掩膜紫外曝光機是一種用於電子與通信技術領域的特種檢測儀器,於2012年7月10日啟用。
基本介紹
- 中文名:掩膜紫外曝光機
- 產地:美國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2012年7月10日
- 所屬類別:特種檢測儀器 > 光電檢測儀器
掩膜紫外曝光機是一種用於電子與通信技術領域的特種檢測儀器,於2012年7月10日啟用。
掩膜紫外曝光機是一種用於電子與通信技術領域的特種檢測儀器,於2012年7月10日啟用。技術指標1 有效曝光面積 ≥6英寸直徑 2 光的均勻性 ≤±1%(2英寸內) ≤±2%(4英寸內) ≤±3%(6英寸內) 3 正面對準...
曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域,光源有汞燈,準分子雷射器等。分類 接觸式曝光 接觸式曝光指掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當,設備簡單。接觸式,根據施加力量的方式不同又分為:軟接觸...
紫外線曝光機是指通過開啟燈光發出UVA波長的紫外線,將膠片或其他透明體上的圖像信息轉移到塗有感光物質的表面上的機器設備。組成機構 UV燈構造 帶托盤的晶片工作檯 配CCD鏡頭的顯微鏡 監視器 掩膜夾具 UV燈透鏡 UV燈鏡片 UV燈電源系統 操...
掩膜曝光機 掩膜曝光機是一種用於物理學領域的儀器,於2017年09月21日啟用。技術指標 SUSS MicroTec Lithography GmbH。主要功能 用於紫外曝光進行微納米尺寸器件加工。
紫外曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年05月13日啟用。技術指標 (1)具有穩定可靠的晶片厚度補償系統,可對晶片進行自調平和真空吸附。 ★(2)由計算機進行工藝參數設定,具有專用控制軟體。軟體具有工藝...
每次曝光一個小區域後,基底會移動到下一個位置,直到整個基片都被曝光。一個曝光區域就是一個“shot”。因為它是通過透鏡系統投影,一般使用365nm紫外光時使用的是5倍版,即掩膜版上圖形尺寸是實際光刻膠上的尺寸的5倍,所以在掩膜...
20×物鏡,雙視場分離,解析度0.8μm,套外精度優於±0.5μm,365nm波長不低於40mW/cm2,光強度均勻度,100mm,直徑內優於±3%。主要功能 採用掩膜對準技術,對光刻膠進行曝光,使受紫外光輻照的光刻膠發生改變,從而完成刻蝕。
恩科優的主要產品是用來生成大規模積體電路的掩膜曝光機,即光刻機,在製造接觸式和接近式光刻機領域具有領先地位,已售出四千台以上光刻工藝系統設備。包括洛克希德·馬丁(Lockheed Martin),希創唐納(Systron Donner),飛利浦(Philips)...