無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。在單晶的生長過程中,位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸,另一方面來自晶體內的熱應力。
基本介紹
- 中文名:無位錯單晶生長法
- 外文名:dislocation-free growth
- 學科:材料工程
- 領域:工程技術
無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。在單晶的生長過程中,位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸,另一方面來自晶體內的熱應力。
無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。在單晶的生長過程中,位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸,另一方面來自晶體內的熱應力。...
單晶生長法基本原理,多晶體矽料經加熱熔化,待溫度合適後,經過將籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾等步驟,完成一根單晶錠的拉制。爐內的傳熱、...
直拉法晶體生長,由丘克拉斯基在1916年首創,利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。...... 運動速度,與生長軸斜交的位錯就被中止在晶體表面上,從而可以生長出無位錯單晶...
單晶成長晶體提拉法 編輯 晶體提拉或丘克拉斯基技術是一種常用的晶體生長方法,它能在較短時間裡生長出大而無位錯的晶體。將欲生長的材料放在坩堝里熔化,然後將籽...
單晶矽按晶體生長方法的不同,分為直拉法(CZ)、區熔法(FZ)和外延法。直拉法...矽材料資源豐富,又是無毒的單質半導體材料,較易製作大直徑無位錯低微缺陷單晶。...
從熔體中培育單晶 ①提拉法 將金屬或合金在保護氣氛下加熱熔化,然後用一定取向的...美國達什(W.C.Dash)提出縮頸-細頸工藝之後,能生長無位錯和少位錯大直徑單晶...
“晶體提拉法”是利用籽晶從熔體中提拉生長出晶體的方法。該方法能在短期內生長出大而無位錯的高質量單晶,是由J丘克拉斯基 在1917 年首先發明的,所以又稱丘克...
單晶矽按晶體生長方法的不同,分為直拉法(CZ)、區熔法(FZ)和外延法。直拉法...矽材料資源豐富,又是無毒的單質半導體材料,較易製作大直徑無位錯低微缺陷單晶。...
crystal growth by zone melting method 是利用多晶錠分區熔化和結晶來生長單晶體的方法。 將棒狀多晶錠熔化一窄區,其餘部分保持固態,然後使一熔區沿錠的長度方向...
位錯是晶體中局部滑移區域的邊界線,即是晶體中的一種線缺陷;它是決定金屬等晶體力學性質的基本因素,也對晶體的其他許多性質(包括晶體生長)有著嚴重的影響。通過...
而產生的原子排列的位錯,這個過程就是引晶;隨後,放大晶體直逕到工藝要求的大小...TDR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主智慧財產權,是採用直拉法生長P型或N型單晶矽...
1994年 研製成功中國第一台 晶體爐 MCZ法晶體生長設備——TDR-50AC磁場單晶爐...設計和加工,關鍵部件和樣機達到了較高的技術水平,已成功拉制出12英寸無位錯...
在矽單晶中觀察到由於雜質團的作用,產生的位錯環列。研究矽單晶中某些位錯源和位錯的增殖情況。在研究區熔法生長的矽單晶中的缺陷時,發現了由於熱應力作用在...
單晶爐是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環境中,用石墨加熱器將多晶矽等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。...
9.6 腐蝕法測量位錯密度第10章 晶體取向的測定10.1 X射線衍射定向法10.2 晶體的雷射定向10.3 腐蝕坑法測定晶體取向第11章 晶體生長方法概論...
多晶矽中存在大量的晶界和位錯。晶界是晶粒間的過渡區,結構複雜,原子呈無序排列...其重點是精密控制定向凝固時的溫度梯度和晶體生長速度以此來提高多晶晶粒的尺寸...
用這種方法生長的晶體直徑一般是1-2in。要生長更大的晶體,需要在軸向上精確控制化學組分,而在徑向上,需要精確控制溫度梯度以獲得低位錯密度。Bridgman方法的特點是...
區熔法又稱Fz法,即懸浮區熔法。區熔法是利用熱能在半導體棒料的一端產生一熔區,再熔接單晶籽晶。調節溫度使熔區緩慢地向棒的另一端移動,通過整根棒料,生長...
捷克拉斯基法是一種單晶體的生產工藝,也稱提拉法。是捷克拉斯基(J.Czochralski)在1917年發明的從熔體中提拉生長高質量單晶的方法。這種方法能夠生長無色藍寶石、紅...
提拉法又稱丘克拉斯基法,是丘克拉斯基(J.Czochralski)在1917年發明的從熔體中提拉生長高質量單晶的方法。這種方法能夠生長無色藍寶石、紅寶石、釔鋁榴石、釓鎵榴...
基座法是既像區熔法又像直拉法的一種拉制單晶方法。用卡具將多晶棒下端卡住,高頻線圈在多晶矽棒上端產生熔區,由上方插入籽晶,將籽晶慢慢向上提起,生長出單晶...
縮頸後面的籽晶,其位錯可大大減少,這樣可使放大後生長出來的晶體,其位錯密度降低。總之,提拉法生長的晶體,其完整性很高,而生長率和晶體尺寸也是令人滿意的。...
直拉法單晶生長)計算機控制或連續送料,使均勻性得到很大改善;對區熔單晶採用...在結構完整性方面,直拉矽單晶早已採用無位錯拉晶工藝,目前工作主要放在氧施主、...
接下來重點闡述了單晶的生長方法及藍寶石單晶生長過程中結構缺陷形成的規律;最後...7.4 無位錯區的形成 7.5 高溫退火時晶體的異常行為 7.6 退火介質對晶體結構...
直拉單晶製造法(Czochralski,CZ法)是把原料多晶矽塊放入石英坩堝中,在單晶爐中...2、熱應力分析:晶體位錯的產生與晶體生長過程中熱應力的變化有著密切的關係。...
成批量的半導體單晶都是用熔體生長法製成的。直拉法套用最廣,80%的矽單晶、...載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯...
助熔劑法生長晶體有許多突出的優點,和其他生長晶體的方法相比,這種方法的適用性很強,幾乎對所有的材料,都能夠找到一些適當的助熔劑,從中將其單晶生長出來。助熔劑...