《新型襯底上高質量GaN單晶的HVPE生長及自剝離研究》是依託山東大學，由郝霄鵬擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型襯底上高質量GaN單晶的HVPE生長及自剝離研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：郝霄鵬
- 依託單位：山東大學
- 批准號：51572153
- 申請代碼：E0201
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2016-01-01 至 2019-12-31
- 支持經費：64（萬元）
中文摘要
GaN寬禁帶半導體材料是節能產業、尖端軍事和空間用電子器件的核心材料，基於其對國民經濟和國防建設的重要意義，GaN晶體材料的研究和套用成為了目前全球半導體研究的前沿和熱點。但異質外延生長的GaN晶體具有較高的位錯密度和較大應力，對光電器件的性能影響很大，成為制約其套用的主要瓶頸。因此選擇能有效降低外延GaN晶體應力和位錯密度的籽晶是生長高質量GaN晶體的關鍵。本項目擬採用新型減薄-金屬鍵合襯底、晶格失配和熱失配更小的SiC籽晶、高溫多孔襯底進行GaN單晶生長，系統研究不同襯底上GaN晶體的成核機制、界面生長過程、應力減小和位錯阻斷機制以及襯底分離機制等問題，最佳化生長工藝，以期生長出高質量、2英寸自支撐GaN晶體。本項目的實施為攻克GaN晶體生長關鍵技術，探索具有低成本、高可靠性，易產業化的GaN晶體生長技術具有重要套用價值。
