《砷化鎵單晶》是2021年12月1日實施的一項中國國家標準。
《砷化鎵單晶》是2021年12月1日實施的一項中國國家標準。編制進程2021年5月21日，《砷化鎵單晶》發布。2021年12月1日，《砷化鎵單晶》實施。起草工作主要起草單位：雲南中科鑫圓晶體材料有限公司、雲南臨滄鑫圓鍺業...
作為第二代半導體，砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導體貴族”之稱。2001年7月31日，中國科學家宣布已掌握一種生產這種材料的新技術，使中國成為繼日本、德國之後掌握這一技術的又一國家。 北京有色金屬研究總院宣布，國內成功拉制出了第一根直徑4英寸的VCZ半絕緣砷化鎵單晶。據專家介紹，砷化鎵可在一塊晶片上同時...
直拉砷化鎵單晶 直拉砷化鎵單晶是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 採用液封直拉技術從砷化鎵熔體中拉制出的，具有一定尺寸、晶向、導電型號和電阻率範圍的砷化鎵單晶。出處 《材料科學技術名詞》。
水平砷化鎵單晶 水平砷化鎵單晶是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 採用水平布里奇曼法生長的半圓形砷化鎵單晶，具有一定尺寸、晶向、導電型號和電阻率範圍。出處 《材料科學技術名詞》。
半絕緣砷化鎵單晶 半絕緣砷化鎵單晶是室溫下電阻率大於11106Ω·cm的砷化鎵單晶。套用學科 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科）
砷化鎵材料的製備 與矽相仿,砷化鎵材料也可分為體單晶和外延材料兩類。體單晶可以用作外延的襯底材料,也可以採用離子注入摻雜工藝直接製造積體電路(採用高質量、大截面、半絕緣砷化鎵單晶)。重點是液封直拉法(即液封喬赫拉斯基法,簡稱LEC法),但水平舟生長法(即水平布里其曼法)因制出的單晶質量和均勻性較好,仍然受到...
鎵空位 鎵空位是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 砷化鎵單晶體中在鎵原子格點上缺失鎵原子而形成的空格點。出處 《材料科學技術名詞》。
在富鋰(Li2O：NbO3=58．5/41．5)熔體中生長了質量良好的近化學計量比鈮酸鋰單晶，其紫外吸收邊位置為308nm，居里溫度超過了1200℃。測量了其Z向晶片的壓電係數如，並且觀察了Z向晶片的1800°疇，結果證明除少數區域外，所生長晶體為單疇。砷化鎵 (GaAs)為第二代半導體材料，GaAs襯底質量直接影響器件性能。利用JEM...
其中半導體積體電路是依據固體的微觀及巨觀特性採用一系列摻雜工藝、細線條工藝、薄膜工藝等精密的微細加工工藝在單片半導體單晶材料上構成包含需要的電晶體、二極體、電阻、電容等元器件的微小型化電子電路。砷化鎵積體電路是一種半導體積體電路，主要採用砷化鎵做為半導體材料。砷化鎵積體電路具有的優勢主要包括：高頻率、高...
高倍聚光電池具有代表性的是砷化鎵（GaAs）太陽電池。GaAs屬於III-V族化合物半導體材料，其能隙與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫。與矽太陽電池相比，GaAs太陽電池具有較好的性能 砷化鎵電池與矽光電池的比較 1、光電轉化率：砷化鎵的禁帶較矽為寬，使得它的光譜回響性和空間太陽光譜匹配能力較矽好。單結的砷化鎵...
除了常用的單晶、多晶、非晶矽電池之外，多元化合物太陽電池指不是用單一元素半導體材料製成的太陽電池。現在各國研究的品種繁多，大多數尚未工業化生產，主要有以下幾種：(a) 硫化鎘太陽能電池 (b) 砷化鎵太陽能電池 (c) 銅銦硒太陽能電池 工作原理 光伏發電是利用半導體界面的光生伏特效應而將光能直接轉變為電能...
高壓液封直拉法（high pressure liquid encapsulation pulling method） 即在高壓下的液體復蓋直拉法。用這種方法原位合成直拉生長不摻雜半絕緣砷化鎵單晶，具有高純、高電子遷移率和熱隱定性好的優良性能。簡介 由於Ⅲ一V族化合物半導體中的磷化銦、磷化鎵等在熔點時具有很高的離解壓，因此從熔體中生長單晶的...
如通過加熱器移動使溶劑區移動，也叫移動加熱器法)。一旦移到頂部，上部原料頂部溶解就生長出具有一定厚度的單晶。由於生長溫度較低所生長單晶純度較高，完整性也較好，還可在溶劑中摻入適當雜質生長較大面積的p -n結。套用 已用此法生長出硼化鎵，砷化鎵等材料。溶劑移動速率受溶質擴散速率限制。
無機半導體是以硒、鍺和單晶矽為主要元素的裝置。後來發現由兩種元素構成的化合物中，有些也有類似的性能。這兩種元素分別來自元素周期表的第三主族（如鎵）和第五主族（如砷）。由這兩族元素形成的化合物如銻化銦是半導體材料，1975年來已用它製成最靈敏的近紅外檢測器。後來又研製成功用砷化鎵單晶作為半導體材料，...
