基本介紹
- 中文名：輝光放電
- 外文名：glow discharge
- 定義：稀薄氣體中的自持放電現象
- 套用：氖穩壓管、氦氖雷射器等器件製造
物理原理,放電階段,發展歷史,放電研究,套用領域,
物理原理
輝光放電是種低氣壓放電(Low pressure discharge)現象,工作壓力一般都低於10 mbar,其基本構造是在封閉的容器內放置兩個平行的電極板,利用產生的電子將中性原子或分子激發,而被激發的粒子由激發態降回基態時會以光的形式釋放出能量。
放電階段
輝光放電有亞正常輝光和反常輝光兩個過渡階段，放電的整個通道由不同亮度的區間組成，即由陰極表面開始，依次為：①阿斯通暗區；②陰極光層；③陰極暗區(克魯克斯暗區)；④負輝光區；⑤法拉第暗區；⑥正柱區;⑦陽極暗區;⑧陽極光層。其中以負輝光區、法拉第暗區和正柱區為主體。這些光區是空間電離過程及電荷分布所造成的結果，與氣體類別、氣體壓力、電極材料等因素有關，這些都可以從放電理論上作出解釋。輝光放電時，在兩個電極附近聚集了較多的異號空間電荷，因而形成明顯的電位降落，分別稱為陰極壓降和陽極壓降。陰極壓降又是電極間電位降落的主要成分，在正常輝光放電時，兩極間的電壓不隨電流變化，即具有穩壓的特性。
輝光放電時，在放電管兩極電場的作用下，電子和正離子分別向陽極、陰極運動，並堆積在兩極附近形成空間電荷區。因正離子的漂移速度遠小於電子，故正離子空間電荷區的電荷密度比電子空間電荷區大得多，使得整個極間電壓幾乎全部集中在陰極附近的狹窄區域內。這是輝光放電的顯著特徵，而且在正常輝光放電時，兩極間電壓不隨電流變化。
簡單的輝光放電示意圖
簡單的輝光放電示意圖在陰極附近，二次電子發射產生的電子在較短距離內尚未得到足夠的能使氣體分子電離或激發的動能，所以緊接陰極的區域不發光。而在陰極輝區，電子已獲得足夠的能量碰撞氣體分子，使之電離或激發發光。其餘暗區和輝區的形成也主要取決於電子到達該區的動能以及氣體的壓強（電子與氣體分子的非彈性碰撞會失去動能）。
發展歷史
放電研究
大氣壓下輝光放電(APGD)
經過近20年的發展，低氣壓低溫電漿已取得了很大進展。但由於其運行需抽真空、設備投資大、操作複雜、不適於工業化連續生產，限制了它的廣泛套用。低氣壓下的輝光放電雖然可以處理這些材料，但存在成本、處理效率等問題，目前無法規模化套用於紡織品的表面處理。長期以來人們一直在努力實現大氣壓下的輝光放電(APGD)。
1933年德國Von Engel首次報導了研究結果 ，利用冷卻的裸電極在大氣壓氫氣和空氣中實現了輝光放電，但它很容易過渡到電弧，並且必須在低氣壓下點燃，即離不開真空系統。1988年，Kanazawa等人報導了在大氣壓下使用氦氣獲得了穩定的APGD的研究成果，並通過實驗總結出了產生APGD要滿足的三個條件：（1）激勵源頻率需在1kHz以上；（2）需要雙介質DBD；（3）必須使用氦氣氣體。此後，日本的Okazaki、法國的Massines和美國的Roth研究小組分別採用DBD的方法，用不同頻率的電源和介質，在一些氣體和氣體混合物中宣稱實現了大氣壓下“APGD”。1992年，Roth小組在5mm氦氣間隙實現了APGD，並聲稱在幾個毫米的空氣間隙中也實現了APGD, 主要的實驗條件為濕度低於15% 、氣體流速50l/min、頻率為3kHz的電源並且和負載阻抗匹配。他們認為“離子捕獲”是實現APGD的關鍵。Roth等人用離子捕獲原理解釋APGD，即當所用工作電壓頻率高到半個周期內可在極板之間捕獲正離子，又不高到使電子也被捕獲時，將在氣體間隙中留下空間電荷，它們影響下半個周期放電，使所需放電場強明顯降低，有利於產生均勻的APGD。他們在實驗室的一台氣體放電電漿實驗裝置中實現了Ar、He和空氣的“APGD”。