磷矽玻璃(phosphorosilicate glass)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:磷矽玻璃
- 外文名:phosphorosilicate glass
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
磷矽玻璃(phosphorosilicate glass)是1993年公布的電子學名詞。
磷矽玻璃(phosphorosilicate glass)是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
硼磷矽玻璃(Boro-phospho-silicate Glass,BPSG),即摻雜了硼和磷的二氧化矽作為第一層金屬前介電質(PMD)以及金屬層間介電質(AVID)在IC製造中有著廣泛的套用。二氧化矽原有的有序網路結構由於硼磷雜質(B₂O₃、P₂O₅ )的加入而變得疏鬆,在高溫條件下某種程度上具有像液體一樣的流動能力( Reflow )。...
中科院寧波材料技術與工程研究所萬青研究組提出了一種交叉自對準工藝,採用普通絲網印刷設備研製了高效率的晶體矽太陽能電池。常規晶矽電池工藝在經過高溫磷擴散後,在電池表面存在一層高濃度磷元素的磷矽玻璃層,通過波長為532nm的雷射圖形化退火處理,將磷矽玻璃中的磷元素進一步擴散進入矽,從而在電池片表面形成選擇性...
同摻雜多晶矽相似,採用這種方法製作的氧化矽也可以在澱積過程中通過添加磷化氫或乙硼烷等氣態摻雜劑形成摻雜的氧化矽如磷矽玻璃(PSG)或硼磷矽玻璃(BPSG)。LPCVD澱積氧化矽的另一種方法是在650℃~750℃的溫度範圍內,利用Si(OC₂H₄)₄熱分解形成四乙基原矽酸鹽(TEOS)。TEOS具有良好的一致性和台階覆蓋性...
採用三氯氧磷為液態擴散源,以氮氣為攜帶氣體,將清洗好的矽片放入擴散爐中進行氣相擴散,擴散溫度在830℃,時間15分鐘,使磷原子擴散到P型矽片中,構成PN結,這個過程中,將會在矽片表面產生雜質磷矽玻璃;用摩爾濃度為5%氫氟酸腐蝕掉矽片表面的磷矽玻璃,去掉矽片邊緣以及背面的N型擴散層,以防止短路。4、減反膜的...
P擴散可採用以POCl3為磷源在矽片正面進行P的熱擴散。還可以先在矽片的正面噴塗磷酸或其他含磷的摻雜源,然後通過快速熱退火(Rapid Thermal Anealing)處理,同時完成矽片的正面P擴散。之後去除所述矽片正面的PSG(Phospho Silicate Glass,磷矽玻璃)和周邊P擴散層。在太陽能電池片生產製造過程中,通過化學腐蝕法也即...
1)提供一經過擴散處理後的矽基片;2)對所述矽基片進行清洗; 3)將所述矽基片至於臭氧氛圍中,使矽基片的擴散面在臭氧中氧化,直至該氧化動作自然停止,得到所需氧化矽層。 優選的,所述步驟2)中的清洗包括:使用HF溶液清洗去除所述矽基片表面的磷矽玻璃層,所述HF溶液的體積濃度為2~8%,清洗溫...
晶體矽太陽能電池組件的優良性能簡介:同125單晶的優良性能 製造工藝 太陽能電池片的生產工藝流程分為矽片檢測——表面制絨及酸洗——擴散制結——去磷矽玻璃——等離子刻蝕及酸洗——鍍減反射膜——絲網印刷——快速燒結等。具體介紹如下:一、矽片檢測 矽片是太陽能電池片的載體,矽片質量的好壞直接決定了太陽能電池...
以後研究出多種表面鈍化膜生長工藝,其中以磷矽玻璃 (PSG)、低溫澱積二氧化矽、化學汽相澱積氮化矽、三氧化二鋁和聚醯亞胺等最為適用。直接同半導體接觸的介質膜通常稱為第一鈍化層。常用介質是熱生長的二氧化矽膜。在形成金屬化層以前,在第一鈍化層上再生長第二鈍化層,主要由磷矽玻璃、低溫澱積二氧化矽等構成,能...
