國瑞電子材料有限責任公司（簡稱國瑞公司）是由有研半導體材料股份有限公司（有研矽股）、北京有色金屬研究總院共同出資於1999年12月在河北省廊坊經濟技術開發區註冊成立的，註冊資本3500萬元，其前身為有研矽股化合物半導體分廠。
基本介紹
- 公司名稱：國瑞電子材料有限責任公司
- 成立時間：1999年12月
- 類型：有限責任公司
- 註冊資本：3500萬元
國瑞公司,主要成果,組織機構,管理團隊,
國瑞公司
2000年12月，有研矽股將持有的國瑞公司95%股權中的10%轉讓給重慶市佳德科技發展有限公司。
公司是國內唯一的批量生產水平GaAs晶片、GaP晶片的企業，占地面積1萬m。2001年8月，GaAs單晶及晶片、GaP單晶及晶片等生產線通過ISO9002質量體系認證。
主要成果
1958年以來，在化合物半導體材料研發方面取得40多項重大成果。主要成果有：
1959年研製出我國第一根砷化鎵單晶
1964年研製出直拉砷化鎵和磷化銦單晶
1979年建立國內第一條砷化鎵生產線
1979年首次研製出LED用GaP單晶
1994年研製出我國第一根直徑3英寸水平砷化鎵單晶
1997年研製出我國第一根直徑4英寸LEC－SI砷化鎵單晶
1999年拉制出我國第一根直徑4英寸VCZ法砷化鎵單晶
組織機構
總經理辦公室、生產技術部、質量管理部、銷售部、採購部、設備動力部。
管理團隊
國瑞電子材料有限責任公司總經理：龍彪。
