紫外曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年05月13日啟用。
基本介紹
- 中文名:紫外曝光系統
- 產地:德國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2015年05月13日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備
紫外曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年05月13日啟用。
紫外曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年05月13日啟用。技術指標(1)具有穩定可靠的晶片厚度補償系統,可對晶片進行自調平和真空吸附。 ★(2)由計算機進行工藝參數設定,具有專用控制軟體。軟...
紫外曝光機,也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等,是印刷線路板(PCB)製作工藝中的重要設備。一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。其主要性能指標有:支持基片的尺寸範圍,解析度、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、...
極紫外光刻機曝光系統主要由反射鏡構成的照明光學系統(illumination optics)和投影光學系統(projection optics)組成。 極紫外光刻機曝光系統如圖1所示,圖中分別畫出了極紫外(EUV)光源、光照光學系統、投影光學系統等。光源發出的13.5nm波長的光線被吸收後,通過幾個反射鏡,形成所需要的光照方式,照射在掩模上。這...
紫外曝光對準系統是一種用於電子與通信技術領域的醫學科研儀器,於2015年06月30日啟用。技術指標 適用於4英寸矽片,支持軟接觸,硬接觸、接近和真空四種曝光模式。光刻膠厚度為1微米時,解析度為0.7m,光強均勻度優於2%。正面套刻精度0.5m,背面套刻精度1m。主要功能 主要用於微電子、MEMS微納米...
微電子、生物器件和納米科技領。常見曝光機舉例:MYCRO美國製造的恩科優(N&Q)紫外曝光系統,適用於從特殊大小的基片到4尺寸很寬廣範圍材料的紫外或深紫外光曝光。NXQ400-6系統成功地套用於半導體製造,光電電子,平板,射頻微波,衍射光學,微機電系統,凹凸或覆晶設備和其他要求精細印製和精度對準的套用。
掩膜紫外曝光機是一種用於電子與通信技術領域的特種檢測儀器,於2012年7月10日啟用。技術指標 1 有效曝光面積 ≥6英寸直徑 2 光的均勻性 ≤±1%(2英寸內) ≤±2%(4英寸內) ≤±3%(6英寸內) 3 正面對準精度: ≤ /-0.5μm 4 曝光精度 ≤0.3μm(硬接觸 使用深紫外光源) ≤0.5μm(硬...
紫外曝光光刻機 紫外曝光光刻機是一種用於物理學領域的儀器,於2013年12月1日啟用。技術指標 光刻樣品大小範圍:最大可達6英寸的晶圓片。主要功能 器件製備工藝刻蝕。
Scientz03-II紫外交聯儀是一種多用途的254mm紫外輻射系統,主要用於將核酸交聯於膜上。簡介 Scientz03-II紫外交聯儀還可用於瓊脂糖凝膠中DNA的切割、RecA突變篩選、嘧啶二聚體產生的部分限制性內切酶消化、UA滅菌消除PCR污染等。在紫外滅菌、聚合物紫外處理等方面也有套用價值。儀器特點 為使核苷酸固定在雜交膜上,傳統...
紫外光刻機系統 紫外光刻機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月07日啟用。技術指標 URE200S-A|| ||曝光面積:150*150mm,解析度:0.8微米。主要功能 用於圖形化。
鎢電極通過鉬帶密封后形成電路,並以金屬燈頭或者帶引線的陶瓷燈頭作為末端.碘化鎵在金鹵燈所產生的光譜中有引入403nm和417nm譜線的功效,這一點顯著的用於二氮化合物的加工.碘化鐵是一種能提供寬光譜紫外輻射的鹵化物,並且能夠增強燈在380nm區域的光譜輸出,添加了碘化鐵的金鹵燈用在光聚合物和日光膠片曝光系統中...
亞微米紫外掩膜對準系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2002年11月7日啟用。技術指標 曝光光源:UV300;光源波長:365nm;光源均勻性:3.1%;晶片尺寸:2-6英寸;接觸方式:真空,低真空接觸, 硬接觸,軟接觸和接近式接觸;對準模式:正和背面兩種對準方式;最小線寬:0.5 μm;對準精度: ±0...
·由於紫外交聯儀配置了一種紫外能量程式設計系統(Joules/c㎡),即其中的時間積分儀連續檢測紫外光的照射。當能量吸收值達到設定值時,照射將自動停止。所以不管紫外光源強弱與否、時間差異與否,照射循環均有很好的重複性。技術指標 ·UV波長:312nm(根據用戶數據需求另配365nm、254nm燈)·曝光時間測量範圍:0-999...
常規光刻技術是採用波長為2000~4500埃的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實現圖形的變換、轉移和處理,最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指矽片)或介質層上的一種工藝。在廣義上,它包括光複印和刻蝕工藝兩個主要方面。①光複印工藝:經曝光系統將預製在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的...
5. 半導體晶片(防潮濕保護塗層,晶元掩膜,晶元污染檢驗,紫外膠帶的曝光,晶 元拋光檢查)6. 感測器生產(氣體感測器,光電感測器,光纖感測器,光電編碼器等)PCB行業LED UV光固化套用 1. 元件(電容,電感,各種外掛程式,螺絲,晶片等)固定 2. 防潮灌封和核心電路、晶片保護,抗氧化塗層保護 3. 電路板保型(角)...