《半導體發光材料和器件》是1992年1月復旦大學出版社出版的圖書，作者是方誌烈
基本介紹
- 作者：方誌烈
- ISBN：9787309007084
- 頁數：386
- 定價：8.50
- 出版社：復旦大學出版社
- 出版時間：1992-01
- 裝幀：平裝
內容介紹,作品目錄,
內容介紹
內 容 提 要
半導體發光材料和器件，包括發光二極體、半導體雷射器及其材
料，在現代顯示技術、光纖通信技術以及其它各種光電子技術領域中，
正起著重要的作用，發展非常迅速，已形成頗具規模的新興產業.本
書主要論述發光二極體，半導體雷射器及其材料的基本特性、發光原
理、製備工藝、測試方法和套用等方面的知識，也介紹了最近的進展。
本書可作為大專院校有關專業的教材。曾在電子工業部委託復且
大學舉辦的“半導體發光材料和器件”進修班上採用，效果頗好.也可
供有關方面的科研人員、工程技術人員參考
作品目錄
目 錄
前 言
緒 言
第一章 光、光度學和色度學
1.1光的本質
1.2光的產生
1.3光度學
1.3.1能量的輻射分布
1.3.2輻射度量及單位
1.3.3朗伯定律
1.3.4視見函式
1.3.5光度量及單位
1.4色度學
第二章 半導體發光材料晶體導論
2.1晶體結構
2.1.1空間點陣
2.1.2晶面與晶向
2.1.3閃鋅礦結構、金剛石結構和纖鋅礦結構
2.1.4缺陷及其對發光的影響
2.2能帶結構
2.3半導體晶體材料的電學性質
2.3.1費米能級和載流子
2.3.2載流子的漂移和遷移率
2.3.3電阻率和載流子濃度
2.4半導體發光材料的條件
2.4.1帶隙寬度合適
2.4.2可獲得電導率高的P型和N型晶體
2.4.3可獲得完整性好的優質晶體
2.4.4發光複合幾率大
第三章 單晶的熔體生長
3.1相圖
3.2砷－鎵體系的P－T－x 相圖
3.3P－T－x相圖在製備砷化嫁晶體中的套用
3.4水平布里支曼法生長砷化鎵單晶
3.5液體密封法從熔體中直接生長砷化鎵單晶
3.5.1合適的液體密封劑
3.5.2工藝控制分析
3.5.3工藝操作過程
3.6液封直拉砷化鎵的摻雜控制
3.6.1估計所需摻雜量的經驗公式
3.6.2影響GaAs單晶中雜質分布均勻性的因素及
改善均勻性的方法
3.7半絕緣砷化鎵單晶生長
3.8用高壓單晶爐生長GaP、InpnP等單晶材料
3.9合成溶質擴散法（SSD法）
第四章 半導體的激發與發光
4.1PN結及其特性
4.1.1理想的PN結
4.1.2實際的PN結
4.2注入載流子的複合
4.2.1複合的種類
4.2.2輻射型複合
4.2.3非輻射型複合
第五章 半導體發光材料
5.1砷化鎵
5.1.1基本性質
5.1.2砷化嫁的發光機理
5.2磷化鎵
5.2.1基本性質
5.2.2磷化鎊的發光機理
5.3氮化鎵
5.4磷砷化鎵
5.5鎵鋁砷
5.6其它發光材料
5.6.1其它Ⅲ一V族固溶體
5.6.2碳化矽
5.6.3硫化鋅、硒化鋅
5.7半導體發光材料的比較
第六章 氣相外延生長
6.1鹵化物氣相外延
6.1.1GaASP的氯化物體系外延生長
6.1.2氫化物法氣相外延GaAsP
6.1.3氫化物體系的熱力學分析
6.1.4GaP的氣相外延
6.1.5In1－xGaxP的氣相外延生長
6.1.6氮化鎵的氣相外延
6.2金屬有機物化學氣相澱積（MOCVD）
6.3分子束外延（MBE）
6.3.1分子束外延的特點
6.3.2儀器設備和原理，原料的氣化，外延動力學
第七章 液相外延生長
7.1液相外延（LPE）概論
7.2液相外延原理
7.3液相電外延
7.4電學及光學性能的控制
7.5表面形貌
7.5.1由於襯底不完整性造成的特徵
7.5.2台階面和波紋
7.5.3L線、T線和彎月線
7.5.4交叉影格線
7.6砷化鎵的液相外延
7.7磷化鎵的液相外延
7.8鎵鋁砷的液相外延
7.9碳化矽的液相外延
