外文名：Institute of materials science, Nanchang University
成立時間：1994年4月
研究方向：半導體發光材料與器件的研究
領導：潘際鑾
研究方向,科研項目,學術團隊,產研結合,成果展示,
研究方向
[1]Si 襯底上 GaN 基半導體材料生長與器件研製；
[2] 功率型藍、綠光及白光 LED 材料與晶片；
[3]ZnO 基半導體材料生長；
[4] 寬禁帶半導體材料專用生產型 MOCVD 系統的研製。
科研項目
中心先後承擔了 863 項目、國家基金項目、電子發展基金項目等 10 餘項，從事 GaN 基 LED 材料及器件研發和生產 10 年整，從跟蹤走上了跨越，研製成功輸出功率 9 毫瓦的垂直結構的矽襯底 GaN 藍光 LED ，申請發明專利 10 項，走出了一條具有自主智慧財產權、低成本、具有國際競爭力的半導體照明技術路線。
學術團隊
中心現有研究人員 14 人，開發和生產人員 106 人。 材料所所長、工程研究中心主任江風益教授，博士生導師，多年從事 GaN 基 LED 材料與器件的教學與科研工作，先 後培養 博士、碩士研究生近 40 人。 江風益 教授是全國傑出專業技術人才（中組部、中宣部、人事部和科技部聯合授予），國家有突出貢獻中青年專家，中國物理學會發光分會副理事長，曾主持 863 項目、國家基金項目、電子發展基金項目等 10 餘項。
產研結合
2006 年 4 月以江風益課題組為技術依託，由金沙江創業投資基金牽頭，聯合國際頂尖級創業投資基金 Mayfield fund, Asia vest 三家國際風險投資基金共同投資設立了專門從事矽襯底 GaN 基 LED 外延材料與器件研發與生產的高科技企業——晶能光電（江西）有限公司，江風益出任公司董事長兼總裁。
成果展示
中心攻克了一項世界難題，在第一代半導體材料矽襯底上製備出了高質量的第三代半導體材料 GaN ，在國際上率先研製成功高亮度、高可靠性的垂直結構的矽襯底 GaN 基藍光 LED 。這一成果改變了如今日美等國壟斷半導體照明技術的局面，形成了矽襯底半導體照明技術路線。中心研製的矽襯底藍光 LED 和矽襯底綠光 LED 被分別作為三基色顯示屏中藍光和綠光像元，製作了全球第一塊矽襯底 GaN 基 LED 全彩色顯示屏。 中心完成的 863 課題成果“矽襯底藍光二極體材料及器件 ” 被 863 新材料領域專家委推薦為國家科技創新重大成就展項目， 2006 年全國科技大會期間（ 1 月 9 日 － 16 日）在北京展覽館展出。2006 年 7 月江風益課題組設計的“矽襯底氮化鎵發光二極體材料與晶片”榮獲首屆國家半導體照明工程創新大賽“研發創新獎”。
