坩堝下降法晶體生長

基本信息

坩堝下降法晶體生長

作者：徐家躍 等著

出版日期：2015年3月

書號：978-7-122-21864-3

開本：16K　787×1092　1/16

裝幀：平

版次：1版1次

頁數：210頁

內容簡介

本書對坩堝下降法的歷史進行總結回顧，並分章節重點介紹幾種功能晶體的生長和套用，包括閃爍晶體鍺酸鉍、矽酸鉍及其混晶，四硼酸鋰壓電晶體生長與套用，鹵化物晶體坩堝下降法生長與閃爍性能，鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學工程中的套用，弛豫鐵電單晶生長於表征進展，鎢酸鎘閃爍晶體的坩堝下降法生長研究，中紅外非線性光學晶體磷化鍺鋅和砷化鍺鎘的生長與表征等。此外，依據研究對象和目的的不同，本書還對坩堝下降法的一些技術創新工作進行了介紹。

本書適合於高等院校材料專業師生，研究機構科研人員及半導體、太陽能、光電子等材料生產企業技術人員等學習使用。

目錄信息

第1章歷史回顧1

11早期工作1

12下降法生長鹵化物單晶2

13下降法生長半導體單晶3

14下降法生長氧化物晶體5

參考文獻9

第2章閃爍晶體鍺酸鉍、矽酸鉍及其混晶11

21概述11

22鍺酸鉍晶體12

221晶體生長12

222晶體缺陷14

223晶體性能15

224套用舉例20

23矽酸鉍晶體21

231Bi2O3SiO2贗二元系相圖21

232原料合成22

233晶體生長23

234生長缺陷24

235閃爍性能及摻雜改性26

236其他物理性能28

237BSO晶體套用29

24矽鍺酸鉍混晶31

241固溶特性31

242晶體生長32

243閃爍性能33

參考文獻34

第3章四硼酸鋰壓電晶體生長與套用39

31概述39

311壓電晶體39

312四硼酸鋰晶體39

313四硼酸鋰晶體生長40

32坩堝下降法生長43

321原料合成43

322下降法生長44

323工業化生長46

33晶體缺陷48

331氣泡和包裹物48

332串芯與雲層48

333開裂49

334孿晶49

335位錯及其他缺陷50

34物理性能51

341基本性能51

342壓電性能51

343光學性能53

344其他物理性能54

35SAW性能及套用55

351SAW性能55

352晶片加工57

353SAW器件57

36總結與展望58

參考文獻59

第4章鹵化物晶體坩堝下降法生長與閃爍性能62

41概述62

42NaI：Tl晶體63

421晶體生長63

422NaI:Tl晶體的閃爍性能64

43碘化銫64

431晶體生長64

432碘化銫晶體的閃爍性能66

44BaF2晶體67

441晶體生長67

442晶體性能67

45PbF2晶體68

46SrI2:Eu晶體69

461晶體生長69

462晶體性能70

47稀土鹵化物閃爍晶體——LaCl3:Ce和LaBr3:Ce71

471晶體生長71

472晶體性能72

48展望73

參考文獻74

第5章鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學工程中的套用76

51概述76

52PWO晶體的結構特性與缺陷77

521PWO晶體的結構77

522PWO晶體的缺陷79

53PWO晶體生長81

531PWO晶體的提拉法生長82

532PWO晶體的坩堝下降法生長83

533PWO晶體的坩堝下降法生長設備83

534PWO晶體的坩堝下降法生長工藝及最佳化84

535PWO晶體定向與加工87

536PWO晶體生長工藝參數總結89

54PWO晶體閃爍性能89

541PWO晶體的發光和光輸出89

542PWO晶體的發光衰減91

543PWO晶體的輻照硬度92

55PWO晶體的摻雜效應94

551一價、二價陽離子摻雜94

552三價陽離子摻雜95

553高價（五、六價陽離子）摻雜96

554一價陰離子摻雜96

56高光輸出PWO晶體研究96

57PWO晶體的套用與展望98

571高能物理98

572醫用閃爍體99

573Cherenkov輻射體99

574光電子套用99

575快離子導體材料99

參考文獻100

第6章弛豫鐵電單晶生長與表征的進展103

61概述103

62弛豫鐵電單晶的生長104

621PZNPT和PMNPT104

622高居里溫度的弛豫鐵電PT二元系晶體107

623高居里溫度的弛豫鐵電三元系晶體109

63弛豫鐵電晶體的表征110

631晶體取向對性能的影響110

632電場引發的相變113

633外部直流偏壓下的介電性能115

64商業套用和未來展望116

641單晶壓電驅動器116

642醫學超聲成像換能器116

643聲吶換能器116

參考文獻116

第7章閃爍晶體鎢酸鎘坩堝下降法生長研究120

71閃爍晶體鎢酸鎘的研究進展120

711概述120

712晶體結構121

713基本性能121

714晶體生長方法122

72閃爍晶體鎢酸鎘的坩堝下降法生長124

721多晶料製備124

722晶體生長125

723若干生長技術問題126

724晶體缺陷127

725性能表征131

726摻雜晶體的研究135

73總結135

參考文獻136

第8章中紅外非線性光學晶體磷化鍺鋅和砷化鍺鎘的生長與表征138

81概述138

82ZnGeP2晶體139

821ZnGeP2晶體的結構140

822ZnGeP2晶體的生長140

823ZnGeP2晶體的缺陷143

824ZnGeP2晶體性能與套用148

83CdGeAs2晶體152

831CdGeAs2晶體的結構152

832CdGeAs2晶體的生長153

833CdGeAs2晶體的缺陷156

834CdGeAs2晶體的套用160

參考文獻161

第9章日本氧化物晶體坩堝下降法生長研究164

91概述164

92磁性套用MnZn鐵氧體單晶164

921概述164

922傳統坩堝下降法生長MnZn鐵氧體單晶165

923坩堝下降法連續進料晶體生長166

924小結168

93閃爍探測器用鎢酸鉛PbWO4(PWO)單晶168

931概述168

932晶體生長168

933生長方向和坩堝厚度169

934熔體成分效應170

935X射線衍射分析171

936小結171

94Bi4Si3O12(BSO)單晶生長172

941概述172

942小尺寸BSO晶體生長172

943大尺寸BSO晶體進展175

944Ce摻雜提高BSO晶體輻照硬度177

945小結179

95Nd摻雜BSO——一種新型的雷射晶體179

951概述179

952Nd摻雜BSO晶體生長179

953光學性能和壽命測試180

954小結181

96聲波器件套用大尺寸Li2B4O7(LBO)晶體生長181

961概述181

962LBO主要性能181

963下降法晶體生長182

964小結185

97總結186

參考文獻186

第10章坩堝下降法技術創新189

101概述189

102改進型坩堝下降法189

103助熔劑坩堝下降法191

1031通氣誘導成核191

1032ZnO晶體生長192

1033PZNT晶體生長194

104底部籽晶法生長技術197

1041底部籽晶法197

1042PZNT晶體生長197

1043SLN晶體生長198

105高溫坩堝下降法生長藍寶石199

106定向凝固生長大尺寸矽單晶201

107冷坩堝法生長釔穩定氧化鋯203

108多坩堝下降法生長GaAs單晶205

參考文獻207