西安理工晶體科技有限公司系西安市高新技術企業，是我國人工晶體生長設備—單晶爐研製、開發、生產的主導企業。公司的前身為北京機械學院工廠，成立於1958年7月，工廠於1972年1月與陝西工業大學工廠合併成立陝西機械學院工廠，1994年1月變更為西安理工大學工廠。2007年12月28日經陝西省國資委批准完成改制，更名為西安理工晶體科技有限公司，註冊資金為1億元人民幣，由西安理工大資產管理公司控股，黃河上游水電開發有限責任公司為第二大股東。自此，公司進入了新的發展篇章。
基本介紹
- 公司名稱：西安理工晶體科技有限公司
- 外文名稱：Xi'an Institute of Crystal Growing Technology Co., Ltd.
- 總部地點：西安高新技術產業開發區
- 成立時間：1958年7月
- 經營範圍：單晶爐研製、開發、生產
- 公司口號：市場導向，技術領先，品牌制勝
- 員工數：350餘名
- 生產理念：精益求精，鑄造品質
- 貢獻方面：微電子、光電子工業及光伏產業
- 承擔科技計畫：863計畫，火炬計畫
- 註冊資金：一億元人民幣
公司簡介,背景簡介,企業文化,產品相關,歷史業績,關於公司,行業資訊,領導關懷,
公司簡介
公司地址：陝西省西安市高新區錦業路69號B區
西安理工晶體科技有限公司（簡稱：理工晶科）系西安市高新技術企業,註冊資金為一億元人民幣。2002年通過了ISO：9000國際質量管理體系認證，2005年獲得AAA企業信用等級，是陝西省新型半導體功能材料與設備工程研究中心的主要依託單位，公司為國內單晶爐及其它晶體生長設備研發與製造的核心企業，是國內最具影響力的在該領域中專用設備製造商。
公司自1961年研製成功我國第一台單晶爐以來，已定型生產12大系列、近百種型號電子專用設備。它涉及半導體、光學及雷射、化合物、氧化物、氟化物等晶體材料以及多晶矽、合金材料、人工寶石等高科技領域。產品國內市場占有率達70%以上。累計生產各類晶體生長設備3300餘台。先後有多個品種、百十餘台設備遠銷歐、美等地。
資質榮譽
資質榮譽公司位於西安高新技術產業開發區創業研發園核心區，西安理工大學科技園內，占地總面積110畝，已完成的一期占地63畝，建築面積17105 M，其中辦公用房 5880M，生產車間10911M，有各類機械加工、熱處理、焊接等設備127台套，各類檢測、試驗、計量等設備214台件，辦公設備381台，現擁有一支350餘名員工，其中包括120餘名高、中級專業工程技術人員的技術隊伍。公司設有十一個部門和二個生產車間，具有年產500餘台套大型單晶爐的能力。
背景簡介
西安理工晶體科技有限公司（公司位於陝西省西安市高新區錦業路）是西安理工大學的附屬機構（校工廠）。 西安理工大學屬中央和地方共建、以地方管理為主的高校，前身是北京機械學院和陝西工業大學於1972年合併組建的陝西機械學院，1994年1月經國家教育委員會批准更名為西安理工大學。學校現有金花、曲江、蓮湖3個校區和大學科技園，占地總面積130萬平方米，建築面積68萬平方米，學校是陝西省文明校園、平安校園。
西安理工大學曲江校區
西安理工大學曲江校區學校是我國首批獲得博士、碩士、學士學位授予權的高校之一。現有水利工程、機械工程、材料科學與工程、管理科學與工程等10個博士學位授權一級學科，44個博士學位授權二級學科，22個碩士學位授權一級學科，97個碩士學位授權二級學科，學位授權點覆蓋全部本科專業。建有水利工程、電氣工程、機械工程、土木工程、電子科學與技術、材料科學與工程、管理科學與工程等7個博士後科研流動站。水文學及水資源等5個學科為全國高等學校重點學科，機械製造及其自動化等21個學科為陝西省重點學科。學校現已發展成為以工為主、多學科協調發展、具有較強辦學實力和特色鮮明的教學研究型大學。
企業文化
聚焦晶體科技 引領行業發展
