二次電子：在入射電子束作用下被轟擊出來並離開樣品表面的樣品原子的核外電子叫做二次電子。二次電子一般都是在表層5~10nm深度範圍內發射出來的，它對樣品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效的顯示樣品的表面形貌。二次電子的能量較低，一般不超過50eV。大多數二次電子只帶有幾個電子伏的能量。
基本介紹
- 中文名：二次電子
- 外文名：secondary electrons
- 要求 ：入射電子束作用下
- 特點：離開樣品表面的樣品原子
- 性質：核外電子
概述,產生,能量,原理,套用,二次電子崩,二次電子成像,
概述
二次電子（Secondary electrons），又稱次級電子，是描述物體表面被一主要輻射照射後，發射出的低能量產物電子。該主要輻射可以是具有足夠能量的離子、電子或是光子。二次電子屬於二次發射（en:Secondary emission）的一種。
產生
這是一種真空中的自由電子。由於原子核和外層價電子的結合力能很小，因此外層的電子比較容易和原子脫離，使原子電離。一個能量很高的入射電子射入樣品時，可以產生許多的自由電子，這些自由電子中90%是來自樣品原子外層的價電子。
能量
二次電子的能量較低，一般不超過50eV。大多數二次電子只帶有幾個電子伏的能量。
原理
電子在固體裡的非彈性平均自由徑（inelastic mean free path） 通常是具有普遍性，也就是說無關於什麼材料。這個距離對金屬來說，通常是在幾個納米；對絕緣體來說，在幾十個納米，一般來說距離越小測量精度越高。而對低能量的電子 （< 5 eV） 來說，則有更長的平均自由徑。
套用
二次電子一般都是在表層5~10nm深度範圍內發射出來的，它對樣品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效的顯示樣品的表面形貌。
二次電子崩
二次電子崩：當初始電子崩發展到陽極時，初始電子崩中的電子迅速跑到陽極上中和電量。留下來的正離子作為正空間電荷使後面的電場受到畸變和加強，同時向周圍放射出大量光子。這些光子在附近的氣體中導致光游離，在空間產生二次電子。它們在正空間電荷所畸變和加強了的電場的作用下，又形成新的電子崩，稱二次電子崩。
二次電子成像
二次電子像主要是反映樣品表面10nm左右的形貌特徵，像的襯度是形貌襯度，襯度的形成主要取於樣品表面相對於入射電子束的傾角。[2]
如果樣品表面光滑平整（無形貌特徵），則不形成襯度；而對於表面有一定形貌的樣品，其形貌可看成由許多不同傾斜程度的面構成的凸尖、台階、凹坑等細節組成，這些細節的不同部位發射的二次電子數不同，從而產生襯度。
二次電子像解析度高、無明顯陰影效應、場深大、立體感強，是掃描電鏡的主要成像方式（特別適用於粗糙樣品表面的形貌觀察），在材料及生命科學等領域有著廣泛的套用
