《碳化矽晶體生長與缺陷》是2012年出版的圖書，作者是施爾畏。本書系統地介紹了物理氣相輸運（PVT）法碳化矽晶體生長與缺陷研究方面的工作，由碳化矽晶體的多型結構與表征、碳化矽晶體的PVT法生長、氣相組分Simcn和碳化矽晶體的生長機制、碳化矽晶體的結晶缺陷四部分組成。
基本介紹
- 書名：碳化矽晶體生長與缺陷
- 作者：施爾畏
- ISBN：9787030341280
- 頁數：360
- 定價：128.00元
- 出版時間：2012-5
內容介紹,書籍目錄,
內容介紹
《碳化矽晶體生長與缺陷》從碳化矽晶體結構出發，把氣相組分作為貫穿生長原料分解升華、系統中的質量∕能量輸運、生長界面的結晶過程、晶體中缺陷的繁衍與發育等的一條主線，從而使讀者對PVT法碳化矽晶體生長的複雜系統和過程有一個全面的、深入的認識和理解。
書籍目錄
1 碳化矽晶體的多型結構與表征。
1.1晶體的多型。
1.2碳化矽晶體的結構層與基本結構單元。
1.3碳化矽晶體多型的共生與連生。
1.43C—sic多型的結構
1.52H—sic多型的結構
1.64H—sic多型的結構
1.76H—sic多型的結構
1.815R—sic多型的結構
1.9碳化矽晶體多型結構參數的變化
1.10碳化矽晶體多型結構鑑別概述
1.11X射線衍射法鑑別碳化矽晶體多型結構
1.12高解析度透射電子顯微鏡法鑑別碳化矽晶體多型結構
1.13吸收光譜法鑑別碳化矽晶體多型結構
1.14拉曼光譜法鑑別碳化矽晶體多型結構 符號說明和註解
2 碳化矽晶體的物理氣相輸運（PVT）法生長
2.1矽—碳二元體系和矽—碳—金屬元素三元體系的相圖
2.2固態碳化矽分解升華的熱力學研究
2.3PVT法碳化矽晶體生長技術的發展歷程
2.4PVT法碳化矽晶體生長系統概述
2.5PVT法碳化矽晶體生長模型研究
2.6PVT法碳化矽晶體生長系統的可控變數與間接變數
2.7PVT法碳化矽晶體生長系統變數之間的強耦合
2.8生長原料區溫度場和碳化矽粉體的演變
2.9石墨坩堝生長腔內溫度場的演變 符號說明和註解
3 氣相組分和碳化矽晶體的生長機制
3.1氣相組分概述
3.2PVT法碳化矽晶體生長的螺旋位錯機制
3.3氣相組分在PVT法碳化矽晶體生長研究中的地位
3.4純矽氣相組分sim的穩定構型與能量
3.5純碳氣相組分cn的穩定構型與能量
3.6矽碳氣相組分simcn的穩定構型與能量
3.7氣相組分simcn構型的轉變
3.8氣相組分simcn的化學序
3.9氣相組分simcn的相互作用
3.10氣相組分simcn在生長界面上的結晶 符號說明和註解
4 碳化矽晶體的結晶缺陷
4.1碳化矽晶體結晶缺陷概述
4.2碳化矽晶片結晶質量的整體評價
4.3碳化矽晶片幾何特性和表面加工質量的整體評價
4.4多型共生缺陷
4.5鑲嵌結構缺陷
4.6堆垛層錯
4.7孔道與微管道 符號說明和註解 後記
