直拉砷化鎵單晶

直拉砷化鎵單晶是2011年公布的材料科學技術名詞。

中文名稱	直拉砷化鎵單晶
英文名稱	liquid encapsula- ted Czochralski grown gallium arse- nide single crystal，LEC GaAs single crystal
定　　義	採用液封直拉技術從砷化鎵熔體中拉制出的，具有一定尺寸、晶向、導電型號和電阻率範圍的砷化鎵單晶。
套用學科	材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科）

基本介紹

• 中文名：直拉砷化鎵單晶
• 外文名：liquid encapsula-ted Czochralski grown gallium arse-nide single crystal，LEC GaAs single crystal
• 所屬學科：材料科學技術 
• 公布年度：2011年

定義

採用液封直拉技術從砷化鎵熔體中拉制出的，具有一定尺寸、晶向、導電型號和電阻率範圍的砷化鎵單晶。

出處

《材料科學技術名詞》。