《藍寶石單晶位錯密度測量方法》是2017年12月1日實施的一項中國國家標準。
基本介紹
- 中文名:藍寶石單晶位錯密度測量方法
- 外文名:Test method for dislocation density of sapphire single crystal
- 標準類別:方法
- 標準號:GB/T 33763-2017
《藍寶石單晶位錯密度測量方法》是2017年12月1日實施的一項中國國家標準。
《藍寶石單晶位錯密度測量方法》是2017年12月1日實施的一項中國國家標準。編制進程2017年5月31日,《藍寶石單晶位錯密度測量方法》發布。2017年12月1日,《藍寶石單晶位錯密度測量方法》實施。起草工作主要起草單位...
《碳化矽單晶位錯密度的測試方法》是2023年5月1日開始實施的一項中國國家標準。編制進程 2022年10月14日,《碳化矽單晶位錯密度的測試方法》發布。2023年5月1日,《碳化矽單晶位錯密度的測試方法》實施。起草工作 主要起草單位:北京天科合達半導體股份有限公司、有色金屬技術經濟研究院有限責任公司。主要起草人 :彭同華...
當前用於GaN基LED的襯底材料比較多,但是能用於商品化的襯底只有兩種,即藍寶石和碳化矽襯底。其它諸如GaN、Si、ZnO襯底還處於研發階段,離產業化還有一段距離。氮化鎵 用於GaN生長的最理想襯底是GaN單晶材料,可以大大提高外延膜的晶體質量,降低位錯密度,提高器件工作壽命,提高發光效率,提高器件工作電流密度。但是製備...
2.1 藍寶石襯底簡介 2.2 不同V/Ⅲ生長GaN單晶 2.3 V/Ⅲ對GaN單晶巨觀形貌的影響 2.4 V/Ⅲ對GaN單晶結構的影響 2.4.1 V/Ⅲ對GaN單晶位錯密度的影響 2.4.2 V/Ⅲ對GaN單晶殘餘應力的影響 2.4.3 V/Ⅲ對GaN單晶晶體取向分布的影響 2.4.4 V/Ⅲ對GaN單晶雜質含量的影響 2.5 V/...
(4)位錯密度。在很多生產過程中,效率衰減總是不可避免,為此把位錯密度控制到最低,是此項工藝的關鍵;(5)邊角多晶控制,即合理有效控制邊角多晶的比例;(6)鑄錠良率提升。良率大約在40%~60%之間,還有待提高。2.準單晶量產決定性因素 (1)可行的工藝路線。如果開發出的準單晶沒有可行的工藝路線,準...
使用圖形襯底技術,通過周期排列掩模阻斷位錯延伸,降低了GaN單晶中位錯密度。 使用失配更小的6H-SiC襯底有效降低了GaN單晶外延層的應力,提高GaN的晶體質量。6H-SiC襯底具有更小的晶格失配和熱失配,所生長的GaN單晶殘餘應力更小,單晶質量更高。 設計新型襯底,將GaN單晶中殘餘應力降低一個數量級。由於藍寶石襯底的...
無位錯單晶 無位錯單晶是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 位錯密度小於某一限度值的單晶。如矽單晶中的位錯密度小於500個/cm2的單晶。出處 《材料科學技術名詞》。
1.單晶爐裝料量(單台機產能多少) 2. 能拉多長、幾寸的矽棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出矽棒品質(少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯密度) 5設備製造工藝控制保證 6自動化控制程度 7設備主要關鍵部件的配置等 。單晶爐型號定義 單晶爐型號有兩種命名方式,一種為投料量,一種為爐室直徑。比如85爐...
但異質外延生長的GaN晶體具有較高的位錯密度和較大應力,對光電器件的性能影響很大,成為制約其套用的主要瓶頸。因此選擇能有效降低外延GaN晶體應力和位錯密度的籽晶是生長高質量GaN晶體的關鍵。本項目擬採用新型減薄-金屬鍵合襯底、晶格失配和熱失配更小的SiC籽晶、高溫多孔襯底進行GaN單晶生長,系統研究不同襯底上GaN...
《低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測量方法》是2018年7月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 2017年10月14日,《低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度%28EPD%29的測量方法》發布。2018年7月1日,《低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度%28EPD%29的測量方法》實施。起草工作 主要起草單位:雲南中科鑫圓晶體材料有限公司...
GB/T 6620-2009 矽片翹曲度非接觸式測試方法 GB/T 6621-2009 矽片表面平整度測試方法- GB/T 6624-2009 矽拋光片表面質量目測檢驗方法 GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法 GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法 GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法 GB/T 11068-2006 ...
主要原因是內量子效率太低, 而且在大電流密度下效率下降很快,droop效應比藍光LED嚴重得多。本項目擬通過半導體能帶模擬和實驗研究大電流密度下量子阱中載流子的傳輸和複合機制,研究多銦量子阱中極化電場,俄歇複合,位錯密度等對LED內量子效率影響的科學本質。通過外延結構調整,納米圖案化襯底的外延生長,新型非極性和...
單晶體的直逕取決於熔體溫度和拉速;減少功率和降低拉速,晶體直徑增加,反之直徑減小。提拉法的主要優點 1)在生長過程中,可以方便地觀察晶體的生長狀況。2)晶體在熔體的自由表面處生長,而不與坩堝接觸,顯著減少晶體的應力,並防止坩堝壁上的寄生成核。3)可以以較快的速度生長,具有低位錯密度和高完整性的單晶,...
