基本介紹
- 中文名:直拉晶體生長
- 定義:利用籽晶從熔體拉出單晶的方法
直拉晶體生長是利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。電子學和光學等現代技術所用的單晶,如矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、紅寶石、白寶石、釔鋁石榴石、尖晶石,以及某些鹼金屬和鹼土金屬...
直拉法又稱丘克拉斯基法,是J.丘克拉斯基在1916年首創。優點是晶體被拉出液面不與器壁接觸,不受容器限制,因此晶體中應力小,同時又能防止器壁沾污或接觸所可能引起的雜亂晶核而形成多晶。直拉法是以定向的籽晶為生長晶核,因而...
晶體生長是用一定的方法和技術,使單晶體由液態或氣態結晶成長。由液態結晶又可以分成熔體生長或溶液生長兩大類。熔體生長法 這類方法是最常用的,主要有直拉法(又稱丘克拉斯基法)、坩堝下降法、區熔法、焰熔法(又稱維爾納葉法)等...
縮頸生長是將籽晶快速向上提升,使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小(4-6mm)由於位錯線與生長軸成一個交角,只要縮頸夠長,位錯便能長出晶體表面,產生零位錯的晶體。(4)放肩生長:長完細頸之後,須降低溫度與拉速,使得晶體的直徑漸漸...
TDR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主智慧財產權,是採用直拉法生長P型或N型單晶矽材料的專用設備。裝料量從95Kg~150Kg,可拉制6"~12"電路級和太陽能級單晶矽棒。上虞公司介紹 上虞晶盛機電工程有限公司是一家專業從事半導體材料生產...
晶面(最外的面網)是平行向外推移而生長的。這就是晶體的層生長理論,用它可以解釋如下的一些生長現象。1)晶體常生長成為面平、棱直的多面體形態。2)在晶體生長的過程中,環境可能有所變化,不同時刻生成的晶體在物性(如顏色)和成分...
《晶體生長的物理基礎》是南京大學出版社發行的圖書,作者是閔乃本。內容簡介 本書用傳輸理論、熱力學、統計物理學和動力學理論系統地總結和解釋了晶體生長過程,著重討論了熔體生長特別是直拉法生長。結合溫場、溶質分凝、液流效應等問題...
2.5直拉單晶爐的工作環境40 習題41 第3章直拉單晶爐的熱系統及熱場43 3.1熱系統43 3.2熱系統的安裝與對中46 3.3熱場47 3.4溫度梯度與單晶生長47 3.5熱場的調整51 習題52 第4章晶體生長控制器54 4.1CGC-101A型晶體...
of heat transfer in crystal growth furnaces,詳細闡述了如何建立一個晶體生長爐中全局的熱傳控制模型,並驗證了這一全局模型的準確性。數值模擬 1、直拉法(提拉法,Cz法)2、坩堝下降法 3、區熔法(懸浮區熔法)4、焰熔法 ...
(1)在生長過程中,可以方便地觀察晶體的生長狀況。(2)晶體在熔體的自由表面處生長,而不與坩堝相接觸。這樣能顯著減小晶體的應力並防止在坩堝壁上的寄生成核。(3)可以方便地使用定向籽晶和“縮頸”工藝,以得到完整的籽晶和所需取向...
2.5 直拉單晶爐的工作環境 習題 第3章 直拉單晶爐的熱系統及熱場 3.1 熱系統 3.2 熱系統的安裝與對中 3.3 熱場 3.4 溫度梯度與單晶生長 3.5 熱場的調整 習題 第4章 晶體生長控制器 4.1 CGC-101A型晶體生長控制器...
晶體成長是指溶液中的溶質質點(離子、原子、分子)在晶核表面上層層有序排列,使晶核或晶種微粒不斷成長的過程。基本過程 從巨觀角度看,晶體生長過程是晶體- 環境相(蒸氣、溶液、熔體) 界面向環境相中不斷推移的過程,也就是由包含組成...
枝蔓晶體(枝晶)是以典型的多枝樹狀形式發展的晶體。樹枝狀晶體生長是非常普遍的,並且通過視窗上的雪花形成和霜狀圖案來說明。樹枝狀結晶形成自然分形圖案。內容簡介 枝蔓晶體是以典型的多枝狀樹狀形式發展的晶體。樹枝狀晶體生長是非常...
