溶劑移動法是一種溶液生長方法。是1963年孟拉夫斯基Mlavsky)等在蒲凡(Pfann )早年報導的溫度梯度區熔( TGZM)法基礎上試圖從溶液中土長GaAs等化合物半導體而提出的。
基本介紹
- 中文名：溶劑移動法
- 外文名：solvent travelling method
- 學科：材料工程
- 領域：工程技術
簡介,原理,過程,套用,
簡介
溶劑移動法是一種溶液生長方法。是1963年孟拉夫斯基Mlavsky)等在蒲凡(Pfann )早年報導的溫度梯度區熔( TGZM)法基礎上試圖從溶液中土長GaAs等化合物半導體而提出的。
原理
基本原理是(以砷化鎵為例):兩片砷化鎵晶體，其中一片在下部作為籽晶，為拋光好的單晶片，另一片在上部作原料。中間夾一層液態砷化鎵作為溶劑。控制適當的溫度梯度(上片溫度高些)使上部砷化鎵片不斷溶解在鎵溶液中，通過砷原子在鎵中擴散而在下部砷化鎵片上生長單晶。
過程
上部原料片不斷溶解，下部籽晶片不斷長厚，相當於鎵溶劑區自下而上移動(如通過加熱器移動使溶劑區移動，也叫移動加熱器法)。一旦移到頂部，上部原料頂部溶解就生長出具有一定厚度的單晶。由於生長溫度較低所生長單晶純度較高，完整性也較好，還可在溶劑中摻入適當雜質生長較大面積的p -n結。
套用
已用此法生長出硼化鎵，砷化鎵等材料。溶劑移動速率受溶質擴散速率限制。
