鎵反位缺陷是2011年公布的材料科學技術名詞。
| 中文名稱 | 鎵反位缺陷 |
| 英文名稱 | gallium antisite defect |
| 定 義 | 砷化鎵單晶中鎵原子占據砷原子格點位置而形成的缺陷。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
基本介紹
- 中文名：鎵反位缺陷
- 外文名：gallium antisite defect
- 所屬學科：材料科學技術
- 公布年度：2011年
定義,出處,
定義
砷化鎵單晶中鎵原子占據砷原子格點位置而形成的缺陷。
出處
《材料科學技術名詞》。
