晶體生長手冊5：晶體生長模型及缺陷表征

內容簡介

《晶鴉和體雅體生長手冊5:晶體生長模型及缺陷表征(影印版)》介紹了生長工藝和缺陷形成的模型。這些章節驗證了工藝參數和產生晶體質量問題包括缺陷形成的直接相互作用關係。隨後的PartG展示了結晶材料特性和分析的發展。PartF和G說明了預測工具和分析技雄精整術在幫助高質量的大尺寸晶體生長工藝的設計和控制方面是非常好用的勸阿汗。

圖書目錄

縮略語

Part F晶體生長及缺陷模型

36熔體生長晶體體材料的傳導和控制

36.1運輸過程的物理定律

36.2熔體的流動結構

36.3外力對流動的控制

36.4前景

參考文獻

37Ⅲ族氮化物的氣相生長

37.1Ⅲ族氮化物的氣相生長概述

37.2 A1N/GaN氣相澱積的數學模型

37.3氣相澱積AlN/GaN的表征

37.4 GaN的IVPE生長模型——個案研究

37.5氣相GaN/AIN膜生長的表面形成

37.6結語

參考文獻

38生長直拉矽晶體中連續尺寸量子缺陷動力學

38.1微缺陷的發現

38.2無雜質時的缺陷動力學

38.3有氧時的直拉缺陷動力學

38.4有氮時的直拉缺陷動力學

38.5直拉矽單晶中空位的橫向合併

38.6結論

參考文獻

39熔體基底化合物晶體生長中應力和位錯產生的模型

39.1綜述

39.2晶體生長過程

39.3半導體材料的位錯分布

39.4位錯產生的模型

39.5晶體的金剛石結構

39.6半導體的變形特性

39.7 Haasen模型對晶體生長的套用

39.8替代模式

39.9模型概述和數值實現

39.10數值結果

39.11總結

參考文獻

40 BS和EFG系統中的質量和熱量傳輸

40.1雜質分布的基預測模型——垂直BS系統

40.2雜質分布的基預測模型——EFG系統

參考文獻

Part G缺陷表征及技術

41晶體層結構的X射線衍射表征

41.1 X射線衍射

41.2層結構的基本直接X射線衍射分析

41.3設備和理論思考

41.4從低到高的複雜性分析實例

41.5快速分析

41.6薄膜微奔局轎戶映射

41.7展霉甩望

參考文獻

42晶體缺陷表征的X射線形貌技蒸射擊術

42.1 X射線形貌的基本原則

42.2 X射線形貌技術的發展歷史

42.3 X射線形貌技術和幾何學

42.4 X射線挨霉戶形貌技術理論背景

42.5 X射線形貌上缺陷的對比原理

42.6 X射線形貌上的缺陷分析

42.7目前的套用狀況和發展

參考文獻

43半導體的缺陷選擇性刻蝕

43.1半導體的濕法刻蝕：機制

43.2半導體的濕法刻蝕：結構和缺陷選擇性

43.3缺陷選擇性刻蝕方法

參考文獻

44晶體的透射電子顯微鏡表征

44.1缺陷的TEM表征的理論基礎

44.2半導體系統TEM套用的典型實例

44.3結語：目前的套用狀況和發展

參考文獻

45點缺陷的電子自旋共振表征

45.1電子自旋共振

45.2 EPR分析

45.3 ERP技術範圍

45.4輔助儀器和支持技術

45.5總結與最終思考

參考文獻

46半導體缺陷特性的正電子湮沒光譜表征

46.1正電子湮沒光譜

46.2點缺陷的識別及其電荷狀態

46.3缺陷、摻雜和電子補償

46.4點缺陷和生長條件

46.5總結

參考文獻

晶體生長手冊5：晶體生長模型及缺陷表征

基本介紹

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