工序四:去除磷矽玻璃 去除矽片表面氧化層及擴散時形成的磷矽玻璃(磷矽玻璃是指摻有P2O5的SiO2層)。工序五:PECVD 目的在於減反射+鈍化,PECVD即電漿增強化學氣相澱積設備,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;製作減少矽片表面反射的SiN 薄膜(~80nm);SiN 薄膜中含有大量的氫離子,氫離子注入到矽片中...
在當代,微型電子學元器件中越來越多的使用新型非晶態材料,這種材料包括磷矽玻璃、硼矽玻璃、SiO₂以及 Si₃N₄等等。此外,也有一些在未來有可能發展成開關以及存儲記憶材料,例如氧化銅-五氧化二磷、氧化銅-五氧化二釩-五氧化二磷以及五氧化二釩-五氧化二磷等都可以使用化學氣相沉積法進行生產。化學氣相...
步驟S14:對基底背面進行刻蝕,使基底背面光滑平整,並去除基底表面的磷矽玻璃層。如圖6所示,首先採用質量百分含量為20%的氫氧化鉀溶液對基底背面進行刻蝕,去除背面的金字塔結構,使基底背面光滑平整;然後採用質量百分含量為5%的HF溶液,在溫度為70℃的環境下,清洗基底,處理時間持續10分鐘,去除基底正面的磷矽玻璃層...
例如,以單晶矽片為襯底,在矽片上澱積氧化矽、氮化矽、多晶矽或磷矽玻璃等薄膜。圖1b是電阻平台加熱的多噴頭常壓化學汽相澱積裝置,用矽烷、磷烷或氧為原料,以氮氣釋稀,在400℃左右澱積氧化矽或磷矽玻璃。連續傳送裝置可以提高產量並改善均勻性。 低壓化學汽相澱積 圖2是低壓化學汽相澱積裝置原理,採用管式電阻爐...
⑿光8——光刻引線孔。可在生長磷矽玻璃後先開一次孔,然後再磷矽玻璃回流及結注入推進後再開第二次孔。⒀光9——反刻鋁引線。⒁ 光10——光刻壓焊塊。發展歷史 早期分離式CMOS邏輯元件只有“4000系列”一種(RCA 'COS/MOS'製程),到了後來的“7400系列”時,很多邏輯晶片已經可以利用CMOS、NMOS,甚至是...
砷化鎵的n型化學氣相摻雜通常是在主氣流中摻入矽烷的蒸氣。砷化鎵的高濃度n型摻雜則採用S、Se或Te的氫化物作摻雜劑。套用 在化學氣相沉積二氧化矽膜時,若同時通入適量的PH₃,或B₂H₅作摻雜劑,可分別獲得磷矽玻璃和硼矽玻璃,它們在器件中可作保護膜、層間隔離膜或固相擴散源等。
一種N型雙面太陽能電池的製備方法,依次包括如下步驟:S1、在N型矽片的表面上制絨形成絨面;S2、在制絨後的矽片正面塗覆硼漿料;S3、烘乾燒結,在矽片正面形成一層硼矽玻璃作為阻擋層;S4、退火共擴散;S5、酸洗,洗掉矽片正面的硼矽玻璃及矽片背面的磷矽玻璃;S6、在矽片表面鍍鈍化膜;S7、印刷電極、燒結;其中,...
℃幾沸點一111.5℃二一般採用低溫吸附連續掖化精餾提純I藝,了「廣仁產中對氣體成分進行連續監控,製得產品.用於半導體生產中的生長高純單晶矽、多品矽外延片以及二氧化矽、氮化矽、磷矽玻璃、非品矽等化學氣相澱積工藝。並廣泛用於非品矽人陽能電池、矽複印機鼓、光電感測器、光導纖維、特種玻璃等的生產研製。
10.3 矽中雜質原子的擴散方式 10.4 擴散設備 10.5 與擴散有關的參數測量 參考文獻 第11章 快速加熱處理工藝 11.1 快速加熱處理工藝簡介 11.2 快速加熱化學氣相沉積 11.3 快速氧化層生長及氮化 11.4 注人離子活化及淺結面的形成 11.5 金屬矽化物的形成 11.6 磷矽玻璃(PSG)或硼磷矽玻璃(BPSG)的...
