| 中文名稱 | 無位錯單晶 |
| 英文名稱 | dislocation free mono- crystal |
| 定 義 | 位錯密度小於某一限度值的單晶。如矽單晶中的位錯密度小於500個/cm2的單晶。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），總論（三級學科） |
| 中文名稱 | 無位錯單晶 |
| 英文名稱 | dislocation free mono- crystal |
| 定 義 | 位錯密度小於某一限度值的單晶。如矽單晶中的位錯密度小於500個/cm2的單晶。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），總論（三級學科） |
無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。在單晶的生長過程中,位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸,另一方面來自晶體內的熱應力。...
中文名稱 無位錯單晶 英文名稱 dislocation free mono- crystal 定義 位錯密度小於某一限度值的單晶。如矽單晶中的位錯密度小於500個/cm2的單晶。 套用學科 ...
單晶生長法基本原理,多晶體矽料經加熱熔化,待溫度合適後,經過將籽晶浸入、熔接...在等徑生長階段,不僅要控制好晶體的直徑,更為重要的是保持晶體的無位錯生長。...
線缺陷主要是指位錯,位錯的存在對晶體的力學性質機翼各種物理性質都有影響。除了三種缺陷外,晶體中還存在很多其他缺陷,如在對無位錯單晶研究中發現晶體中存在微...
生產電子器件用的矽單晶除對位錯密度有一定限制外,不允許有小角度晶界、位錯排、星形結構等缺陷存在。位錯密度低於 200/厘米2者稱為無位錯單晶,無位錯矽單晶占...
這樣,晶體生長速度超過了位錯運動速度,與生長軸斜交的位錯就被中止在晶體表面上,從而可以生長出無位錯單晶。無位錯矽單晶的直徑生長粗大後,儘管有較大的冷卻應力...
無位錯單晶擇優腐蝕後肉眼可見的呈螺旋狀或同心圓狀為特徵的微缺陷。在放大150倍條件下觀察呈現不連續狀。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科...
鑄件缺陷的形成 從熱力學觀點,金屬的凝固總是存在原子尺度的晶體缺陷,如點缺陷、線缺陷(位錯)及面缺陷(層錯與晶界等),所以即使是精心培養生長出來的單晶,也很不...
位錯、微缺陷,和材料中的雜質碳和氧,以及工藝過程中玷污的過渡族金屬被認為是...除了常用的單晶、多晶、非晶矽電池之外,多元化合物太陽電池指不是用單一元素...