(1)合成磷化銦多晶。合成操作是讓高純的磷蒸氣與熔融高純銦直接發生作用,多採用水平定向結晶法和區域熔煉法。(2)製備摻雜磷化銦單晶。一般採用高壓溶液提拉法,是將盛有磷化銦多晶的石英坩堝置於高壓設備內進行,用電阻絲或高頻加熱,惰性氣體保護(壓力3×10⁶Pa)下讓晶體生長。為了提高InP單晶質量,降低位錯密度...
通過此類技術的使用,可以降低GaN外延層的位錯密度。GaN材料由於缺乏合適的體單晶襯底,只有採用異質外延技術。商業化的半導體絕大多數是採用體材料,GaN材料是一個例外,它用異質外延材料成功地做成了器件。GaN材料中的位錯不會顯著降低其光學和電學性能。GaN藍光LED普遍使用的襯底材料是藍寶石,雖然襯底與GaN外延層之間...
GB/T 32282-2015 氮化鎵單晶位錯密度的測量 陰極螢光顯微鏡法 GB/T 32189-2015 氮化鎵單晶襯底表面粗糙度的原子力顯微鏡檢驗法 GB/T 32188-2015 氮化鎵單晶襯底片x射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法 行業標準-電子,關於氮化鎵的標準 SJ/T 11396-2009 氮化鎵基發光二極體藍寶石襯底片 英國標準學會,關於氮化鎵的標準 BS...
一般來說,退火單晶的位錯密度為106cm,變形量很大的金屬可在1012cm以上。層錯能低的金屬比層錯能高的金屬加工硬化更為顯著。細晶粒、有澱澱相、高速形變和低溫形變都表現出較高的形變強化效應。沉澱強化與彌散強化過飽和固溶體隨溫度下降或在長時間保溫過程中(時效)發生脫溶分解。時效過程往往是很複雜的,如鋁...
籽晶用籽晶夾來裝夾。籽晶要求選用無位錯或位錯密度低的相應寶石單晶。(3)傳動系統 為了獲得穩定的旋轉和升降,傳動系統由籽晶桿、坩堝軸和升降系統組成。(4)氣氛控制系統 不同晶體常需要在各種不同的氣氛里進行生長。如釔鋁榴石和剛玉晶體需要在氬氣氣氛中進行生長。該系統由真空裝置和充氣裝置組成。(5)後...
籽晶用籽晶夾來裝夾。籽晶要求選用無位錯或位錯密度低的相應寶石單晶。(3)傳動系統 為了獲得穩定的旋轉和升降,傳動系統由籽晶桿、坩堝軸和升降系統組成。(4)氣氛控制系統 不同晶體常需要在各種不同的氣氛里進行生長。如釔鋁榴石和剛玉晶體需要在氬氣氣氛中進行生長。該系統由真空裝置和充氣裝置組成。(5)後...
提拉法的最大優點在於能夠以較快的速率生長較高質量的晶體。例如,提拉法生長的紅寶石與焰熔法生長的紅寶石相比,具有較低的位錯密度,較高的光學均勻性,也沒有嵌鑲結構。總之,提拉法生長的晶體完整性很高,而其生長率和晶體尺寸也是令人滿意的。製備過程 生長金屬單晶體的方法是1916年,波蘭化學家JanCzochralski(...
這種通過鑄錠的方式形成單晶矽的技術,投爐料大,生產效率高,切片工藝簡單,成本低。簡單地說,就是用多晶矽的成本生產單晶矽的技術。相較於多晶,類單晶矽片晶界少,位錯密度低,量產後電池轉換效率平均可達17. 5%,最高可達到18. 2%。近年來,類單晶技術受到業界的廣泛關注。當前類單晶矽錠生長技術雖已能容易地...
位錯是晶體中最常見的一類晶體缺陷。位錯密度可以用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度。當然,對於非晶態半導體是沒有這一反映晶格完整性的特性參數的。特性要求 半導體材料的特性參數對於材料套用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。電晶體對材料特性的要求 :根據電晶體的工作原理,要求材料有較大的非平衡...
採用這種技術可以快速生長出低位錯密度的厚膜,可以用做採用其它方法進行同質晶圓生長的襯底。並且和襯底分離的GaN薄膜有可能成為體單晶GaN晶片的替代品。HVPE的缺點是很難精確控制膜厚,反應氣體對設備具有腐蝕性,影響GaN材料純度的進一步提高。3.選擇性晶圓生長或側向晶圓生長技術 採用這種技術可以進一步減少位錯密度,...
8.1.1 腐蝕坑形狀與位錯類型的對應關係 148 8.1.2 濕法腐蝕準確估計不同類型位錯的密度 150 8.1.3 腐蝕法分析GaN的其他類型缺陷——反向邊界和小角晶界 152 8.2 不同極性面材料的腐蝕形貌和成因 153 8.2.1 N面材料的腐蝕特性 153 8.2.2 非極性a面GaN的選擇性腐蝕 155 8.3 斜切襯底降低位錯密度的...
當前用於GaN基LED的襯底材料比較多,但是能用於商品化的襯底目前只有兩種,即藍寶石和碳化矽襯底。其它諸如GaN、Si、ZnO襯底還處於研發階段,離產業化還有一段距離。氮化鎵:用於GaN生長的最理想襯底是GaN單晶材料,可以大大提高外延膜的晶體質量,降低位錯密度,提高器件工作壽命,提高發光效率,提高器件工作電流密度。但是...
碘處理重結晶提純改善了化學配比,改進的氣相定點成核法生長出350克重,具有光滑透明自然晶面、低位錯密度的碘化汞單晶。氣相生長塊狀晶體具有{110}柱面生長習性。發現晶核{001}平等於安瓿基座表面時長出的晶體完整性最好,因而採用[001]方向平行於安瓿基座表面的籽晶法可提高晶體質量。用濕線切割晶體,解理成晶片 ,...