《半導體材料標準彙編（2014版） 方法標準國標分冊》是2014年中國標準出版社出版的圖書，作者是全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會、中國標準出版社。
基本介紹
- 中文名：半導體材料標準彙編（2014版） 方法標準國標分冊
- 作者：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會，中國標準出版社
- 出版社：中國標準出版社
- 出版時間：2014年11月1日
- 開本：16 開
- ISBN：9787506677523
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
半導體材料是指介於金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm～108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料，廣泛套用於製作電晶體、積體電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機、信息家電、網路技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業的發展。半導體材料及其套用已成為現代社會各個領域的核心和基礎。
圖書目錄
目錄
GB/T 1550-1997 非本徵半導體材料導電類型測試方法
GB/T 1551-2009 矽單晶電阻率測定方法
GB/T 1553-2009 矽和鍺體內少數載流子壽命測定 光電導衰減法
GB/T 1554-2009 矽晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
GB/T 1555-2009 半導體單晶晶向測定方法
GB/T 1557-2006 矽晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2009 矽中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T 4058-2009 矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 4059-2007 矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法
GB/T 4060-2007 矽多晶真空區熔基硼檢驗方法
GB/T 4061-2009 矽多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法
GB/T 4298-1984 半導體矽材料中雜質元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本徵半導體單晶霍爾遷移率和霍爾係數測量方法
GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
GB/T 6616-2009 半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 矽片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6618-2009 矽片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6619-2009 矽片彎曲度測試方法-
GB/T 6620-2009 矽片翹曲度非接觸式測試方法
GB/T 6621-2009 矽片表面平整度測試方法-
GB/T 6624-2009 矽拋光片表面質量目測檢驗方法
GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法
GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法
GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測量方法
GB/T 11073-2007 矽片徑向電阻率變化的測量方法
GB/T 13387-2009 矽及其他電子材料晶片參考面長度測量方法
GB/T 13388-2009 矽片參考面結晶學取向X射線測試方法
GB/T 14140-2009 矽片直徑測量方法
GB/T 14141-2009 矽外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
GB/T 14142-1993 矽外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
GB/T 14144-2009 矽晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法
GB/T 14146-2009 矽外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜矽外延層厚度的紅外反射測量方法
GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法
GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法
GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法-
GB/T 19444-2004 矽片氧沉澱特性的測定——間隙氧含量減少法
GB/T 19921-2005 矽拋光片表面顆粒測試方法
GB/T 19922-2005 矽片局部平整度非接觸式標準測試方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學分析方法 第1部分：鍺量的測定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學分析方法 第2部分：砷量的測定 硫酸亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學分析方法 第3部分：硫量的測定 硫酸鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學分析方法 第4部分：氟量的測定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學分析方法 第5部分：二氧化矽量的測定 重量法
GB/T 24574-2009 矽單晶中Ⅲ-V族雜質的光致發光測試方法
GB/T 24575-2009 矽和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24576-2009 高解析度X射線衍射測量GaAs襯底生長的AIGaAs中Al成分的試驗方法
GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測定矽片表面的有機污染物
GB/T 24578-2009 矽片表面金屬沾污的全反射X光螢光光譜測試方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶矽表面金屬污染物
GB/T 24580-2009 重摻n型矽襯底中硼沾污的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量矽單晶中Ⅲ、V族雜質含量的測試方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦合等離子質譜儀測定多晶矽表面金屬雜質
GB/T 26066-2010 矽晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
GB/T 26067-2010 矽片切口尺寸測試方法
GB/T 26068-2010 矽片載流子複合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
GB/T 26070-2010 化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
GB/T 26289-2010 高純硒化學分析方法 硼、鋁、鐵、鋅、砷、銀、錫、銻、碲、汞、鎂、鈦、鎳、銅、鎵、鎘、銦、鉛、鉍量的測定 電感耦合電漿質譜法
GB/T 29056-2012 矽外延用三氯氫矽化學分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦合電漿質譜法
GB/T 29057-2012 用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶矽棒的規程
GB/T 29505-2013 矽片平坦表面的表面粗糙度測量方法
GB/T 29507-2013 矽片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法
GB/T 29849-2013 光伏電池用矽材料表面金屬雜質含量的電感耦合電漿質譜測量方法
GB/T 29850-2013 光伏電池用矽材料補償度測量方法
GB/T 29851-2013 光伏電池用矽材料中B、A1受主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 29852-2013 光伏電池用矽材料中P、As、Sb施主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 30857-2014 藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法
GB/T 30859-2014 太陽能電池用矽片翹曲度和波紋度測試方法
GB/T 30860-2014 太陽能電池用矽片表面粗糙度及切割線痕測試方法
GB/T 30866-2014 碳化矽單晶片直徑測試方法
GB/T 30867-2014 碳化矽單晶片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 30868-2014 碳化矽單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法
GB/T 30869-2014 太陽能電池用矽片厚度及總厚度變化測試方法