1993年Okazaki小組利用金屬絲網（絲直徑0.035mm，325目）電極為PET膜（介質）、頻率為50Hz的電源，在1.5mm的氣體（氬氣、氮氣、空氣）間隙中做了大量的實驗，並宣稱實現了大氣壓輝光放電。根據電流脈衝個數及Lisajous圖形（X軸為外加電壓，Y軸為放電電荷量）的不同，他們提出了區分輝光放電和絲狀放電的方法，即若每個外加電壓半周期內僅1個電流脈衝，並且Lisajous圖形為兩條平行斜線，則為輝光放電。若半周期內多個電流脈衝，並且Lisajous圖形為斜平行四邊形，則為絲狀放電。法國的Massines小組、加拿大的Radu小組和俄羅斯的Golubovskii小組對APGD的形成機理也進行了比較深入的研究工作。Massines小組對氦氣和氮氣的APGD進行了實驗研究和數值模擬 ，除了測量外加電壓和放電電流之外，他們用曝光時間僅10ns的ICCD相機拍攝了時間分辨的放電圖像，用時空分辨的光譜測量記錄了放電電漿的發射光譜，並結合放電過程的一維數值模擬，他們認為，氮氣中的均勻放電仍屬於湯森放電，而氦氣中均勻放電才是真正意義上的輝光放電，或亞輝光放電。他們還認為，得到大氣壓下均勻放電的關鍵是在較低電場下緩慢發展大量的電子雪崩。因此，在放電開始前間隙中必須存在大量的種子電子，而長壽命的亞穩態及其彭寧電離可以提供這些種子電子。根據10ns暴光的ICCD拍攝的放電圖像，Radu小組發現，在大氣壓惰性氣體He、Ne、Ar、Krypton的DBD間隙中，可以實現輝光放電。
從上個世紀末，國內許多單位如科羅納實驗室、清華大學、大連理工大學、華北電力大學、西安交通大學、華中科技大學、中科院物理所、河北師範大學等先後開始了對APGD的研究。由於APGD在織物、鍍膜、環保、薄膜材料等技術里域有著誘人的工業化套用前景，在大氣壓下和空氣中實現輝光放電產生低溫電漿一直是國內外學者探尋的研究重點和熱點。2003年，國家自然科學基金委員會將“大氣壓輝光放電”列為國家重點研究項目。APGD的研究也取得了一些進展，如He、Ne、Ar、Krypton惰性氣體在大氣壓下基本實現了APGD，空氣也已經實現了用眼睛看上去比較均勻的準“APGD”。
目前，對APGD的研究結果和認識是仁者見仁，智者見智。APGD的研究方興未艾，已經受到國內外許多大學和研究機構的廣泛重視。由於大氣壓輝光放電目前還沒有一個認可標準，許多實驗所看到的放電現象和輝光放電很相似即出現視覺特徵上呈現均勻的“霧狀”放電，而看不到絲狀放電，但這种放電現象是否屬於輝光放電目前還沒有共識和定論。
次大氣壓下輝光放電(HAPGD)
由於大氣壓輝光放電技術目前雖有報導但技術還不成熟，沒有見到可用於工業生產的設備。而次大氣壓輝光放電技術則已經成熟並被套用於工業化的生產中。次大氣壓輝光放電可以處理各種材料，成本低、處理的時間短、加入各種氣體的氣氛含量高、功率密度大、處理效率高。可套用於表面聚合、表面接枝、金屬滲氮、冶金、表面催化、化學合成及各種粉、粒、片材料的表面改性和紡織品的表面處理。次大氣壓下輝光放電的視覺特徵呈現均勻的霧狀放電；放電時電極兩端的電壓低而功率密度大；處理紡織品和碳纖維等材料時不會出現擊穿和燃燒並且處理溫度接近室溫。次大氣壓輝光放電技術目前可用於低溫材料、生物材料、異型材料的表面親水處理和表面接枝、表面聚合、金屬滲氮、冶金、表面催化、化學合成等工藝。由於是在次大氣壓條件下的輝光放電，處理環境的氣氛濃度高，電子和離子的能量可達10eV以上。材料批處理的效率要高於低氣壓輝光放電10倍以上。 可處理金屬、非金屬、（碳）纖維、金屬纖維、微粒、粉末等。
套用領域
近年來，輝光放電在污水處理、滅菌消毒、聚合物材料表面改性、分析儀器離子源等方面也多有套用。
