半絕緣砷化鎵

基本介紹

• 中文名：半絕緣砷化鎵
• 屬性：電阻率大於1×10^7Ω·cm的砷化鎵單晶。
• 功能：生長半絕緣單位
• 用途：光電積體電路的重要襯底材料

電阻率大於1×10^7Ω·cm的砷化鎵單晶。最早使用摻入鉻、氧等深受主雜質補償矽等淺施主來生長半絕緣單位，現在主要使用高壓單晶爐用熱解坩堝由砷、鎵直接合成非摻雜電子遷移率半絕緣單晶。為高速、高頻器件及電路、光電積體電路的重要襯底材料。也可以用作二氧化碳雷射器的耦合輸出視窗。