進一步地,在步驟S5和S6之間,還包括如下步驟:S5-1:使用氫氟酸去除正面的氧化矽、磷矽玻璃和背面的硼矽玻璃。改善效果 《單晶矽雙面太陽電池及其製備方法》的單晶矽雙面太陽電池,通過在電池的背面設定平台形絨面,減少太陽電池背面絨面的表面積,明顯地降低光生少數載流子在背表面的複合;正面入射的長波長光在背表面...
9.6典型矽氣相外延工藝 9.7外延層質量控制 9.8小結 參考視頻 第10章表面鈍化 10.1SiSiO2系統 10.1.1SiSiO2系統中的電荷 10.1.2SiSiO2系統中的電荷對器件性能的影響 10.1.3SiSiO2結構性質的測試分析 10.2主要的鈍化方法 10.2.1積體電路鈍化的一般步驟 10.2.2摻氯氧化 10.2.3磷矽玻璃(PSG...
CSOLARE自主研製開發的光伏設備有:全自動單晶制絨酸洗綜合設備、水平式制絨設備、全自動矽芯/矽棒清洗設備、全自動矽料清洗設備、全自動去磷矽玻璃(PSG)清洗設備。公司的發展,離不開客戶和合作夥伴的大力支持,及全體員工的努力。CSOLARE對設備的高標準的要求以及標準模組化套用,為客戶提供更高的附加值。CSOLARE...
水處理設備:各種產能的超純水系統;中水回用系統;廢水處理系統;除鹽水系統;一體化純水系統;實驗室去離子水機;鎳槽邊回收機。晶體矽設備:全自動晶片清洗設備;平板式多晶矽片制絨機;單晶矽片制絨機;去磷矽玻璃(PSG)清洗機;石英管清洗機;切片後矽片清洗機;自動矽片脫膠清洗機;設備自動供液系統。
反應產品經塗 塵,鹼洗,脫水、情餾,可製取純度為99.99%的四氟化碳。它 是微電了工_業中用量最大的等離子刻蝕氣體。J’一泛用於矽、 了氧化奮、氮化磚、磷矽玻璃及鎢等薄膜材料的刻蝕;在電子 器件表面清洗、太陽能電池生產、雷射技術、低溫製冷劑、氣體 絕緣等方面也人量套用。
1℃完全分解。它與氧、氯、氟和一氧 化氮等氧化刺反應激烈。TL}'(1.3 X ll1 }[0.4mglm}):可採用亞磷酸熱分解法製備粗磷烷,經十燥,吸附純化一磷烷一般川作17型半導體的摻雜劑,它是化學汽相澱積和離子注人的一種磷源;川一用於製造非品矽太陽電池、磷矽玻璃鈍化膜、發光二極體的磷砷化稼膜。
8.3.2四氯化矽的純化 8.3.3氫氣的純化 8.4複習思考題 第9章半導體表面鈍化的化學基礎 9.1二氧化矽鈍化膜 9.1.1二氧化矽的結構 9.1.2二氧化矽膜的製備 9.2氮化矽鈍化膜 9.2.1氮化矽膜的特點 9.2.2氮化矽膜的製備 9.3磷矽玻璃鈍化膜 9.4三氧化二鋁鈍化膜 9.5複習思考題 第10章擴散工藝的化學...
6.3 晶矽加工技術 (138)6.3.1 晶矽的切方 (138)6.3.2 晶矽的切片 (139)6.4 晶矽太陽電池製造技術 (139)6.4.1 表面織構化 (139)6.4.2 擴散制結 (142)6.4.3 邊緣隔離 (144)6.4.4 去磷矽玻璃 (144)6.4.5 沉積減反射膜 (144)6.4.6 絲網印刷電極 (146)6.4.7 ...