浸沒式光刻技術

浸沒式光刻技術是指在投影 物鏡最後一個透鏡的下表面與矽片上的光刻膠之間充滿高折射率的液體 (目前多為水)。

基本介紹

• 中文名：浸沒式光刻技術

浸沒式光刻技術是近年來提出的延伸193 nm光刻的關鍵技術。

根據瑞利判據，浸沒式光刻機的解析度R和焦深DOF由以下兩式定義

其中，k1、k2 為工藝因子，n 為浸沒液體的折射率，θ為光線最大入射角，λ_eff=λ/n 為有效曝光波長， NA 為數值孔徑。可以看出，浸沒 式光刻的解析度較傳統光刻縮小至1/n，相當於有效曝光波長縮小至1/n；相對於傳統光刻技術，在θ相同的情況下，引入浸沒光刻技術可以使焦深增大n倍。