第八章 發光二極體製造技術
8.1材料
8.2光刻技術
8.3氮化矽生長
8.4擴散
8.5歐姆接觸電極
8.6切割
8.7裝架和鍵合
8.8封裝
第九章 半導體發光器件設計
9.1電學設計
9.2熱學設計
9.3光學設計
9.4視覺因素
9.5點發光器件
9.6簡單組合器件
9.7字元顯示器
9.7.1條段式的字元顯示器
9.7.2矩陣字元顯示器
9.8平板顯示屏
第十章半導體發光器件的套用
10.1發光二極體與光電子學
10.2發光二極體的驅動方法
10.2.1直流驅動
10.2.2交流驅動
10.2.3電晶體驅動電路
10.2.4積體電路驅動
10.3發光二極體單管的套用
10.3.1發光二極體的合理選用
10.3.2電平指示套用
10.4字元顯示器的驅動和套用
10.5大型固體顯示螢幕套用
10.6光電耦合器件及其套用
第十一章 光纖通信用半導體雷射器
11.1鎵鋁砷半導體雷射材料和器件
11.2嫁銦砷磷材料和雷射器
11.2.1二個自由度
11.2.2材料製備與特性
11.2.3長波長雷射器
第十二章 光纖通信用的紅外發光二極體
12.1短距離光纖通信用發光二極體
12.1.1單異質結GaAlAs發光二極體
12.1.2GaAs0.90P0.10發光二極體
12.1.3雙異質結GaAlAs發光二極體
12.2中距離光纖通信用的發光二極體
12.2.11.5μm波長的發光二極體
12.2.2高速長波長發光二極體
12.2.3自體稜鏡發光二極體
12.2.4波分復用發光二極體
12.2.5透明的四元系發光二極體
第十三章 半導體發光器件的可靠性
13.1發光器件可靠性的一些實驗結果
13.2器件的壽命分析
13.2.1環氧系塑膠的壽命分析
13.2.2管芯的壽命分析
13.3失效機理
13.4可靠性試驗
13.4.1工藝篩選
13.4.2例行試驗
第十四章 發光材料和器件測試
14.1發光材料測試
14.1.1檢測外延層中缺陷的腐蝕方法
14.1.2外延層厚度的測定
14.1.3外延層電學性質的測定
14.1.4外延層光學性質的測定
14.2發光器件的效率
14.2.1發光效率
14.2.2功率效率
14.2.3量子效率
14.3電學參數
14.3.1伏安特性
14.3.2結電容
14.3.3回響特性
14.4光學參數
14.4.1色度學參數
14.4.2光度學參數
參考文獻
前 言
緒 言
第一章 光、光度學和色度學
1.1光的本質
1.2光的產生
1.3光度學
1.3.1能量的輻射分布
1.3.2輻射度量及單位
1.3.3朗伯定律
1.3.4視見函式
1.3.5光度量及單位
1.4色度學
第二章 半導體發光材料晶體導論
2.1晶體結構
2.1.1空間點陣
2.1.2晶面與晶向
2.1.3閃鋅礦結構、金剛石結構和纖鋅礦結構
2.1.4缺陷及其對發光的影響
2.2能帶結構
2.3半導體晶體材料的電學性質
2.3.1費米能級和載流子
2.3.2載流子的漂移和遷移率
2.3.3電阻率和載流子濃度
2.4半導體發光材料的條件
2.4.1帶隙寬度合適
2.4.2可獲得電導率高的P型和N型晶體
2.4.3可獲得完整性好的優質晶體
2.4.4發光複合幾率大
第三章 單晶的熔體生長
3.1相圖
3.2砷－鎵體系的P－T－x 相圖
3.3P－T－x相圖在製備砷化嫁晶體中的套用
3.4水平布里支曼法生長砷化鎵單晶
3.5液體密封法從熔體中直接生長砷化鎵單晶
3.5.1合適的液體密封劑
3.5.2工藝控制分析
3.5.3工藝操作過程
3.6液封直拉砷化鎵的摻雜控制
3.6.1估計所需摻雜量的經驗公式
3.6.2影響GaAs單晶中雜質分布均勻性的因素及
改善均勻性的方法
3.7半絕緣砷化鎵單晶生長
3.8用高壓單晶爐生長GaP、InpnP等單晶材料
3.9合成溶質擴散法（SSD法）
第四章 半導體的激發與發光
