無位錯單晶生長法

無位錯單晶生長法

無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。在單晶的生長過程中,位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸,另一方面來自晶體內的熱應力。

基本介紹

  • 中文名:無位錯單晶生長法
  • 外文名:dislocation-free growth
  • 學科:材料工程
  • 領域:工程技術
簡介,原理,採用方法,套用,

簡介

無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝

原理

在單晶的生長過程中,位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸,另一方面來自晶體內的熱應力。

採用方法

在引晶過程中,由於熱衝擊較大,不可避免地在籽晶上產生大量的位錯。為此,採取縮頸的辦法。即採取高拉速將晶體直徑縮小到3mm左右,當其長度大於直徑的7-10倍時,位錯可滑移至表面而消失。同時因拉速較快,產生大量的空位,有利於位錯的攀移,從而將位錯排至晶體表面。在消失位錯後,再進行放肩,就相當於在無位錯晶體上生長。

套用

矽就是利用這個原理而獲得直徑250rnm的無位錯單晶的。其它材料則因其熱學性能及機械性能的不同,有的可獲得小直徑的無位錯單晶,有的則無法獲得無位錯單晶。

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