太陽能電池是一種利用光生伏特效應把光能轉換成電能的器件，又叫光伏器件，主要有單晶矽電池和單晶砷化鎵電池等。太陽電池最初為空間太空飛行器使用，空間太空飛行器用單晶矽太陽電池的基本材料為純度達0.999999、電阻率在10歐·厘米以上的P型單晶矽，包括p-n結、電極和減反射膜等部分，受光照面加透光蓋片（如石英或滲鈰玻璃...
為了使不同材料互補，按要求進行最佳化組合，又發展出一種複合襯底材料，即利用異質外延技術，在一種襯底材料上外延另一種襯底材料薄膜，如在矽片上異質外延砷化鎵單晶薄膜，在襯底的矽面製作電子元件，在砷化鎵薄膜上製作光子元件。其優點是可以把矽的大規模積體電路技術與砷化鎵的光子元件技術結合，改善導熱性能，降低成本...
直拉晶體生長是利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。電子學和光學等現代技術所用的單晶，如矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、紅寶石、白寶石、釔鋁石榴石、尖晶石,以及某些鹼金屬和鹼土金屬的鹵化物等單晶都可以用直拉法生長。將原料裝在坩蝸內加熱熔化。將一個切成特定晶向的細單晶(稱為...
直拉法晶體生長，由丘克拉斯基在1916年首創，利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。電子學和光學等現代技術所用的單晶，如矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、紅寶石、白寶石、釔鋁石榴石、尖晶石,以及某些鹼金屬和鹼土金屬的鹵化物等單晶都可以用直拉法生長 (...
在N型砷化鎵薄片的二端製作良好的歐姆接觸電極，並加上直流電壓使產生的電場超過 3kV/cm時，由於砷化鎵的特殊性質就會產生電流振盪，其頻率可達10^9Hz，這就是耿氏二極體。這種在半導體本體內產生高頻電流的現象稱為耿氏效應。耿氏效應原理 當在N型砷化鎵單晶兩端製作歐姆接觸，並加上高電場後，發現在外加電場達到每...
變容二級管又稱可變電抗二極體，是一種利用pn結電容（或接觸勢壘電容兒）與其反向偏置電壓vr的依賴關係及原理製成的二極體。所用材料多為矽或砷化鎵單晶，並採用外延工藝技術。反偏電壓愈大，則結電容愈小。變容二極體具有與襯底材料電阻率有關的串聯電阻。變容二極體是二極體的其中一種，又稱"可變電抗二極體"。是一...
中國利用自選研製、發射的返回式衛星，多次搭載空間晶體爐，進行空間材料加工實驗，研究了解砷化鎵單晶、碲鎘汞晶體的生長，超導材料的燒結，鋁基碳化矽複合材料的製備，鈀鎳磷、銻化銦、銻化鎵、鋁鈮合金的生長。中國利用返回式衛星進行微重力條件下空間材料加工試驗，主要包括單晶生長、超導材料和合金凝固等多項。例如，在...
懸浮區熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長高純矽單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用於製備砷化鎵單晶，而垂直定向結晶法用於製備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶...
GaAs(砷化鎵)光電池大多採用液相外延法或MOCVD技術製備。用GaAs作襯底的光電池效率高達29.5%(一般在19.5%左右)，產品耐高溫和輻射，但生產成本高，產量受限，現今主要作空間電源用。以矽片作襯底，MOCVD技術異質外延方法製造GaAs電池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化鎵系列太陽電池有單晶砷化鎵，多晶砷化鎵，鎵...
2002年-2005年任中科鎵英半導體有限公司總經理助理，籌建投資1.5億元砷化鎵單晶產業化建設項目 ，負責從可行性研究報告、初步設計、施工圖到工程建設生產線總體工藝設計及生產線設備安裝調試、試生產。建成擁有自主智慧財產權具有國際先進水平砷化鎵單晶產業化平台，產品80%出口國際市場。2007年—至今，擔任雲南中科鑫圓晶體...
該企業目前主要是採用水平法生產砷化鎵單晶和晶片，產品主要用於高亮度發光器件和半導體雷射器件。企業現有單晶爐20台，年產砷化鎵單晶體1．65噸，單晶片10萬片。是目前國內最大的水平砷化鎵單晶生產企業，產量占全國的50%，產品主要出口國外。2001年7月國家計委批覆“水平砷化鎵晶片高技術產業化示範工程”項目可研，其...
林蘭英主要從事半導體材料製備及物理的研究。在鍺單晶、矽單晶、砷化鎵單晶和高純銻化銦單晶的製備及性質等研究方面獲得成果，其中砷化鎵氣相和液相外延單晶的純度及電子遷移率，均達到國際先進水平。人物生平 1918年2月7日（農曆丁巳年十二月二十六日），林蘭英出生於福建莆田縣。幼年為了上學，經過一番絕食鬥爭，家人同意...
