熱不但顯著地影響器件特性，而且引起器件熱不穩定、形成熱斑和導致熱燒毀，嚴重限制了器件高功率工作。本課題將從理論與實驗上全面研究HBT的自熱和熱耦合效應，研究補償自熱效應的措施，特別是通過器件本身設計（非均等的發射區條長、條間距的組合）和利用異質結（ΔEV）的特點來補償自熱和熱耦合效應的方法，最佳化鎮流電阻（減少電阻值或不用鎮流電阻），最大限度地發揮HBT高頻功率處理能力，提高器件特性的穩定性（減少特性漂移），本課題對設計和製造既有高功率、高功率增益和高集電極附加效率，又有高熱穩定性的微波功率HBT具有重要的理論和實際意義。
