| 中文名稱 | 水平砷化鎵單晶 |
| 英文名稱 | horizontal Bridgman GaAs single crystal |
| 定 義 | 採用水平布里奇曼法生長的半圓形砷化鎵單晶，具有一定尺寸、晶向、導電型號和電阻率範圍。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | 水平砷化鎵單晶 |
| 英文名稱 | horizontal Bridgman GaAs single crystal |
| 定 義 | 採用水平布里奇曼法生長的半圓形砷化鎵單晶，具有一定尺寸、晶向、導電型號和電阻率範圍。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
中文名稱 水平砷化鎵單晶 英文名稱 horizontal Bridgman GaAs single crystal 定義 採用水平布里奇曼法生長的半圓形砷化鎵單晶,具有一定尺寸、晶向、導電型號和電阻率...
中國掌握“半導體貴族”砷化鎵單晶生產技術作為第二代半導體,砷化鎵單晶因其價格...主流的工業化砷化鎵生長工藝包括:直拉法(Cz法)、水平布里其曼法(HB)、垂直...
不論水平舟生長法或是液封直拉法,晶體的直徑均可達到100～150毫米而與矽單晶相仿。 砷化鎵的外延生長按工藝可分為氣相和液相外延,所得外延層在純度和晶體完整性...
無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。在單晶的生長過程中,位錯的來源...改進的水平梯度凝固法生長無位錯摻矽的砷化鎵單晶[J]. 套用科學學報, 1985(4...
布里支曼法水平布里支曼法(HB) HB法主要用來生長砷化鎵單晶,亦用來生長砷化銦、銻化銦及銻化鎵等單晶。HB爐分為兩溫區爐(2T-HB)、三溫區爐(3T-HB)和梯度...
1994年研製出我國第一根直徑3英寸水平砷化鎵單晶1997年研製出我國第一根直徑4英寸LEC-SI砷化鎵單晶1999年拉制出我國第一根直徑4英寸VCZ法砷化鎵單晶...
高壓液封直拉法(high pressure liquid encapsulation pulling method) 即在高壓下的液體復蓋直拉法。用這種方法原位合成直拉生長不摻雜半絕緣砷化鎵單晶,具有高純、...
中子摻雜水平砷化鎵單晶研究[J]. 稀有金屬, 1996(1):67-69. 2. 張達芳, 徐小琳. 中子摻雜矽單晶旋轉輻照模型的分析[J]. 清華大學學報(自然科學版), 1984...
惠峰,男,1984年8月畢業於電子工程系,自大學畢業一直從事研製國防軍工器件和電路需要的高質量砷化鎵、磷化銦及鍺單晶工作。...
解決了世界第一座釩鈦磁鐵礦高爐冶煉技術問題;設計建設.了中國第一個鎳礦-吉林盤石鎳礦;拉制出了中國第一根水平砷化鎵單晶;承擔了全國有色金屬礦山生產能力60%以上...