4.1PN結及其特性
4.1.1理想的PN結
4.1.2實際的PN結
4.2注入載流子的複合
4.2.1複合的種類
4.2.2輻射型複合
4.2.3非輻射型複合
第五章 半導體發光材料
5.1砷化鎵
5.1.1基本性質
5.1.2砷化嫁的發光機理
5.2磷化鎵
5.2.1基本性質
5.2.2磷化鎊的發光機理
5.3氮化鎵
5.4磷砷化鎵
5.5鎵鋁砷
5.6其它發光材料
5.6.1其它Ⅲ一V族固溶體
5.6.2碳化矽
5.6.3硫化鋅、硒化鋅
5.7半導體發光材料的比較
第六章 氣相外延生長
6.1鹵化物氣相外延
6.1.1GaASP的氯化物體系外延生長
6.1.2氫化物法氣相外延GaAsP
6.1.3氫化物體系的熱力學分析
6.1.4GaP的氣相外延
6.1.5In1－xGaxP的氣相外延生長
6.1.6氮化鎵的氣相外延
6.2金屬有機物化學氣相澱積（MOCVD）
6.3分子束外延（MBE）
6.3.1分子束外延的特點
6.3.2儀器設備和原理，原料的氣化，外延動力學
第七章 液相外延生長
7.1液相外延（LPE）概論
7.2液相外延原理
7.3液相電外延
7.4電學及光學性能的控制
7.5表面形貌
7.5.1由於襯底不完整性造成的特徵
7.5.2台階面和波紋
7.5.3L線、T線和彎月線
7.5.4交叉影格線
7.6砷化鎵的液相外延
7.7磷化鎵的液相外延
7.8鎵鋁砷的液相外延
7.9碳化矽的液相外延
第八章 發光二極體製造技術
8.1材料
8.2光刻技術
8.3氮化矽生長
8.4擴散
8.5歐姆接觸電極
8.6切割
8.7裝架和鍵合
8.8封裝
第九章 半導體發光器件設計
9.1電學設計
9.2熱學設計
9.3光學設計
9.4視覺因素
9.5點發光器件
9.6簡單組合器件
9.7字元顯示器
9.7.1條段式的字元顯示器
9.7.2矩陣字元顯示器
9.8平板顯示屏
第十章半導體發光器件的套用
10.1發光二極體與光電子學
10.2發光二極體的驅動方法
10.2.1直流驅動
10.2.2交流驅動
10.2.3電晶體驅動電路
10.2.4積體電路驅動
10.3發光二極體單管的套用
10.3.1發光二極體的合理選用
10.3.2電平指示套用
10.4字元顯示器的驅動和套用
10.5大型固體顯示螢幕套用
10.6光電耦合器件及其套用
第十一章 光纖通信用半導體雷射器
11.1鎵鋁砷半導體雷射材料和器件
11.2嫁銦砷磷材料和雷射器
11.2.1二個自由度
11.2.2材料製備與特性
11.2.3長波長雷射器
第十二章 光纖通信用的紅外發光二極體
12.1短距離光纖通信用發光二極體
12.1.1單異質結GaAlAs發光二極體
12.1.2GaAs0.90P0.10發光二極體
12.1.3雙異質結GaAlAs發光二極體
12.2中距離光纖通信用的發光二極體
12.2.11.5μm波長的發光二極體
12.2.2高速長波長發光二極體
12.2.3自體稜鏡發光二極體
12.2.4波分復用發光二極體
12.2.5透明的四元系發光二極體
第十三章 半導體發光器件的可靠性
13.1發光器件可靠性的一些實驗結果
13.2器件的壽命分析
13.2.1環氧系塑膠的壽命分析
13.2.2管芯的壽命分析
13.3失效機理
13.4可靠性試驗
13.4.1工藝篩選
13.4.2例行試驗
第十四章 發光材料和器件測試
14.1發光材料測試
14.1.1檢測外延層中缺陷的腐蝕方法
14.1.2外延層厚度的測定
14.1.3外延層電學性質的測定
14.1.4外延層光學性質的測定
14.2發光器件的效率
14.2.1發光效率
14.2.2功率效率
14.2.3量子效率
14.3電學參數
14.3.1伏安特性
14.3.2結電容
14.3.3回響特性
14.4光學參數
14.4.1色度學參數
14.4.2光度學參數
參考文獻