企業文化
企業文化1. 公司使命：致力晶體科技 創新現代生活
2. 公司願景：晶體生長設備領域的領先者和創新者
3. 公司精神：創新無限 追求卓越
4. 研發理念：包容失敗 直面風險 崇尚風險 嚴謹求實
5. 生產理念：精益求精 鑄造品質
6. 市場理念：市場導向 技術領先 品牌制勝
7. 服務理念：誠心 貼心 傾心 永遠用心
8. 效益理念：以市場爭效益 以科技創效益 以管理促效益
理工晶科
理工晶科9. 質量理念：質量源於精心 精品出自細節
10. 人才理念：德才兼備 能崗匹配
11. 團隊理念：互助 互愛 共創 共享
12. 工作理念：腳踏實地 求真務實
13. 創新理念：勇於開拓 創新進取
產品相關
單晶矽，英文，Monocrystallinesilicon。是矽的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用於製造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶矽在單晶爐內拉制而成。
晶體爐
晶體爐熔融的單質矽在凝固時矽原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶矽。
單晶矽是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處於新材料發展的前沿。其主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發電、供熱等。由於太陽能具有清潔、環保、方便等諸多優勢，近三十年來，太陽能利用技術在研究開發、商業化生產、市場開拓方面都獲得了長足發展，成為世界快速、穩定發展的新興產業之一。
單晶矽具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶矽是本徵半導體。在超純單晶矽中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型矽半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型矽半導體。單晶矽的製法通常是先製得多晶矽或無定形矽，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶矽。單晶矽主要用於製作半導體元件。
歷史業績
1961年 與中國科學院半導體研究所合作，研製成功中國第一台晶體生長設備——TDK-36型單晶爐
1972年 研製成功中國第一台具有等徑控制功能的TDK-40型單晶爐
晶體爐
晶體爐1980年 研製成功中國第一台高溫氧化物晶體爐——SJ78-3型雷射晶體爐
1983年 研製成功中國第一台軟軸提拉晶體生長設備——TDR-50型單晶爐
1984年 研製成功中國第一台光導纖維拉絲設備——SJ81-4型光導纖維拉絲爐
1990年 研製成功中國第一台化合物半導體生長設備——TDR-GY30型高壓單晶爐
1990年 研製成功中國第一台大直徑4"區熔法晶體生長設備——TDL-FZ35型區熔單晶爐
1994年 研製成功中國第一台MCZ法晶體生長設備——TDR-50AC磁場單晶爐
晶體爐
晶體爐1994年 研製成功中國第一台大直徑鍺晶體生長設備——TDR-60CPA型鍺單晶爐
1995年 研製成功中國第一台高精度計算機等徑控制系統的晶體生長設備——TDR-62A(B)型單晶爐
1995年 研製成功中國第一台大型下降法晶體生長設備——TDR-90X型晶體爐
1996年 研製成功中國第一台VGF法晶體生長設備——TDR-ZY40B型中壓單晶爐
1997年 研製成功中國第一台直徑8"晶體生長設備——TDR-80型單晶爐
1998年 研製成功中國第一台適宜6"專用晶體生長設備——DR-70型單晶爐
