鎵空位是2011年公布的材料科學技術名詞。
中文名稱 | 鎵空位 |
英文名稱 | gallium vacancy |
定 義 | 砷化鎵單晶體中在鎵原子格點上缺失鎵原子而形成的空格點。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),化合物半導體材料(三級學科) |
基本介紹
- 中文名:鎵空位
- 外文名:gallium vacancy
- 所屬學科:材料科學技術
- 公布年度:2011年
鎵空位是2011年公布的材料科學技術名詞。
中文名稱 | 鎵空位 |
英文名稱 | gallium vacancy |
定 義 | 砷化鎵單晶體中在鎵原子格點上缺失鎵原子而形成的空格點。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),化合物半導體材料(三級學科) |
鎵空位是2011年公布的材料科學技術名詞。定義砷化鎵單晶體中在鎵原子格點上缺失鎵原子而形成的空格點。出處《材料科學技術名詞》。...
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對氮化鎵及氧化鋅中帶不同電荷的鎵空位和鋅空位:壓力使得帶不同電荷鎵空位的磁矩變大,而使得鋅空位的磁矩變小;張力使得兩種材料中缺陷磁矩都減小。對不帶電的鎵空位,無論施加張還是壓應力,磁矩間總是反鐵磁耦合,且隨著壓力增加,反鐵磁作用增強;對帶一個負電荷的鎵空位,始終表現為鐵磁耦合,且無論加壓還是...
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