晶體生長理論是用以闡明晶體生長這一物理-化學過程。形成晶體的母相可以是氣相、液相或固相;母相可以是單一組元的純材料,也可以是包含其他組元的溶液或化合物。生長過程可以在自然界中實現,如冰雪的結晶和礦石的形成;也可以在人工控制...
磁控拉晶法是指MCZ在直拉過程中熔體部位施加磁場製備單晶的方法。在通常的直拉單晶過程中,熱對流會給生長的晶體帶來雜質分布不均勻、缺陷密度高等不良效果。簡介 磁控拉晶法是指MCZ在直拉過程中熔體部位施加磁場製備單晶的方法。缺陷 在...
《晶體生長手冊2:熔體法晶體生長技術》介紹體材料晶體的熔體生長,一種生長大尺寸晶體的關鍵方法。這一部分闡述了直拉單晶工藝、泡生法、布里茲曼法、浮區熔融等工藝,以及這些方法的最新進展,例如套用磁場的晶體生長、生長軸的取向、...
38.3有氧時的直拉缺陷動力學 38.4有氮時的直拉缺陷動力學 38.5直拉矽單晶中空位的橫向合併 38.6結論 參考文獻 39熔體基底化合物晶體生長中應力和位錯產生的模型 39.1綜述 39.2晶體生長過程 39.3半導體材料的位錯分布 39.4位錯...
用這種方法生長的晶體直徑一般是1-2in。要生長更大的晶體,需要在軸向上精確控制化學組分,而在徑向上,需要精確控制溫度梯度以獲得低位錯密度。Bridgman方法的特點是使用安瓿來盛裝熔料,這就允許在很小的熱梯度下進行晶體生長,進而得到...
《晶體生長微觀機理及晶體生長邊界層模型》是科學出版社出版的圖書,作者是殷紹唐。 內容簡介 傳統的晶體生長理論模型創建時,受時代限制,缺乏原位實時觀測晶體生長過程微觀結構演化的實驗基礎,難以真實、完整地反映晶體生長過程中微觀結構的...
《晶體生長初步:成核、晶體生長和外延基礎(第二版)》是2018年9月1日高等教育出版社出版的圖書,作者是Ivan、V.Markov。內容簡介 《晶體生長初步:成核、晶體生長和外延基礎(第2版)》是一本關於成核、晶體生長和外延的經典教科書...
直拉單晶鍺 直拉單晶鍺是指採用直拉法從鍺熔體中拉制出的具有一定直徑、晶向、導電型號和電阻率範圍的鍺單晶。
《現代晶體學3:晶體生長》是2019年中國科學技術大學出版社出版的圖書。內容簡介 本書是B·K·伐因斯坦(主編)、A·A·契爾諾夫和L·A·舒瓦洛夫主持編寫的《現代晶體學》4卷本中的第3卷,本書的主要作者是A·A·契爾諾夫,參加...
直拉法是生產lC電路所用矽片的常用方法。熔矽放在石英增竭裡面,因為石英導致氧進入熔矽,因而單晶矽有高的氧含量。直拉法又分為非磁場拉晶法和磁場拉晶法。重要參數 晶體生長溫度,最大生長速度,熔體中的對流,晶體旋轉, 生長界面形狀...
提拉法又稱丘克拉斯基法,是丘克拉斯基(J.Czochralski)在1917年發明的從熔體中提拉生長高質量單晶的方法。這種方法能夠生長無色藍寶石、紅寶石、釔鋁榴石、釓鎵榴石、變石和尖晶石等重要的寶石晶體。20世紀60年代,提拉法進一步發展為一...
單晶成長最常用的方法是拉單晶。最初拉單晶的概念就是用一固定的籽晶與熔融的半導體材料液面相接觸,然後援慢提拉籽晶,於是在籽晶下面就會不斷地粘晶生長成一新的單晶體來。為了使單晶材料能滿足製作半導體器件所要求的導電類型和電阻率...
磷化鎵單晶製備多採用直拉法,或者採用定向凝固工藝合成磷化鎵多晶,再進行適當處理後裝入高壓單晶爐進行單晶拉制。但是常規的製備方法生長速度極慢,且難以得到尺寸較大的單晶體。晶體生長數值模擬和計算是以工程物理為理論背景,利用數值方法...