半絕緣砷化鎵單晶是室溫下電阻率大於11106Ω·cm的砷化鎵單晶。
| 中文名稱 | 半絕緣砷化鎵單晶 |
| 英文名稱 | semi-insulating GaAs single crystal |
| 定 義 | 室溫下電阻率大於11106Ω·cm的砷化鎵單晶。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
- 套用學科
- 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科）
半絕緣砷化鎵單晶是室溫下電阻率大於11106Ω·cm的砷化鎵單晶。
| 中文名稱 | 半絕緣砷化鎵單晶 |
| 英文名稱 | semi-insulating GaAs single crystal |
| 定 義 | 室溫下電阻率大於11106Ω·cm的砷化鎵單晶。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
半絕緣砷化鎵單晶是室溫下電阻率大於11106Ω·cm的砷化鎵單晶。...... 半絕緣砷化鎵單晶是室溫下電阻率大於11106Ω·cm的砷化鎵單晶。中文名稱 半絕緣砷化鎵單晶 英文...
電阻率大於1×10^7Ω·cm的砷化鎵單晶。最早使用摻入鉻、氧等深受主雜質補償矽等淺施主來生長半絕緣單位,現在主要使用高壓單晶爐用熱解坩堝由砷、鎵直接合成非...
北京有色金屬研究總院宣布,國內成功拉制出了第一根直徑4英寸的VCZ半絕緣砷化鎵單晶。據專家介紹,砷化鎵可在一塊晶片上同時處理光電數據,因而被廣泛套用於遙控、手機...
體單晶可以用作外延的襯底材料,也可以採用離子注入摻雜工藝直接製造積體電路(採用高質量、大截面、半絕緣砷化鎵單晶)。重點是液封直拉法(即液封喬赫拉斯基法,簡稱...
利用JEM-2002透射電子顯微鏡(TEM)及其主要附屬檔案X射線能量散射譜儀(EDXA),對半絕緣砷化鎵(SI-GaAa)單晶中微缺陷進行了研究。發現SI-GaAa單晶中的微缺陷包含有富鎵...
高壓液封直拉法(high pressure liquid encapsulation pulling method) 即在高壓下的液體復蓋直拉法。用這種方法原位合成直拉生長不摻雜半絕緣砷化鎵單晶,具有高純、...
系統研究了半絕緣砷化鎵單晶的化學配比與生長工藝之間的關係,為改善砷化鎵單晶的化學配比,提高單晶質量提供了可靠依據;對太空生長的半絕緣砷化鎵單晶進行了材料性能研究,...
11)徐岳生 張春玲 劉彩池等,半絕緣砷化鎵單晶中的晶體缺陷半導體學報,2003.024.(007).718-722詞條標籤: 行業人物 , 科研人員 , 教師, 人物 圖集 張春玲圖冊 ...
砷化鎵單片微波積體電路的製作工藝,是在半絕緣砷化鎵單晶片上用外延生長或離子注入矽形成有源層;注入氧或質子產生隔離層(或適合產生隔離層的其他離子);注入鈹或鋅...
3.7半絕緣砷化鎵單晶生長 3.8用高壓單晶爐生長GaP、InpnP等單晶材料 3.9合成溶質擴散法(SSD法) 第四章 半導體的激發與發光 4.1PN結及其特性 4.1.1理想的PN結 ...
此外,在鄒元燨指導下完成了石英舟塗膜新工藝,常壓液封原位凝固生長不摻雜的半絕緣砷化鎵單晶新方法,以及傾側法液相外延生長高質量砷化鎵薄膜等研究。這些工作在1985年...
以後又相繼四次在中國返回式衛星上生長生長砷化鎵單晶,在空間晶體生長、材料物理研究及器件套用等方面取得諸多科研成果。利用空間生長的半絕緣砷化鎵製造的微波低噪聲場...