極紫外套刻誤差通常是指EUV和193浸沒式的混合套刻誤差（MMO）。當
極紫外光刻套用到積體電路製造工藝中，其必須和193浸沒式混合使用，即
關鍵層使用EUV技術進行曝光，其他光刻層仍使用193浸沒式曝光。
構成
極紫外
套刻誤差主要由三部分組成：曝光區域間的
套刻誤差、曝光區域內部的
套刻誤差和隨機項。不同曝光區域中相同位置處測得的套刻誤差做平均即得到
曝光區域內部的套刻誤差；曝光區域內部測得的套刻誤差作平均得到曝光區域內部套刻誤差；隨機項等於總殘留的套刻誤差減去曝光區域間的套刻誤差。
表現
結合
光源掩模協同最佳化（SMO）和
OPC對圖形移動修正，EUV與193浸沒式的MMO可望被控制在3nm以下。啟用了
曝光區域之間和曝光區域內部的高階對準修正（HOPC+iHOPC）後，
ASML的193i光刻機（1950i）DCO可以達到2.0nm；3100光刻機DCO可達1.0nm。