1999年 研製成功中國第一台高精度光學晶體設備——TDL-J75型光學晶體爐
2000年 研製成功中國第一台三溫區非線性光學晶體爐——TDR-Y60A型光學晶體爐
晶體爐
晶體爐2000年 研製成功中國第一台適宜多種光學晶體生長爐——TDL-J50型光學晶體爐
2000年 研製成功中國第一台鈮酸鋰、鉭酸鋰專用晶體生長設備——TDL-N60型晶體爐
2001年 研製成功中國第一台大直徑光學晶體生長爐——TDL-J60型光學晶體爐
2001年 研製成功中國第一台生長Φ300—400mm大直徑鍺單晶晶體設備——TDR-Z80型鍺單晶爐
2001年 研製成功稀土金屬提純設備——TDL-FZ50型晶體爐
2002年 研製成功生長碳化矽晶體設備——TDL-16A型碳化矽爐
2002年 研製成功化學計量比鈮酸鋰晶體設備——TDR-H50C型晶體爐
2004年 研製成4"— 6"GaAs晶體設備——TDR-GY652型高壓晶體爐
2005年～2006年 相繼研製成功多晶矽生產輔助設備——TDL-GX36、TDL-GX36A型矽芯爐及TDL- FZ26、TDL-FZ26A型磷、硼檢爐
2006年 研製中國第一台生長12"大直徑矽單晶的生長設備——TDR-120型單晶爐
……
關於公司
西安理工大學工廠建廠50周年慶典暨西安理工晶體科技有限公司成立掛牌 公告
歲月如歌，盛世相約。2008年9月，西安理工大學工廠將迎來50周年華誕。
成立掛牌
成立掛牌五十年積澱，五十年跨越，從1958年北京機械學院校辦工廠發展開始，伴隨著學校發展，歷經變遷，風雨兼程，工廠幾代人秉承“創新無限，追求卓越”的企業精神，通過艱苦努力和奮力拚搏，已將工廠發展成為在國內具有較大影響力和競爭力的集晶體生長設備的研製、開發、生產為一體的高新技術企業基地，為我國微電子工業、光電子工業和光伏產業做出了卓越貢獻。
2007年12月28日，經陝西省國有資產管理委員會批准，西安理工大學工廠完成改制，成立西安理工晶體科技有限公司。
為了“加強交流，增進友誼，凝聚人心，促進發展”，我公司定於2008年9月27日至28日，舉行建廠50周年慶典暨公司成立揭牌儀式。盛情邀請各級領導、社會各界朋友、行業友好人士、新老客戶光臨，共敘友情，屆時撥冗出席。
西安理工晶體科技有限公司 啟
行業資訊
據科技日報（2008年）報導：近日，國家863計畫項目“超大規模積體電路配套材料”重大專項中的“TDR－150型單晶爐（12英寸MCZ綜合系統）”項目在北京正式通過科技部的驗收，這標誌著擁有自主智慧財產權和核心技術的大尺寸積體電路與太陽能用單晶矽生長設備，在我國首次研製成功。
單晶爐是直拉法製備矽單晶的關鍵技術裝備，所製備的矽單晶主要用於積體電路元件和太陽能電池。在我國，以單晶爐為代表的晶體生長設備一直存在核心技術不足的問題，高端產品均為國外公司所壟斷，在很大程度上制約了我國超大規模積體電路和太陽能產業的發展。西安理工大學與北京有色金屬研究院從2003年起承擔“TDR－150型單晶爐（12英寸MCZ綜合系統）”課題的研究和攻關任務，課題組組織多學科技術骨幹，形成穩定的攻關團隊，堅持走自主創新、集成創新的道路，經過三年多的攻關，取得了一系列創新性成果和關鍵技術。
所研製的樣機由課題組自主攻關、設計和加工，關鍵部件和樣機達到了較高的技術水平，已成功拉制出12英寸無位錯合格單晶。通過項目的實施，課題組還建立了高端晶體生長設備的研發平台，達到了積累經驗、獲取成果、培養隊伍的目的。 驗收會上，專家們認為該成果的取得填補了國內空白，標誌著我國超大規模積體電路和太陽能產業的關鍵技術裝備的生產邁上了一個新台階，對我國超大規模積體電路及相關產業的發展具有重要的意義。
領導關懷
2006年6月19日國務院副總理曾培炎在考察
2006年8月2日國家發改委副主任陳德銘在參觀