砷化稼單晶，周期 表第m、V族化合物平導體。共價鍵結合，有一定的離子鍵成 分。
北京有色金屬研究總院宣布，國內成功拉制出了第一根直徑4英寸的VCZ半絕緣砷化鎵單晶。據專家介紹，砷化鎵可在一塊晶片上同時處理光電數據，因而被廣泛套用於遙控、手機、DVD計算機外設、照明等諸多光電子領域。另外，因其電子遷移率比矽高6...
水平砷化鎵單晶 水平砷化鎵單晶是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 採用水平布里奇曼法生長的半圓形砷化鎵單晶，具有一定尺寸、晶向、導電型號和電阻率範圍。出處 《材料科學技術名詞》。
直拉砷化鎵單晶 直拉砷化鎵單晶是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 採用液封直拉技術從砷化鎵熔體中拉制出的，具有一定尺寸、晶向、導電型號和電阻率範圍的砷化鎵單晶。出處 《材料科學技術名詞》。
砷化鎵材料的製備 與矽相仿，砷化鎵材料也可分為體單晶和外延材料兩類。體單晶可以用作外延的襯底材料，也可以採用離子注入摻雜工藝直接製造積體電路（採用高質量、大截面、半絕緣砷化鎵單晶）。重點是液封直拉法（即液封喬赫拉斯基法，簡稱...
半絕緣砷化鎵單晶 半絕緣砷化鎵單晶是室溫下電阻率大於11106Ω·cm的砷化鎵單晶。套用學科 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科）
其中半導體積體電路是依據固體的微觀及巨觀特性採用一系列摻雜工藝、細線條工藝、薄膜工藝等精密的微細加工工藝在單片半導體單晶材料上構成包含需要的電晶體、二極體、電阻、電容等元器件的微小型化電子電路。砷化鎵積體電路是一種半導體集成...
高倍聚光電池具有代表性的是砷化鎵（GaAs）太陽電池。GaAs屬於III-V族化合物半導體材料，其能隙與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫。與矽太陽電池相比，GaAs太陽電池具有較好的性能 砷化鎵電池與矽光電池的比較 1、光電轉化率：砷化鎵的...
鎵反位缺陷 鎵反位缺陷是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 砷化鎵單晶中鎵原子占據砷原子格點位置而形成的缺陷。出處 《材料科學技術名詞》。
砷化鎵 (GaAs)為第二代半導體材料，GaAs襯底質量直接影響器件性能。利用JEM-2002透射電子顯微鏡(TEM)及其主要附屬檔案X射線能量散射譜儀(EDXA)，對半絕緣砷化鎵(SI-GaAa)單晶中微缺陷進行了研究。發現SI-GaAa單晶中的微缺陷包含有富鎵沉澱、...
砷反位缺陷 砷反位缺陷是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 砷化鎵單晶中砷原子占據鎵原子格點位置而形成的缺陷。出處 《材料科學技術名詞》。
砷化鎵透紅外陶瓷是一個化學化工術語。砷化稼為主品相的多晶體』是一種半導體陶瓷。 立方晶系。熔點l24℃。密度5.319女m3為理淪密度的 99 .8%。折射率，:為2 .73一3 r34。不溶於水。在l一18nm 波段透過率比同樣厚度的單晶低1...
一旦移到頂部，上部原料頂部溶解就生長出具有一定厚度的單晶。由於生長溫度較低所生長單晶純度較高，完整性也較好，還可在溶劑中摻入適當雜質生長較大面積的p -n結。套用 已用此法生長出硼化鎵，砷化鎵等材料。溶劑移動速率受溶質擴散...
太陽能電池是一種利用光生伏特效應把光能轉換成電能的器件，又叫光伏器件，主要有單晶矽電池和單晶砷化鎵電池等。太陽電池最初為空間太空飛行器使用，空間太空飛行器用單晶矽太陽電池的基本材料為純度達0.999999、電阻率在10歐·厘米以上的P型單晶矽...
當在N型砷化鎵單晶兩端製作歐姆接觸，並加上高電場後，發現在外加電場達到每厘米幾千伏特的臨界值時，出現很強的電流振盪現象，其頻率在微波範圍以內。 這個現象稱為Gunn效應，是J.B.Gunn於1963年首次在實驗中發現的。 以後在磷化銦...
直拉晶體生長是利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。電子學和光學等現代技術所用的單晶，如矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、紅寶石、白寶石、釔鋁石榴石、尖晶石,以及某些鹼金屬和鹼土金屬的鹵化物等單晶都...
直拉法晶體生長，由丘克拉斯基在1916年首創，利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。電子學和光學等現代技術所用的單晶，如矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、紅寶石、白寶石、釔...
為了使不同材料互補，按要求進行最佳化組合，又發展出一種複合襯底材料，即利用異質外延技術，在一種襯底材料上外延另一種襯底材料薄膜，如在矽片上異質外延砷化鎵單晶薄膜，在襯底的矽面製作電子元件，在砷化鎵薄膜上製作光子元件。其優點是...
變容二級管又稱可變電抗二極體，是一種利用pn結電容（或接觸勢壘電容兒）與其反向偏置電壓vr的依賴關係及原理製成的二極體。所用材料多為矽或砷化鎵單晶，並採用外延工藝技術。反偏電壓愈大，則結電容愈小。變容二極體具有與襯底材料電阻...
已研究的砷化鎵系列太陽電池有單晶砷化鎵，多晶砷化鎵，鎵鋁砷--砷化鎵異質結，金屬-半導體砷化鎵，金屬--絕緣體--半導體砷化鎵太陽電池等。砷化鎵材料的製備類似矽半導體材料的製備，有晶體生長法，直接拉製法，氣相生長法，液相外延法等。
2002年-2005年任中科鎵英半導體有限公司總經理助理，籌建投資1.5億元砷化鎵單晶產業化建設項目 ，負責從可行性研究報告、初步設計、施工圖到工程建設生產線總體工藝設計及生產線設備安裝調試、試生產。建成擁有自主智慧財產權具有國際先進水平...
——1970年7月15日採用溴化蒸餾法製備出5N高純硼。8月拉制出第一根砷化鎵單晶。——1971年2月4日多晶矽擴建工程01-3車間竣工交付使用。3月22日中羅雙方在北京簽訂關於中國向羅馬尼亞提供成套項目和技術援助的議定書。多晶矽和區熔部分...
林蘭英主要從事半導體材料製備及物理的研究。在鍺單晶、矽單晶、砷化鎵單晶和高純銻化銦單晶的製備及性質等研究方面獲得成果，其中砷化鎵氣相和液相外延單晶的純度及電子遷移率，均達到國際先進水平。人物生平 1918年2月7日（農曆丁巳年十二月...
電注入式半導體雷射器，一般是由砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等材料製成的半導體面結型二極體，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平面區域產生受激發射。光泵式半導體雷射器，一般用N型或P型半導體單晶（...
如鎵）和第五主族（如砷）。由這兩族元素形成的化合物如銻化銦是半導體材料，1975年來已用它製成最靈敏的近紅外檢測器。後來又研製成功用砷化鎵單晶作為半導體材料，用於雷射、雷射顯示器和長波光通訊中。
